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Infineon

BFP196WH6327(BFP196WH6327XTSA1)Infineon/英飞凌

BFP196WH6327(BFP196WH6327XTSA1)Infineon/英飞凌
25+批次 包装3000pcs/盘
现货数量:30000
描述
NPN硅射频晶体管
特性
• 适用于天线和电信系统中低噪声、低失真宽带放大器,频率高达 1.5 GHz,集电极电流为 20 mA 至 80 mA
• 适用于 DECT 和 PCN 系统的功率放大器
• fT = 7.5 GHz,F = 1.3 dB @ 900 MHz
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装

参考单价0.6含税 买原装=找圆江
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英飞凌

BFP420H6327XTSA1

型号:BFP420H6327XTSA1
批次:26+
盘装:3000pcs
描述
用于高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管
特性
• 适用于高增益低噪声放大器
• 适用于高达 10 GHz 的振荡器
• 噪声系数 F = 1.1 dB (1.8 GHz 时),Gms = 21 dB (1.8 GHz 时) 非常出色
• 过渡频率 fT = 25 GHz
• 镀金处理,可靠性高
• SIEGET ® 25 GHz fT - Line
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装

0.35含税参考,实单议价~买原装=找圆江
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infineon

BFP650H6327(BFP650H6327XTSA1)

品牌:Infineon/英飞凌
批次DC:21+
整包数量:3000
描述
高线性度低噪声 SiGe:C NPN 射频晶体管
特性
• 适用于所有高达 4.5 GHz 的射频前端的高线性低噪声驱动放大器
• 输出压缩点 OP1dB = 17 dBm(70 mA、3V、2.4 GHz、50Ω 系统)
• 输出三阶互调点 OIP3 = 30 dBm(70 mA、3 V、2.4 GHz、50 Ω 系统)
• 最大可用增益 Gma = 17.5 dB(70 mA、3V、2.4 GHz)
• 最小噪声系数 NFmin = 1 dB(30 mA、3V、2.4 GHz)
• 基于英飞凌可靠、大批量 SiGe:C 晶圆技术
• 易于使用的无铅(符合 RoHS 标准)标准封装,引脚可见

0.8元含税参考,实单议价,买原装=找圆江
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