共 273 款产品

TLV4961-1TA
25+批次包装4000pcs/袋
现货数量:32000
描述
TLV496x-xTA/B 磁性开关系列:非常适合非接触式位置传感。精密霍尔开关/锁存器(单极/双极)的经济高效的解决方案。宽工作温度范围和优异的磁性能。适用于索引计数、转子位置检测(在 BLDC 电机中)、开/关检测。
特性
• 3.0 V 至 26 V 工作电源电压
• 低电流消耗 1.6 mA
• ESD 保护 4 kV HBM
• 采用非稳压电源供电
• 输出过流、过热保护
• 主动误差补偿(斩波)
• 工作温度范围:-40 °C 至 125 °C
• 高 ESD 性能
• 符合 JESD47 标准
应用
翻译
• Target applications for the TLV496x Hall Latch family are all applications which require a high precision Hall Latch with an operating temperature range from -40°C to 125°C.
• The magnetic behavior as a latch and switching thresholds of typical ±2 mT make the device especially suited for the use with a pole wheel for index counting applications, for rotor position detection as in brushless DC motor commutation and for white goods or open/closing detection.

BAT54-04W H6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:30000
描述
硅肖特基二极管
特性
• 适用于低损耗、快速恢复、电表保护
• 偏置隔离和钳位应用
• 保护环保护
• 低正向电压
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装
应用
• 舱内无线充电

BFU550A
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:6000
描述
翻译
NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 3-pin SOT23package.
The BFU550A is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to mediumpower applications up to 2 GHz.
特性
翻译
Low noise, high breakdown RF transistor
AEC-Q101 qualified
Minimum noise figure (NFmin) = 0.6 dB at 900 MHz
Maximum stable gain 18 dB at 900 MHz
11 GHz fT silicon technology
应用
要求高电源电压和高击穿电压的应用
高达2 GHz的宽带放大器
针对ISM应用的低噪声放大器
ISM频段振荡器

U3115C
25+批次包装4000pcs/盘
现货数量:4000
描述
U3115C完全运行至 +200V 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出,低至3.3V 逻辑。输出驱动级具有高脉冲电流缓冲级,专为最小驱动级交叉传导而设计。 浮动通道可用于驱动工作电压高达 200 伏的高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或IGBT。
特性
翻译
• Integrated bootstrap Diode(1)
• Floating channel designed for bootstrap operation
• Fully operational to +350V
• Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
• Gate drive supply range from 5 to 20V
• Undervoltage lockout
• 3.3V, 5V and 15V input logic compatible
• Cross-conduction prevention logic
• Matched propagation delay for both channels

ESD203-B1-02EL E6327
26+批次包装15000pcs/盘
现货数量:15000
描述
超低钳位双向 ESD/瞬态保护二极管
特性
• ESD/瞬态保护符合以下标准:– IEC61000-4-2 (ESD): ±30 kV (空气/接触放电)- IEC61000-4-4 (EFT): 50 A (5/50 ns)– IEC61000-4-5 (Surge): 5A (8/20 µs)
• 双向,工作电压最高可达 VRWM = ±12 V。
• 低电容:CL = 6 pF(典型值)
• 超低动态电阻:RDYN = 0.29 Ω 典型值。
• 低反向电流。IR = 50nA(最大值)
• 无铅(符合 RoHS 标准)和无卤素封装
应用
翻译
• ESD protection of keypad, touchpad, buttons, audio lines, ect.
• Pin 1 marking(lasered)
• TSLP-2
• TSSLP-2
• a)Pin configuration
• b)Schematic diagram
• P G-TS(S)LP -2_Dual_Diode_S erie_P inConf_and_S chematic Diag. vsd

SI4432-B1-FMR
25+批次包装2500pcs/盘
现货数量:10000
描述
Si4432 EZRadioPRO ISM 波段支持 240 至 930 MHz 的频率范围和 1 至 20 dBm 的输出功率范围。Si4432 采用 QFN20 封装。
特性
应用
相关链接
—— 技术参数 ——
输出功率 (dBm)
20
FSK (kbps)
256
OOK (kbps)
40
RX 灵敏度 (dBm)
1.1

BAS3005A-02V H6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:24000
描述
低 VF 肖特基二极管。
特性
• 正向电流:0.5 A
• 反向电压:30 V
• 非常低的正向电压(典型值)0.45 V @ IF = 0.5 A)
• 适用于低损耗、快速恢复保护和钳位应用
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装

BAT15-02ELS E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:30000
描述
这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
特性
翻译
• Low inductance LS = 0.2 nH(typical)
• Low capacitance C = 0.2 pF(typical)at voltage VR = 0 V and frequency f = 1 MHz
• TSSLP-2-3 package(0.62 mm x 0.32 mm x 0.31 mm)with a 0201 foot print
• Pb-free, RoHS compliant and halogen free
应用
翻译
• For mixers and detectors in:

JXD2-0Z14NL
26+批次包装50pcs/一托盘
现货数量:50
—— 技术参数 ——
Mounting
THT
3Footprint Area (LxW) (mm2)
1X1
44
-40C to +85C
Mounting
THT
Length (mm)
16.9
3Footprint Area (LxW) (mm2)
1X1
Height (mm)
16.95
44
-40C to +85C
Width (mm)
16.1
Length (mm)
16.9
Automotive (Y/N)
No
Height (mm)
16.95
Inductance (uH)00
100BASE-TX
Width (mm)
16.1
Inductance (uH)0Inductance (uH)
NONE
Automotive (Y/N)
No
Inductance (uH)0Footprint Area (LxW) (mm2)
NO LEDS
Inductance (uH)00
100BASE-TX
Inductance (uH)0Mounting
YES
Inductance (uH)0Inductance (uH)
NONE
Inductance (uH)0Construction
TOP ENTRY,VERTICAL MOUNT
Inductance (uH)0Footprint Area (LxW) (mm2)
NO LEDS
Inductance (uH)0Mounting
YES
Inductance (uH)0Construction
TOP ENTRY,VERTICAL MOUNT

IPP055N08NF2S
25+批次包装50pcs/管
现货数量:5000
描述
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 80 V 具有 5.5 mOhm 的低 RDS(on),可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比,IPP055N08NF2S 的 RDS(on) 降低了 40%,Qg 提高了 40%。
特性
• 可从分销合作伙伴处获取
• 卓越的性价比
• 适用于高和低开关频率
• 行业标准尺寸封装
• 高额定电流
• 可进行波峰焊
应用
• 汽车车载主机

BFR181W H6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:6000
描述
NPN 硅射频晶体管,用于集电极电流为 0.5 mA 至 12 mA 的低噪声、高增益宽带放大器
特性
• 适用于低噪声、高增益宽带放大器,集电极电流为 0.5 mA 至 12 mA
• fT = 8 GHz,F = 0.9 dB @ 900 MHz
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装
应用
• 汽车车身控制模块 (BCM)

BCR420U E6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:57000
描述
BCR420U 线性 LED 驱动器 IC 专为驱动通用和汽车照明应用中的低功率和中功率 LED 而设计。
特性
• LED 驱动电流预设为 10mA
• 输出电流可调
• 电源电压高达 40V
• NPN 晶体管功率级
• 可通过外部晶体管进行 PWM 调光
• 功耗高达 1000mW
• 符合 AEC Q101 要求
应用
• 汽车 24 GHz 雷达系统

BFR193F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:15000
描述
NPN硅射频晶体管
特性
• 适用于低噪声、高增益放大器,频率高达 2 GHz
• 适用于线性宽带放大器
• fT = 8 GHz,NFmin = 1 dB,频率为 900 MHz
• 无铅(符合 RoHS 标准)和无卤素(符合 WEEE 标准)产品
应用
• 移动设备和智能手机解决方案

BCX51-16 H6327
18+批次包装3000pcs/盘
现货数量:14000
—— 技术参数 ——
IC
1000 mA
ICMmax
1500 mA
VCBOmax
45 V
VCEOmax
45 V
Polarity
PNP (Single)

BCR401W H6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:165000
描述
BCR401W 线性 LED 驱动器 IC 专为驱动通用和汽车照明应用中的低功率 LED 而设计。
特性
• LED 驱动电流预设为 10mA
• 输出电流可调
• 电源电压高达 18V
• PNP 晶体管功率级
• 可通过外部晶体管进行 PWM 调光
• 功耗高达 500mW
• 符合 AEC Q101 要求
应用
• 可逆安全带预紧器

ICE3BR2280JZ
26+批次包装50pcs/管
现货数量:6000
描述
集成电源管理IC,集成800V雪崩耐压CoolMOS ™ 、启动单元和固定频率电流模式反激PWM控制器。适用于 13W SMPS 设计。附加功能包括输入 CCM 模式、锁存使能、快速锁存复位、掉电功能、主动突发模式操作以实现极低的待机功耗、频率抖动以获得低 EMI 等。
特性
• 峰值电流控制(电流模式)
• 65kHz 固定开关频率,带频率抖动(低 EMI)
• 可调消隐窗口
• 增强型主动突发模式(低待机功耗 <100mW)
• 增强型集成保护功能(自动重启)
• 精确的峰值功率限制
• 调制栅极驱动
• 掉电
• 自动重启使能引脚等
应用
• 离线式 UPS — 高频变压器

BFQ18A
16+批次包装1000pcs/盘
现货数量:9000
描述
NPN晶体管,采用SOT89塑料封装,设计用于厚膜和薄膜电路中的应用。该晶体管主要设计用于MATV。
特性
小型封装
应用
厚膜和薄膜电路中的应用
MATV应用

BMI088
22+批次包装5000pcs/盘
现货数量:2000
描述
翻译
BMI088 is a high-performance 6-axis inertial sensor consisting of a 16-bit digital, triaxial, ±24g accelerometer and a 16-bit digital, triaxial, ±2000°/s gyroscope. BMI088 allows highly accurate measurement of orientation and detection of motion along three orthogonal axes. With high vibration robustness and small footprint of 3 x 4.5 x 0.95 mm³, BMI088 is unique in the class of high-performance IMUs used in harsh environments such as those in drones and robotics applications. BMI088 is specifically designed to effectively suppress vibrations that could occur due to resonances on the pcb or the structure of the total system. Apart from high vibration robustness, the excellent temperature stability of BMI088 helps reduce the design effort and costs on a system level.
特性
应用
翻译
- Drones and flying toys
- Industrial robots, hover boards
- Domestic appliances (e.g. vacuum cleaners, social robots, etc.)

LSM6DSV16XTR
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:65000
描述
LSM6DSV16X采用系统级封装,包含一个3D数字加速度计和一个3D数字陀螺仪(采用三核芯架构,通过专用的配置、处理和滤波功能在3个独立通道上处理加速度数据、角速度数据)。
LSM6DSV16X在高性能模式下以0.65 mA的电流提供强劲性能,并且具有始终开启功能的同时提供低功耗特性,可为消费者提供优越的运动体验。
LSM6DSV16X为OIS、EIS和运动处理而内嵌先进的专用功能(如有限状态机和MLC(具有面向物联网应用的可导出AI功能))和数据过滤特性。
LSM6DSV16X内嵌的Qvar(电荷变化检测)支持用户界面功能:单击、双击、三击、长按、左/右 - 右/左滑动。
LSM6DSV16X内嵌模拟集线器,能够连接外部模拟输入并将其转换为数字信号进行处理。
特性
• 三核芯架构支持UI、EIS,以及OIS数据处理
• 功耗:在组合高性能模式下为0.65 mA
• 加速度计和陀螺仪的低功耗带来“始终开启”体验
• 高达4.5 KB的智能FIFO
• 与安卓兼容
• ±2/±4/±8/±16 g满量程
• ±125/±250/±500/±1000/±2000/±4000 dps 满量程
• 模拟供电电压:1.71 V到3.6 V
• 独立IO供电(扩展的范围:1.08 V - 3.6 V)
• 紧凑外形:2.5 mm x 3 mm x 0.83 mm
• SPI / I²C和MIPI I3C® v1.1串行接口,支持主处理器数据同步功能
• 辅助SPI用于陀螺仪和加速度计的OIS数据输出• 可以从辅助SPI、主接口(SPI / I²C & MIPI I3C®)配置OIS
• 主接口上的EIS专用通道,具有专用滤波功能
• 高级计步器,步伐侦测和步数计算
• 大幅运动检测,倾斜度检测
• 标准中断:自由落体、唤醒、6D/4D方向检测、单击和双击
• 可编程有限状态机用于加速度计、陀螺仪,以及外部传感器数据处理(960 Hz高速率)
• 机器学习内核(具有可输出功能和滤波器),用于人工智能应用
• 嵌入式Qvar(静电传感器)支持用户界面功能(单击、双击、三击、长按、左/右 - 右/左滑动)
• 嵌入式模拟集线器,用于ADC和处理模拟输入数据
• 内嵌低功耗传感器融合算法
• 嵌入式温度传感器
• 符合ECOPACK和RoHS标准

BAS70-07W H6327
26+批次包装3000pcs/盘
现货数量:21000
描述
硅肖特基二极管
特性
• 用于高速开关的通用二极管
• 电路保护
• 电压钳位
• 高电平检测和混合
• BAS70-04S:有关卷盘中的方向,请参见
• 下面的封装信息
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装