共 221 款产品
BGS14M8U9 E6327
25+批次包装4500pcs/盘
现货数量:58000
描述 BGS14M8U9 是一款单刀四掷 (SP4T) 大功率开关，采用紧凑型 9 引脚封装 (1.1 x 1.1 mm2)。该设备针对 5G 和其他高达 7.125 GHz 的蜂窝应用进行了优化。BGS14M8U9 具有低插入损耗、高隔离度、高线性度和高功率处理能力，非常适合 5G 和 LTE 4G 应用，例如 5G SRS、上行链路载波聚合和高功率用户设备（HPUE 2 类）。 特性 • 39 dBm 功率处理能力
• 1.3 µs 快速切换速度
• 工作频率高达 7.125 GHz，可满足最新的 5G 要求
• 完全兼容 MIPI 2.1 RFFE 标准，具有 2 个 USID
• 单 VIO 电源支持 1.2 V 和 1.8 V
• 端口间高隔离
• 无需电源去耦
• 如果 RF 线路上未施加直流电，则无需隔直电容
• 高 EMI 稳健性
• 超薄无铅塑料封装（MSL-3，260 C，符合 IPC/JEDEC J-STD-20 标准） 应用 翻译 • 5G and 4G Cellular handsets and cellular modems
BGS13SN8 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:60000
描述 BGS13SN8 是一款单刀三掷 (SP3T) 天线开关，适用于 2.4 GHz WiFi、蓝牙和蜂窝应用。它具有低插入损耗、高隔离度和低谐波失真的特点。BGS13SN8 采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，具有 GaAs 的性能、传统 CMOS 的经济性和集成性，包括固有的更高的 ESD 稳健性。 特性 • 适用于 WiFi、蓝牙和蜂窝应用
• 快速切换速度
• 高达 30 dBm 输入功率的高线性度
• 低插入损耗和高端口间隔离
• 低功耗
• 通用输入输出 (GPIO) 接口
• 片上控制逻辑包括 ESD 保护
• 如果 RF 线路上未施加直流电，则无需隔直电容
• 1.1 mm x 1.1 mm，高度为 0.375 mm
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 • 医疗可穿戴设备
BGS13S4N9 E6327
2351+批次包装15000pcs/盘
现货数量:140600
描述 BGS13S4N9 RF MOS 开关专为手机和移动应用而设计。3 个端口中的任何一个都可以用作分集天线的终端，处理功率高达 30 dBm。它具有出色的 1kV ESD 耐受性。该 SP3T 具有低插入损耗和高抗天线端口干扰信号的鲁棒性，并且在终端模式下具有低谐波产生。片上控制器集成了 CMOS 逻辑和电平转换器，由 1.35 V 至 VDD 的控制输入驱动。BGS13S4N9 射频开关采用英飞凌专利的 CMOS 技术制造，具有 GaAs 的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成性。 特性 • 3 条高线性 TRx 路径，功率处理能力高达 30 dBm
• 小尺寸 1.1 x 1.1 mm2 x 0.375 mm
• 低插入损耗 @2.7GHz 0.55 dB
• 低谐波产生
• 高端口间隔离
• 0.1 至 3.0 GHz 覆盖范围
• 片上控制逻辑，包括 ESD 保护
• GPIO 控制接口
• 无需电源阻断
• 高 EMI 稳健性
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装
BGS13S2N9
1528+批次包装1000pcs/盘
现货数量:800
商品特性
3条高线性收发（TRx）路径，功率处理能力高达30 dBm
低插入损耗
低谐波产生
高端口间隔离度
适用于EDGE、CDMA2000、LTE、WCDMA应用
覆盖0.1至3.0 GHz
若射频线路上不施加直流电压，则无需去耦电容
片上控制逻辑，包括ESD保护
通用输入输出（GPIO）接口
小尺寸封装：1.1 mm×1.1 mm×0.375 mm
无需电源阻隔
高电磁干扰（EMI）鲁棒性
符合RoHS和WEEE标准的封装
应用领域
手机
移动应用
BGS12WN6 E6327
25+批次包装120000pcs/盘
现货数量:131000
描述 BGS12WN6 是一款宽带 SPDT RF 开关，适用于各种无线系统，包括 WiFi \BT、UWB 和蜂窝系统。它的高线性度性能和低插入损耗使其成为切换发射信号的理想选择，例如作为 Tx\Rx 开关或天线分集开关。集成的片上 CMOS 逻辑允许直接连接到数字控制引脚，无需额外的接口电路，从而简化系统设计并减少元件数量。隔离端口是反射短路。该设备灵活的电压供应和控制使其能够轻松适应不同的应用和用例。BGS12WN6 采用英飞凌专有的 RF CMOS 技术制造。该设备采用微型封装，特别适合 PCB 空间至关重要的应用，可实现可用电路板空间的最佳利用。 特性 • 频率范围：0.05 至 9 GHz
• 小尺寸：0.7 × 1.1 mm2，超薄外形，最大高度：0.375 mm
• 快速切换速度
• 低插入损耗，高达 9 GHz 的端口间隔离
• 射频输入功率高达 30 dBm
• 低电流消耗
• 如果射频线路上未施加直流电，则无需隔直电容
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 • 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)
BGS12SN6 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:6380
描述 翻译 The BGS12SN6 RF MOS switch is specifically designed for WLAN and Bluetooth applications. Any of the 2 ports can be used as termination of the diversity antenna handling up to 30 dBm.
This single supply chip integrates on-chip CMOS logic driven by a simple, single-pin CMOS or TTL compatible control input signal. The 0.1 dB compression point exceeds the switch’s maximum input power level, resulting in linear performance at all signal levels. The RF switch has a very low insertion loss of 0.25 dB in the 1 GHz and 0.29 dB in the 2.5 GHz range.
Unlike GaAs technology, external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally.
The BGS12SN6 RF switch is manufactured in Infineon’s patented MOS technology, offering the performance of GaAs with the economy and integration of conventional CMOS including the inherent higher ESD robustness.
The device has a very small size of only 0.7x1.1mm2 and a maximum height of 0.375 mm. 特性 • 高开关速度，非常适合 WLAN 和蓝牙应用
• 所有端口均为双向端口
• 低插入损耗
• 低谐波产生
• 高端口间隔离
• 0.1 至 6 GHz 覆盖范围
• 高 ESD 稳健性
• 片上控制逻辑
• 超小型无铅无卤素封装 TSNP-6-2 (0.7x1.1mm2)，高度仅为 0.375 mm
• 如果 RF 线路上未施加直流电，则无需去耦电容
• 符合 RoHS 标准的封装
• 2 个高线性度 TRx 路径，功率处理能力高达 30 dBm
BGS12P2L6 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:179000
描述 BGS12P2L6 是一款通用高功率 SPDT 开关，旨在覆盖 0.05 至 6 GHz 的广泛应用，因此非常适合 5G sub-6 GHz。其出色的射频性能优化了LTE/5G手机的发射路径（TRx）。该芯片集成了片上 CMOS 逻辑，由简单的单引脚 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同，仅当外部施加直流电压时才需要在 RF 端口使用外部直流阻断电容器。BGS12P2L6 射频开关采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，具有 GaAs 的性能、传统 CMOS 的经济性和集成性，包括固有的更高的 ESD 稳健性。该器件尺寸非常小，仅为 0.7 x 1.1 mm2，最大高度为 0.31 mm。 特性 • RF CMOS SPDT 射频开关，功率处理能力高达 37 dBm
• 适用于多模 LTE 和 5G 应用
• 低插入损耗和谐波产生
• 0.05 至 6 GHz 覆盖范围
• 高端口间隔离
• 如果射频线路上未施加直流电，则无需隔直电容
• 片上控制逻辑
• 无铅无卤素封装 TSLP-6-4
• 尺寸：0.7 x 1.1 mm2，厚度为 0.31 mm
• 无需电源去耦
• 高 EMI 稳健性
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装
BGB741L7ESD E6327
25+批次包装75000pcs/盘
现货数量:15000
描述 BGB741L7ESD 是一款基于英飞凌硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术的高性能宽带低噪声放大器 (LNA) MMIC。 特性 • 最小噪声系数 NFmin = 1.05 dB（2.4 GHz、3 V、10 mA）
• 电源电压范围 VCC = 1.8 至 4.0 V（TA = 25 °C）
• 高 RF 输入功率稳定性：20 dBm
• 集成 ESD 保护：所有引脚均为 2 kV HBM 应用 • 用于 ADAS 和自动驾驶的域控制器
BGB707L7ESD E6327
25+批次包装7500pcs/盘
现货数量:15000
描述 BGB707L7ESD 是一款基于英飞凌硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术的高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC。 特性 • 最小噪声系数 NFmin = 0.6 dB（2.4 GHz、3 V、3 mA）
• 电源电压 VCC = 1.8 V 至 4.0 V（TA = 25 °C）
• 集成 ESD 保护：所有引脚均为 2 kV HBM 应用 • 电动汽车充电
BGA824N6 E6329
25+批次包装120000pcs/盘
现货数量:600000
描述 BGA824N6 是一款适用于 1550 MHz 至 1615 MHz 全球导航卫星系统 (GNSS)（例如 GPS、GLONASS、北斗、伽利略等）的前端低噪声放大器。在第 3 章描述的应用配置中，LNA 提供 17.0 dB 增益和 0.55 dB 噪声系数，电流消耗为 3.8 mA（参见数据表）。BGA824N6 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.6 V。 特性 • 高插入功率增益：17.0 dB
• 带外输入三阶截取点：+7 dBm
• 输入 1 dB 压缩点：-6 dBm
• 低噪声系数：0.55 dB
• 低电流消耗：3.8 mA
• 工作频率：1550 - 1615 MHz
• 电源电压：1.5 V 至 3.3 V
• 数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
• 超小型 TSNP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm
• B7HF 硅锗技术
• RF 输出内部匹配至 50 Ω
• 仅需 1 个外部 SMD 元件
• 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装应用
BGA824N6 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:185000
描述 BGA824N6 是一款适用于 1550 MHz 至 1615 MHz 全球导航卫星系统 (GNSS)（例如 GPS、GLONASS、北斗、伽利略等）的前端低噪声放大器。在第 3 章描述的应用配置中，LNA 提供 17.0 dB 增益和 0.55 dB 噪声系数，电流消耗为 3.8 mA（参见数据表）。BGA824N6 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.6 V。 特性 • 高插入功率增益：17.0 dB
• 带外输入三阶截取点：+7 dBm
• 输入 1 dB 压缩点：-6 dBm
• 低噪声系数：0.55 dB
• 低电流消耗：3.8 mA
• 工作频率：1550 - 1615 MHz
• 电源电压：1.5 V 至 3.3 V
• 数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
• 超小型 TSNP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm
• B7HF 硅锗技术
• RF 输出内部匹配至 50 Ω
• 仅需 1 个外部 SMD 元件
• 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装应用
BGA7L1BN6 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:15000
描述 BGA7L1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，其频率范围覆盖 716 MHz 至 960 MHz，工作电源电压为 1.5 V 至 3.3 V。该器件具有单线双态控制（旁路和高增益模式），可通过关闭 Vcc 来启用关闭状态。 特性 • 插入功率增益：13.6 dB
• 低噪声系数：0.75 dB
• 低电流消耗：4.9 mA
• 旁路模式下的插入损耗：-2.2 dB
• 工作频率：716 - 960 MHz
• 双态控制：旁路和高增益模式
• 电源电压：1.5 V 至 3.6 V
• 数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
• 超小型 TSNP-6-2 无铅封装（占用空间：0.7 x 1.1 mm2）
• B7HF 硅锗技术
• 射频输出内部匹配至 50 Ω
• 仅需 1 个外部 SMD 元件
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BGA729N6 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量;600
描述 BGA729N6 是一款宽带低功耗低噪声放大器 (LNA) MMIC，适用于便携式和移动电视应用，其频率范围覆盖 70 MHz 至 1000 MHz。在应用配置中，LNA 在 6.0 mA 的电流消耗下提供 16.3 dB 增益和 1.1 dB 噪声系数。在旁路模式下，LNA 提供 -4.0dB 的插入损耗。BGA729N6 基于英飞凌科技 B7HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.3 V。 特性 • 插入功率增益：16.3 dB
• 旁路模式下的插入损耗：-4.0 dB
• 低噪声系数：1.1 dB / 高增益/旁路模式下 4.3 dB
• 低电流消耗：6.0 mA
• 关机功能
• 工作频率：70 -1000 MHz
• 三态控制：关闭、旁路和高增益模式
• 电源电压：1.5 V 至 3.3 V
• 超小型 TSNP-6-2 无引线封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2）
• B7HF 硅锗技术
• 无需外部匹配电感
• 射频输入和输出内部匹配至 50 Ω
• 仅需 2 个外部 SMD 元件
• 2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 移动设备和智能手机解决方案
BGA725L6 E6327
24+批次包装15000pcs/盘
现货数量:10500
描述 BGA725L6 是一款适用于 1550 MHz 至 1615 MHz 全球导航卫星系统 (GNSS)（例如 GPS、GLONASS、北斗、伽利略等）的前端低噪声放大器。在所述应用配置中，LNA 在 3.6 mA 的电流消耗下提供 20.0 dB 增益和 0.65 dB 噪声系数。BGA725L6 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.6 V。 特性 • 高插入功率增益：20.0 dB
• 带外输入三阶截取点：-2 dBm
• 输入 1 dB 压缩点：-15 dBm
• 低噪声系数：0.65 dB
• 低电流消耗：3.6 mA
• 工作频率：1550 - 1615 MHz
• 电源电压：1.5 V 至 3.6 V
• 数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
• 超小型 TSLP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2）
• B7HF 硅锗技术
• RF 输出内部匹配至 50 Ω
• 仅需 1 个外部 SMD 元件
• 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V
BGA715N7 E6327
25+批次包装7500pcs/盘
现货数量:79000
描述 BGA715N7 是一款适用于 1550 MHz 至 1615 MHz 全球导航卫星系统 (GNSS)（例如 GPS、GLONASS、北斗、伽利略等）的前端低噪声放大器。LNA 在应用配置中提供 20 dB 增益、0.7 dB 噪声系数和高线性度性能。电流消耗低至3.3 mA。BGA715N7 基于英飞凌科技的 B7HFM 硅锗技术。其工作电源电压范围为 1.5 V 至 3.3 V。 特性 • 高增益：20 dB
• 低噪声系数：0.7 dB
• 低电流消耗：3.3 mA
• 电源电压：1.5 V 至 3.3 V
• 高输入压缩点：-15.5 dBm（1.8 V 电源电压）
• 高输入第三截取点：-7 dBm（1.8 V 电源电压）
• B7HFM 硅锗技术
• RF 输出内部匹配至 50 Ω
• 外部元件数量少
• 2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
• TSNP-7-1/TSNP-7-2 无铅封装
• 湿度敏感度等级：MSL 1
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BGA622 H6820
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:30000
属性 参数值
商品目录 射频低噪声放大器
工作电压 2.75V
工作电流 5.8mA
增益 15dB
P1dB -16.5dBm
噪声系数 1.05dB
属性 参数值
工作温度 -65℃~+150℃
频率 500MHz~6GHz
输入回波损耗 7dB
输出回波损耗 12dB
IP3 3dBm
功能特性 输入匹配集成；ESD保护；快速使能控制；输出匹配集成
BGA616 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:10500
描述 BGA616 是达林顿配置的宽带匹配通用 MMIC 放大器。它针对 60 mA 的典型电源电流进行了优化。BGA616 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。 特性 • 可级联 50 Ω 增益模块
• 3 dB 带宽：DC 至 2.7 GHz，1.0 GHz 时典型增益为 19.0 dB
• 压缩点 P-1dB = 18 dBm（2.0 GHz 时）
• 噪声系数 F50Ω = 2.60 dB（2.0 GHz 时）
• 绝对稳定
• 70GHz fT - 硅锗技术
• 1 kV HBM ESD 保护（引脚对引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BGA614 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:49000
描述 BGA614 是达林顿配置的宽带匹配通用 MMIC 放大器。它针对 40 mA 的典型电源电流进行了优化。BGA614 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。 特性 • 可级联 50 Ω 增益模块
• 3 dB 带宽：DC 至 2.4 GHz，1.0 GHz 时典型增益为 19 dB
• 压缩点 P-1dB = 12 dBm（2.0 GHz 时）
• 噪声系数 F50Ω = 2.1 dB（2.0 GHz 时）
• 绝对稳定
• 70GHz fT - 硅锗技术
• 1 kV HBM ESD 保护（引脚对引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BGA525N6 E6327
25+批次包装12000pcs/盘
现货数量:33400
描述 BGA525N6 旨在增强 L1/L2/L5 频段的 GNSS 信号灵敏度，尤其是在可穿戴设备和移动蜂窝物联网应用中。由于该LNA具有高增益和超低噪声系数，因此系统灵敏度与传统LNA相比有显著提高。除了标准模式外，BGA525N6 还提供低功耗模式和高增益模式。在低功耗模式下运行时，LNA 消耗的功率不到 2 mW，从而节省宝贵的电池电量，非常适合小型电池供电的 GNSS 设备。在高增益模式下运行，LNA 可提供高达 21 dB 的增益并确保最佳性能和最快的首次修复时间。GPIO 控制接口可直接控制 4 种不同的操作模式。宽带设计确保 1164 至 1615 MHz 范围内的所有 GNSS 信号以相同的匹配方式发挥作用。BGA525N6 可实现具有一个 RF 路径的简化双频 GNSS 系统设计。 特性 • 工作频率：1164 至 1615 MHz
• 多种工作模式，适用于不同应用
• 电流消耗低至 1.5 mA
• 宽电源电压范围：1.1 V 至 3.3 V
• 插入功率增益高达 21 dB
• 噪声系数低至 0.7 dB
• 2 kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
• 宽带设计允许 L1、L2、L5 同时操作
BGA524N6 E6329
25+批次包装12000pcs/盘
现货数量:180000
描述 用于全球导航卫星系统（GNSS）的硅锗低噪声放大器 特性 • 高插入功率增益：19.6 dB
• 带外输入三阶截取点：-4dBm
• 输入 1 dB 压缩点：-12 dBm
• 低噪声系数：0.55 dB
• 极低电流消耗：2.5 mA
• 工作频率：1550 - 1615 MHz
• 电源电压：1.5 V 至 3.3 V
• 数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
• 超小型 TSNP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2）
• B7HF 硅锗技术
• RF 输出内部匹配至 50 Ω
• 仅需 1 个外部 SMD 元件
• 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚）
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
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