共 221 款产品
BCR583 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:96000
描述 PNP硅数字晶体管 特性 • 内置偏置电阻 (R1= 10 kΩ, R2= 10 kΩ)
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 标准
BC846PN H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:33000
描述 NPN/PNP硅AF晶体管阵列 特性 • 高电流增益
• 低集电极-发射极饱和电压
• 单个封装中集成两个（电流）内部隔离的 NPN/PNP 晶体管
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 要求
BBY66-02V H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:150000
描述 硅调谐二极管 特性 • 高电容比
• 高品质因数 (Q) 超突变调谐二极管
• 低串联电阻
• 专为移动通信设备中 VCO 的低调谐电压操作而设计
• 极低的电容扩散
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BAV70 E6327
1933+批次包装3000pcs/盘
现货数0.35订货型号
量:9000
—— 芯片百科 —— 描述 高速开关二极管。 特性 • 适用于高速开关应用
• 共阴极配置
• BAV70S / U：有关卷轴方向，请参见
• 下面的封装信息
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装1)
• 符合 AEC Q101 要求
BAT15-099R E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:18000
描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是硅低势垒 N 型器件，片上带有集成保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-099R 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 2 nH(typical)
• Low capacitance C = 0.29 pF(typical)
• Industry standard SOT143(2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm)
• Pb-free, RoHS compliant and halogen free
BAT15-04R E6152
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:291000
描述 翻译 These Infineon RF Schottky diodes are silicon low barrier N-type devices with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Their low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-04R a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz. 特性 翻译 • Low inductance LS = 1.5 nH(typical)
• Low capacitance C = 0.27 pF(typical)at 1 MHz
• Industry standard SOT23-3 package(2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm)
• Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 翻译 • For mixers and detectors in:
BAT15-02EL E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:150000
描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02EL 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 0.4 nH(typical)
• Low capacitance C = 0.2 pF(typical)at voltage VR = 0 V and frequency f = 1 MHz
• TSLP-2-19 package(1 mm x 0.6 mm x 0.31 mm)with a 0402 foot print
• Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 翻译 • Identity and access management
BAS70 E6327
2126+批次包装3000pcs/盘
0.35订货型号
描述 翻译 General-purpose Schottky diodes in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.
特性 翻译 • High switching speed
• Low leakage current
• High breakdown voltage
• Low capacitance
应用 翻译 • Ultra high-speed switching
• Voltage clamping
BAS52-02V H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:96000
描述 硅肖特基二极管。 特性 • 中等电流整流肖特基二极管
• 200mA 时正向电压低
• 反向电压高
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V
BAS40-07 E6327
2307+批次包装3000pcs/盘
订货型号
描述 硅肖特基二极管 特性 • 用于高速开关的通用二极管
• 电路保护
• 电压钳位
• 高电平检测和混合
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BAR88-02V H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:15000
描述 硅PIN二极管 特性 • 针对手持应用中的低电流天线开关进行了优化
• 非常低的正向电阻（典型值）。1.5 Ω @ /F = 1 mA)
• 频率高于 1 GHz 时，零伏反向偏置下的低电容（典型值）0.28 pF)
• 极低的信号失真
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BAR64-05W H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:60000
描述 这款英飞凌 RF PIN 二极管具有高电压处理能力，损耗低，失真度低。其低正向电阻、低电容和低电感简化了设计，并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 • 电压 VR = 0 V 和频率 f ≥ 1 GHz 时电容 C = 0.25 pF（典型值）极低
• 正向电流 IF = 10 mA 和频率 f = 2.5 GHz 时正向电阻 RF = 2.6 Ω（典型值）
• 低信号失真
• 行业标准 SOT323-3 封装（2.1 mm x 2 mm x 0.9 mm）
• 无铅、符合 RoHS 规定且无卤素 应用 • 消费类电子产品
BAR64-04 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:78000
描述 这款英飞凌 RF PIN 二极管具有高电压处理能力，损耗低，失真度低。其低正向电阻、低电容和低电感简化了设计，并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 • 电压 VR = 0 V 和频率 f ≥ 1 Ghz 时电容 C = 0.22 pF（典型值）极低
• 正向电流 IF = 10 mA 和频率 f = 1 GHz 时正向电阻 RF = 2.5 Ω（典型值）
• 低信号失真
• 行业标准 SOT23-3 封装（2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm）
• 无铅、符合 RoHS 规定且无卤素
BAR64-02EL E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:45000
描述 这款英飞凌 RF PIN 二极管具有高电压处理能力，损耗低，失真度低。其低正向电阻、低电容和低电感简化了设计，并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 翻译 • Low signal distortion, charge carrier lifetime trr = 1.55 µs(typical)
• Ultra low capacitance C = 0.14 pF(typical)at voltage VR = 0 and frequencies f ≥ 1 GHz
• Low forward resistance RF = 2 Ω(typical)at forward current IF = 10 mA and frequency f = 100 MHz
• Low inductance Ls = 0.4 nH(typical)
• TSLP-2-19 package(1 mm x 0.6 mm x 0.31 mm)with a 0402 foot print
• Pb-free, RoHS compliant and halogen-free
BAR63-06W H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:20000
描述 硅PIN二极管 特性 • 用于高速切换射频信号的 PIN 二极管
• 极低的正向电阻（低插入损耗）
• 极低的电容（高隔离度）
• 频率高达 3GHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BAR63-05WH6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:27000
描述 硅PIN二极管 特性 • 用于射频信号高速切换的 PIN 二极管
• 极低的正向电阻（低插入损耗）
• 极低的电容（高隔离度）
• 频率高达 3GHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
BCR562 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:300000PCS
描述 PNP硅数字晶体管 特性 • 内置偏置电阻 (R1= 4.7 kΩ, R2= 4.7 kΩ)
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 要求
BGB741L7ESDE6327
整包数量7500只/盘
26+现货批次
描述
BGB741L7ESD 是一款基于英飞凌硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术的高性能宽带低噪声放大器 (LNA) MMIC。
特性
• 最小噪声系数 NFmin = 1.05 dB（2.4 GHz、3 V、10 mA）
• 电源电压范围 VCC = 1.8 至 4.0 V（TA = 25 °C）
• 高 RF 输入功率稳定性：20 dBm
• 集成 ESD 保护：所有引脚均为 2 kV HBM
应用
• 用于 ADAS 和自动驾驶的域控制器
BFP196WH6327(BFP196WH6327XTSA1)Infineon/英飞凌
25+批次 包装3000pcs/盘
现货数量：30000
描述
NPN硅射频晶体管
特性
• 适用于天线和电信系统中低噪声、低失真宽带放大器，频率高达 1.5 GHz，集电极电流为 20 mA 至 80 mA
• 适用于 DECT 和 PCN 系统的功率放大器
• fT = 7.5 GHz，F = 1.3 dB @ 900 MHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
型号：BFP420H6327XTSA1
批次：26+
盘装：3000pcs
描述
用于高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管
特性
• 适用于高增益低噪声放大器
• 适用于高达 10 GHz 的振荡器
• 噪声系数 F = 1.1 dB (1.8 GHz 时)，Gms = 21 dB (1.8 GHz 时) 非常出色
• 过渡频率 fT = 25 GHz
• 镀金处理，可靠性高
• SIEGET ® 25 GHz fT - Line
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
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