共 221 款产品
IRLML2244TRPBF
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量15000
描述 翻译 ID:5A,VDSS:20V,RDON:35mR,VGS:12V,TYPE:P沟道,
—— 技术参数 —— Package SOT-23 ID/A 5 VDS/V 20 RDS(on)/mΩ 35 VGS/V 12 VGS(th)/V 0.4-1.0 N/P P
BCR22PN H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:810000
商品特性 • 开关电路、反相器、接口电路、驱动电路 • 单封装内集成两个（电流）内部隔离的NPN/PNP晶体管 • 内置NPN和PNP偏置电阻（R₁ = 22 kΩ，R₂ = 22 kΩ） • 无铅（符合RoHS标准）封装 • 符合AEC Q101标准
ESD1P0RFW H6327
2450+批次包装3000pcs/盘
现货数量:68000
描述 RF ESD保护二极管 特性 • RF天线/接口或超高速数据线的ESD/瞬态保护。符合：IEC61000-4-2 (ESD): ± 20 kV (接触)、IEC61000-4-4 (EFT): 40 A (5/50 ns)、IEC61000-4-5 (浪涌): 10 A (8/20 μs)
• 超低电容，典型值 1 pF（每个二极管 0.5 pF）
• 低钳位电压
• 无铅（符合 ROHS）封装
IMYH200R100M1H
25+批次包装240pcs/盘
现货数量:15
描述 采用 TO-247PLUS-4-HCC 封装的 CoolSiC ™ 2000 V 100 mΩ SiC MOSFET 旨在提供更高的功率密度，即使在苛刻的高电压和开关频率条件下也不会影响系统的可靠性。CoolSiC ™技术的低功耗得益于 2000 V 优化封装中的 .XT 互连技术，从而提高了可靠性，可在串式逆变器、太阳能优化器、电动汽车充电和储能系统等应用中实现最高效率。 特性 • VDSS = 2000 V，适用于高直流母线
• 高达 1500 VDC
• 极低的开关损耗
• 基准栅极阈值电压
• VGS(th) = 4.5 V
• 用于硬换向的坚固二极管
• .XT 互连技术
• 提高了湿度耐受性
• 创新的 HCC 封装，具有
• 14 mm 爬电距离
• 5.5 mm 电气间隙 应用 • 储能系统
BFR193 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:50000
描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低噪声、高增益放大器，频率高达 2 GHz
• 适用于线性宽带放大器
• fT = 8 GHz，NFmin = 1 dB（频率 900 MHz）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
ESD259-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:30000
描述 翻译 Low Clamping Voltage Bi Directional ESD/ Transient Protection DiodeTVS (transient voltage suppressor) 特性 翻译 ·ESD/transient protection according to: ·IEC61000-4-2 (ESD): ±15 kV (air/contact discharge)
·IEC61000-4-4 (EFT): ±2.5 kV/±50 A (5/50 ns)
·IEC61000-4-5 (Surge): ±2.5 A (8/20 μs)
·Bi-directional working voltage up to: VRWM = ±16 V
·Line capacitance: CL = 4.2 pF (typical) at f = 1 MHz
·Optimized RF-linearity performance
·Ultra Low Dynamic Resistance RDYN = 0.29 Ω typical
·Small form factor SMD size 0201, low profile (0.58 mm x 0.28 mm x 0.15 mm)
·Pb-Free(RoHS compliant) and halogen free package
应用 翻译 Audio line, speaker, headset, microphone
Keypad, touchpad, buttons, convenience keys
LCD displays, camera, audio lines, mobile communication, consumer products (E-Book, MP3, DVD, DSC...)
Notebooks tablets and desktop computers and their peripherals
ESD249-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:30000
商品特性
静电放电（ESD）/瞬态保护符合以下标准：
IEC61000-4-2（ESD）：±16 kV（空气放电/接触放电）
IEC61000-4-4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2.5 kV / ±50 A（5/50 ns）
IEC61000-4-5（浪涌）：±3 A（8/20 μs）
双向工作电压最高可达：VRWM = ±18 V
线路电容：在f = 1 MHz时，CL = 4.2 pF（典型值）
钳位电压：在ITLP = 16 A且RDYN = 0.27 Ω（典型值）时，VCL = 23.5 V（典型值）
极低的反向电流：IR < 1 nA（典型值）
小尺寸贴片封装0201，外形低矮，尺寸为0.58 mmx0.28 mmx0.15 mm
双向对称的电流/电压（I/V）特性，便于优化设计/组装
无铅（符合RoHS标准）且无卤封装
应用领域
用于音频、耳机和人体数字接口中高灵敏度集成电路（IC）/专用集成电路（ASIC）的静电放电保护
为小型化现代电子产品提供节省空间和高性能的专用解决方案
ESD239-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:45000
商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流-电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护： • IEC61000-4-2（ESD）：±16 kV（空气放电）/ ±16 kV（接触放电） • IEC61000-4-4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：V_WM = ±22 V • 线路电容：在f = 1 MHz时，C_L = 3.2 pF • 钳位电压：在I_TLP = 16 A且R_dyn = 0.27 Ω时，V_cl = 26.5 V • 极低的泄漏电流：I_L = 1 nA • 小型表面贴装器件（SMD）尺寸0201，薄型封装（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合RoHS标准 应用领域 • 移动设备的电源线、USB Type-C 总线（Vbus）线路、快速充电 • 无线充电、近场通信（NFC）、音频线路
ESD120-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:30000
描述 双向、2.1 V、0.28 pF、0201、符合 RoHS 和无卤素标准 特性 • ESD/瞬态保护符合以下标准：
• IEC61000-4-2 (ESD): ±15/±15 kV（空气/接触放电）
• IEC61000-4-4 (EFT): ±1.5 kV / ±30 A (5/50 ns)
• IEC61000-4-5 (Surge): ±1.5 A (8/20 μs)
• 双向工作电压高达：VWM = ±2.1 V
• 线路电容：CL = 0.28 pF（典型值），f = 1 MHz
• 钳位电压：VCL = 19 V（典型值），ITLP = 16 A，RDYN = 0.94 Ω（典型值）
• 极低的反向电流：IR = 1 nA（典型值）
• 小尺寸 SMD 封装0201 和薄型（0.58 毫米 x 0.28 毫米 x 0.15 毫米）
• 双向和对称 I/V 特性，可优化设计/组装 应用 • 移动设备和智能手机解决方案
BGS12PN10 E6327
25+批次包装7500pcs/盘
现货数量:64700
描述 BGS12PN10 是单刀双掷 (SPDT) 高线性度、高功率射频开关针对高达 6.0 GHz 的移动电话应用进行了优化。该单电源芯片集成了片上 CMOS 逻辑，由简单的 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同，0.1 dB 压缩点超出了开关最大输入功率水平，从而导致所有信号电平均具有线性性能，并且仅当外部施加直流电压时才需要射频端口上的外部直流阻断电容器。BGS12PN10 可实现UL（B1 + B3）、（B2 + B4）、DL-CA（B4 + B12）和 SV-LTE（B5 + B13）的关键频段组合。该设备可处理高达 38 dBm 的极高发射信号电平，同时表现出低损耗以节省电池电量。超高线性度器件对系统灵敏度。例如，整个射频前端的线性度增加 3 dBm，可实现 6 dB 更好的信噪比。因此， 数据速率提高了 40%，例如从 20 Mbps（QAM16 4/5）提高到 33 Mbps（QAM64 4/5）。BGS12PN10 代表一流的 ISO 和 IL所有频率下的性能。 特性 • 最高射频功率：38 dBm
• 两个超低损耗端口：
• 0.17 dB @ f=0.9 GHz，PIN=38dBm
• 0.22 dB @ f=1.9 GHz，PIN=38dBm
• 0.26 dB @ f=2.7 GHz，PIN=33dBm
• 0.37 dB @ f=3.6 GHz，PIN=33dBm
• 0.68 dB @ f=5.8 GHz，PIN=33dBm
• 如果射频端口上未施加外部直流电，则无需直流去耦元件
• 高 ESD 稳健性
• 低谐波产生
• 高线性度：75dBm IIP3
• 无需电源阻断
• 电源电压范围： 1.8 至 3.6V
• 电源电压范围内无插入损耗变化
• 电源电压范围内线性度无变化
• 0.5 至 6.0 GHz 覆盖范围
• 小尺寸 1.1 mm x 1.5 mm
• 400 µm 焊盘间距
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 翻译 • 27nH shunt inductor
BAT15-04W H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:156000
描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-04W 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 1.4 nH(typical)
• Low capacitance C = 0.3 pF(typical)at 1 MHz
• Industry standard SOT323-3 package(2 mm x 2.1 mm x 0.9 mm)
• Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 翻译 • For mixers and detectors in:
BFR360L3 E6765
25+批次包装15000pcs/盘、
现货数量:123000
描述
NPN硅射频晶体管
特性
• 低电压/低电流操作
• 适用于低噪声放大器
• 适用于高达 3.5 GHz 且 Pout > 10 dBm 的振荡器
• 低噪声系数：1.8 GHz 时为 1.0 dB
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BCR401U E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:33000
描述 BCR401U 线性 LED 驱动器 IC 专为驱动通用和汽车照明应用中的低功率 LED 而设计。 特性 • LED 驱动电流预设为 10 mA
• 输出电流可调
• 电源电压高达 40 V
• PNP 晶体管功率级
• 可通过外部晶体管进行 PWM 调光
• 功耗高达 750 mW
• 符合 AEC Q101 要求 应用 • 高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 和自动驾驶 (AD)
BBY57-02V H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:28500
描述 硅调谐二极管 特性 • 出色的线性度
• 高 Q 值超突变调谐二极管
• 低串联电阻
• 高电容比
• 专为移动通信设备中 VCO 的低调谐电压操作而设计
• 适用于 TCXO 和 VCXO 等控制元件
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BBY65-02V H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:21000
描述
硅调谐二极管
特性
• 高 Q 值超突变调谐二极管
• 极低的电容扩展
• 专为移动通信设备中 VCO 的低调谐电压操作而设计
• 适用于 TCXOS 和 VCXOS 等低频控制元件
• 高电容比和良好的 CV 线性度
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
ESD203-B1-02ELS E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:5000
商品特性 • 单条数据/Vbus 线的 ESD/瞬态/浪涌保护性能超标准 • IEC61000-4-2（ESD）：±30 kV（空气/接触放电） • IEC61000-4-4（EFT）：±50 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±5 A（8/20 μs） • 双向对称工作电压：VRWM = ±13.2 V • 低电容：CL = 6 pF（典型值） • 极低的 ESD 钳位电压，极低的动态电阻：RDYN = 0.29 Ω（典型值） • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • 键盘、触摸板、按钮、音频线等的 ESD 保护
IPP055N08NF2S
25+批次包装1000pcs/盘
现货数量:5000
描述
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 80 V 具有 5.5 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比，IPP055N08NF2S 的 RDS(on) 降低了 40%，Qg 提高了 40%。
特性
• 可从分销合作伙伴处获取
• 卓越的性价比
• 适用于高和低开关频率
• 行业标准尺寸封装
• 高额定电流
• 可进行波峰焊
应用
• 汽车车载主机
ESD231-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
25+批次包装3000pcs/盘
商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流 - 电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±30 kV（空气放电）/ ±30 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±4 kV / ±80 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±12 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：VWM = ±5.5 V • 线路电容：在f = 1 MHz时，CL = 3.5 pF • 钳位电压：在ITLP = 16 A且Rdyn = 0.3 Ω时，Vcl = 12 V • 极低的漏电流：IL = 1 nA • 小尺寸贴片封装0201，低外形（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合RoHS标准 应用领域 • 低速USB线（D+/D-、CC/SBU）、移动产业处理器接口（MIPI）、SD卡、SIM卡 • 键盘、触摸板、按钮、便捷按键、液晶显示器、摄像头、音频线
ESD217-B1-02EL E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:15000
商品特性 • 静电放电（ESD）/瞬态保护符合以下标准： • IEC61000-4-2（ESD）：±30 kV（空气放电），±25 kV（接触放电） • IEC61000-4-4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±3 kV / ±60 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 非对称、双向工作电压最高可达 VRWM = +14 V / -8 V • 低电容：CL = 9 pF（典型值） • 低钳位电压：在 ITLP = 16 A 时，VCL = 26 V（典型值） • 极低反向电流：IR < 1 nA（典型值） • 超低动态电阻：RDYN = 0.2 Ω（典型值） • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • USB 2.0、10/100 以太网、火线（Firewire）、数字视频接口（DVI） • 移动通信 • 消费类产品（标准电话（STD）、MP3、DVD、数码相机（DSC）等） • 液晶显示器（LCD）、相机 • 笔记本电脑和台式电脑及其外设
ESD132-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:15000
商品概述 这款英飞凌瞬态电压抑制器（TVS）器件具有双向对称的 I / V 特性，便于优化设计和组装。 商品特性 • 符合以下标准的 ESD / 瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±30 kV（空气放电）/ ±30 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（EFT）：±4 kV / ±80 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±9 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：VWM = ±5.5 V • 线路电容：f = 1 MHz 时，CL = 0.45 pF • 钳位电压：ITLP = 16 A 且 Rdyn = 0.2 Ω 时，Vcl = 7 V • 极低漏电流：IL = 100 nA（最大值） • 小尺寸 SMD 0201 封装，薄型设计（0.58x0.28x0.15 mm³） 应用领域 • USB 3.0 / 3.1 / 3.2 Gen 1 • DVI、HDMI、Display Port
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