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BGA427H6327(BGA427H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA427 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:2500
描述 翻译 SIEGET ® 25-Technologie 中的 Si-MMIC 放大器 特性 •  可级联 50 Ω 增益模块
•  无条件稳定
•  增益 |S21|2 = 18.5 dB，频率为 1.8 GHz (应用 1)增益 |S21|2 = 22 dB，频率为 1.8 GHz (应用 2)IP3out = +7 dBm @ 1.8 GHz（VD=3V，ID=9.4mA）
• 噪声系数 NF = 2.2 dB @ 1.8 GHz
•  典型器件电压 VD = 2 V 至 5 V
•  反向隔离 > 35 dB（应用 2）
• 无铅（符合 RoHS 标准的）封装

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深圳市圆江科技有限公司（infineon英飞凌代理直供）

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BFP840ESDH6327(BFP840ESDH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP840ESD H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:7400 描述 BFP840ESD 是专为高性能 5 GHz 频段设计的分立异质结双极晶体管 (HBT)。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度 • 高转换频率 fT = 80 GHz，可在高频下实现低噪声系数：例如Nfmin = 0.85 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 6 mA • 高增益 Gms = 22.5 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA • OIP3 = 22 dBm @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA • 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）

1含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BGA427H6327(BGA427H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA427 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:2500 描述 翻译 SIEGET ® 25-Technologie 中的 Si-MMIC 放大器 特性 •  可级联 50 Ω 增益模块 •  无条件稳定 •  增益 |S21|2 = 18.5 dB，频率为 1.8 GHz (应用 1)增益 |S21|2 = 22 dB，频率为 1.8 GHz (应用 2)IP3out = +7 dBm @ 1.8 GHz（VD=3V，ID=9.4mA） • 噪声系数 NF = 2.2 dB @ 1.8 GHz •  典型器件电压 VD = 2 V 至 5 V •  反向隔离 > 35 dB（应用 2） • 无铅（符合 RoHS 标准的）封装

2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAR88-02VH6327(BAR8802VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR88-02V H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:15000 描述 硅PIN二极管 特性 • 针对手持应用中的低电流天线开关进行了优化 • 非常低的正向电阻（典型值）。1.5 Ω @ /F = 1 mA) • 频率高于 1 GHz 时，零伏反向偏置下的低电容（典型值）0.28 pF) • 极低的信号失真 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.65含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAT15-099RE6327(BAT15099RE6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT15-099R E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:18000 描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是硅低势垒 N 型器件，片上带有集成保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-099R 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 2 nH(typical) • Low capacitance C = 0.29 pF(typical) • Industry standard SOT143(2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm) • Pb-free, RoHS compliant and halogen free

3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP640H6327(BFP640H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP640 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:30000 描述 翻译 The BFP640 is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part of Infineon’s established sixth generation transistor family. Its transition frequency fT of 42 GHz and high linearity characteristics at low currents make this device particularly suitable for energy efficiency designs at frequency as high as 8 GHz. It remains cost competitive without compromising on ease of use. 特性 • 高增益低噪声射频晶体管 • 为各种无线应用提供出色的性能 • 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用 •  1.8 GHz 时出色的噪声系数 F = 0.65 dB，6 GHz 时出色的噪声系数 F = 1.2 dB • 高最大稳定增益：1.8 GHz 时 Gms = 24 dB • 镀金处理，可靠性更高 • 70 GHz fT-硅锗技术 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFR380FH6327(BFR380FH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR380F H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:87000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 高线性度低噪声驱动放大器 • 输出压缩点 19.5 dBm @ 1.8 GHz • 适用于高达 3.5 GHz 的振荡器 • 低噪声系数 1.1 dB @ 1.8 GHz • 集电极设计支持 5V 电源电压 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP420H6327XTSA1

型号：BFP420H6327XTSA1 批次：26+ 盘装：3000pcs 描述 用于高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 适用于高增益低噪声放大器 • 适用于高达 10 GHz 的振荡器 • 噪声系数 F = 1.1 dB (1.8 GHz 时)，Gms = 21 dB (1.8 GHz 时) 非常出色 • 过渡频率 fT = 25 GHz • 镀金处理，可靠性高 • SIEGET ® 25 GHz fT - Line • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.35含税参考-现货型号-实单请带接受价
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BFP760H6327(BFP760H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP760 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:42000 描述 BFP760 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 特性 翻译 • 低噪声系数 NFmin = 0.95 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 10 mA • 高增益 Gms = 16.5 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA • OIP3 = 27 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA

0.95含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAS52-02VH6327(BAS5202VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAS52-02V H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:96000 描述 硅肖特基二极管。 特性 • 中等电流整流肖特基二极管 • 200mA 时正向电压低 • 反向电压高 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V

0.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAT15-04RE6152(BAT1504RE6152HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT15-04R E6152 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:291000 描述 翻译 These Infineon RF Schottky diodes are silicon low barrier N-type devices with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Their low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-04R a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz. 特性 翻译 • Low inductance LS = 1.5 nH(typical) • Low capacitance C = 0.27 pF(typical)at 1 MHz • Industry standard SOT23-3 package(2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm) • Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 翻译 • For mixers and detectors in:

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFR360FH6327(BFR360FH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR360F H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:15000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低电流应用的低噪声放大器 • 集电极设计支持 5V 电源电压 • 适用于高达 3.5 GHz 的振荡器 • 1.8 GHz 时低噪声系数 1.0 dB • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.65含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP620H7764(BFP620H7764XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP620 H7764 24+批次包装3000pcs/盘 现货数量:2000 描述 翻译 The BFP620 is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part of Infineon’s established sixth generation transistor family. Its high linearity characteristics and collector design make the device suitable for a wide range of wireless applications. It remains cost competitive without compromising on ease of use. 特性 • 高线性低噪声射频晶体管 • 为各种无线应用提供出色的性能 • 基于英飞凌可靠的高容量 SiGe:C 技术 • 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用 • 集电极设计为低压应用提供了 14.5 dBm OP1dB 的高线性度 • 最大稳定增益：1.8 GHz 时 Gms = 21.5 dB，6 GHz 时 Gma = 11 dB • 出色的噪声系数 NFmin = 0.7 dB（1.8 GHz） • 出色的噪声系数 NFmin = 1.3 dB（6 GHz） • 精确的 SPICE GP 模型可实现高效的设计流程 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAT15-02ELE6327(BAT1502ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT15-02EL E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:150000 描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02EL 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 0.4 nH(typical) • Low capacitance C = 0.2 pF(typical)at voltage VR = 0 V and frequency f = 1 MHz • TSLP-2-19 package(1 mm x 0.6 mm x 0.31 mm)with a 0402 foot print • Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 翻译 • Identity and access management

0.55含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFR182WH6327(BFR182WH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR182W H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:20000 描述 NPN 硅射频晶体管，用于集电极电流为 1 mA 至 20 mA 的低噪声、高增益宽带放大器 特性 • 适用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流从 1 mA 到 20 mA • fT = 8 GHz，F = 0.9 dB @ 900 MHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP520H6327(BFP520H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP520 H6327 2133+批次包装3000pcs/盘 现货数量:48000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 低噪声放大器专为低电压应用而设计，适用于 1.2 V 或 1.8 V 电源电压。支持 2.9 V Vcc，具有足够的外部集电极电阻。 • 高由于传输频率高，fT = 45 GHz，高频下增益高，噪声低 • 可用于无绳电话和卫星接收器等 • 无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，带可见引线

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAR64-02ELE6327(BAR6402ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR64-02EL E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:45000 描述 这款英飞凌 RF PIN 二极管具有高电压处理能力，损耗低，失真度低。其低正向电阻、低电容和低电感简化了设计，并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 翻译 • Low signal distortion, charge carrier lifetime trr = 1.55 µs(typical) • Ultra low capacitance C = 0.14 pF(typical)at voltage VR = 0 and frequencies f ≥ 1 GHz • Low forward resistance RF = 2 Ω(typical)at forward current IF = 10 mA and frequency f = 100 MHz • Low inductance Ls = 0.4 nH(typical) • TSLP-2-19 package(1 mm x 0.6 mm x 0.31 mm)with a 0402 foot print • Pb-free, RoHS compliant and halogen-free

0.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BAR64-04E6327(BAR6404E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR64-04 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:78000 描述 这款英飞凌 RF PIN 二极管具有高电压处理能力，损耗低，失真度低。其低正向电阻、低电容和低电感简化了设计，并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 • 电压 VR = 0 V 和频率 f ≥ 1 Ghz 时电容 C = 0.22 pF（典型值）极低 • 正向电流 IF = 10 mA 和频率 f = 1 GHz 时正向电阻 RF = 2.5 Ω（典型值） • 低信号失真 • 行业标准 SOT23-3 封装（2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm） • 无铅、符合 RoHS 规定且无卤素

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFR193WH6327(BFR193WH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR193W H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:24000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低噪声、高增益放大器，频率高达 2 GHz • 适用于线性宽带放大器 • fT = 8 GHz，NFmin = 1 dB（频率 900 MHz） • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BC846PNH6327(BC846PNH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BC846PN H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:33000 描述 NPN/PNP硅AF晶体管阵列 特性 • 高电流增益 • 低集电极-发射极饱和电压 • 单个封装中集成两个（电流）内部隔离的 NPN/PNP 晶体管 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 • 符合 AEC Q101 要求

0.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAS70E6327(BAS70E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAS70 E6327 2126+批次包装3000pcs/盘 0.35订货型号 描述 翻译 General-purpose Schottky diodes in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. 特性 翻译 • High switching speed • Low leakage current • High breakdown voltage • Low capacitance 应用 翻译 • Ultra high-speed switching • Voltage clamping

0.35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BAR63-06WH6327(BAR6306WH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR63-06W H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:20000 描述 硅PIN二极管 特性 • 用于高速切换射频信号的 PIN 二极管 • 极低的正向电阻（低插入损耗） • 极低的电容（高隔离度） • 频率高达 3GHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BCR583E6327(BCR583E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BCR583 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:96000 描述 PNP硅数字晶体管 特性 • 内置偏置电阻 (R1= 10 kΩ, R2= 10 kΩ) • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 • 符合 AEC Q101 标准

0.7含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAS40-07E6327(BAS4007E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAS40-07 E6327 2307+批次包装3000pcs/盘 订货型号 描述 硅肖特基二极管 特性 • 用于高速开关的通用二极管 • 电路保护 • 电压钳位 • 高电平检测和混合 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP780H6327(BFP780H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP780H6327 19+批次现货数量:500 描述 翻译 The BFP780 is a single stage driver amplifier with high linearity and high power gain. Its output 1dB compression point is 23 dBm. The chip is housed in a halogen-free industry standard package SOT343. The proper die attach with good thermal contact is 100% tested and verified. Same as BFQ790, the device is based on Infineon's reliable and cost effective NPN SiGe technology running in high volume. The collector design allows safe operation with 5 V supply voltage. 特性 翻译 ·High 3rd order intercept point OIP3 of 34 dBm @ 5 V, 90 mA ·High compression point OP1dB of 23 dBm @ 5 V, 90 mA corresponding to 45 % collector efficiency ·Low minimum noise figure of 1.2 dB @ 900 MHz, 5 V, 30 mA ·Single stage, intended for external matching ·High maximum RF input power PRFinmax of 20 dBm ·Safe operation with single 5 V supply ·100% test of proper die attach for reproducible thermal contact ·100% DC and RF tested ·Easy to use large signal compact (VBIC) model in development ·Cost effective NPN SiGe technology running in very high volume ·Easy to use Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free industry standard package SOT343, low RTHJS of 95 K/W 应用 翻译 ·High linearity driver or pre-driver in the transmit chain ·2nd or 3rd stage LNA in the receive chain ·IF or LO buffer amplifier ·Commercial / industrial wireless infrastructure / basestations ·Repeaters ·Automated test equipment ·Cellular, PCS, DCS, UMTS, LTE, CDMA, WCDMA, GSM, GPRS ·WLAN, WiMAX, WLL and MMDS ·ISM, AMR ·UHF television, CATV, DBS

60含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BF776H6327(BF776H6327XTSA1）品牌Infineon(英飞凌)

BF776 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:120000 描述 高性能 NPN 双极射频晶体管 特性 • 高性能低噪声放大器 • 典型值最低噪声系数低。0.8 dB @ 1.8 GHz • 适用于各种非汽车应用，例如 WLAN、WiMax、UWB、蓝牙、GPS、SDAR、DAB、LNB、UMTS/LTE 和 ISM 频段 • 易于使用的标准封装，带有可见引线 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.55含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BCR562E6327(BCR562E6327HTSA1)品牌 Infineon(英飞凌)

BCR562 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:300000PCS 描述 PNP硅数字晶体管 特性 • 内置偏置电阻 (R1= 4.7 kΩ, R2= 4.7 kΩ) • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 • 符合 AEC Q101 要求

0.5含税参考--现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BAR64-05WH6327(BAR6405WH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR64-05W H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:60000 描述 这款英飞凌 RF PIN 二极管具有高电压处理能力，损耗低，失真度低。其低正向电阻、低电容和低电感简化了设计，并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 • 电压 VR = 0 V 和频率 f ≥ 1 GHz 时电容 C = 0.25 pF（典型值）极低 • 正向电流 IF = 10 mA 和频率 f = 2.5 GHz 时正向电阻 RF = 2.6 Ω（典型值） • 低信号失真 • 行业标准 SOT323-3 封装（2.1 mm x 2 mm x 0.9 mm） • 无铅、符合 RoHS 规定且无卤素 应用 • 消费类电子产品

0.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BGA524N6E6329(BGA524N6E6329XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA524N6 E6329 25+批次包装12000pcs/盘 现货数量:180000 描述 用于全球导航卫星系统（GNSS）的硅锗低噪声放大器 特性 • 高插入功率增益：19.6 dB • 带外输入三阶截取点：-4dBm • 输入 1 dB 压缩点：-12 dBm • 低噪声系数：0.55 dB • 极低电流消耗：2.5 mA • 工作频率：1550 - 1615 MHz • 电源电压：1.5 V 至 3.3 V • 数字开/关开关（1V 逻辑高电平） • 超小型 TSNP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2） • B7HF 硅锗技术 • RF 输出内部匹配至 50 Ω • 仅需 1 个外部 SMD 元件 • 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚） • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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Infineon

BFP196WH6327(BFP196WH6327XTSA1)Infineon/英飞凌

BFP196WH6327(BFP196WH6327XTSA1)Infineon/英飞凌 25+批次 包装3000pcs/盘 现货数量：30000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于天线和电信系统中低噪声、低失真宽带放大器，频率高达 1.5 GHz，集电极电流为 20 mA 至 80 mA • 适用于 DECT 和 PCN 系统的功率放大器 • fT = 7.5 GHz，F = 1.3 dB @ 900 MHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

参考价0.6含税 -现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BFR340FH6327(BFR340FH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR340F H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:3000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 通用低噪声放大器 • 非常适合低电流操作 • 高击穿电压使其能够在汽车应用中运行 • 最小噪声系数 1.0 dB @ 1mA,1.5V,1.9GHz • 小型封装尺寸为 1.2 x 1.2 mm2，带可见引线 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BFP740H6327(BFP740H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP740 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:156000 描述 BFP740 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 特性 翻译 • 低噪声系数 NFmin = 0.85 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 6 mA • 高增益 Gms = 19.5 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA • OIP3 = 24.5 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA

0.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP842ESDH6327(BFP840ESDH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP842ESD H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:89000 描述 BFP842ESD 是一款高性能 RF 异质结双极晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能，适用于 2.3 - 3.5 GHz LNA 应用。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 16 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度 • 高转换频率 fT = 57 GHz 可在高频下实现最佳的噪声性能：NFmin = 0.65 dB @ 3.5 GHz，2.5 V，5 mA • 高增益 Gma = 17.5 dB @ 3.5 GHz，2.5 V，15 mA • OIP3 = 25.5 dBm @ 3.5 GHz，2.5 V，15 mA • 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻

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Infineon

BGB741L7ESDE6327(BGB741L7ESDE6327XTSA1) 品牌 : Infineon(英飞凌)

BGB741L7ESDE6327 整包数量7500只/盘 26+现货批次 描述 BGB741L7ESD 是一款基于英飞凌硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术的高性能宽带低噪声放大器 (LNA) MMIC。 特性 • 最小噪声系数 NFmin = 1.05 dB（2.4 GHz、3 V、10 mA） • 电源电压范围 VCC = 1.8 至 4.0 V（TA = 25 °C） • 高 RF 输入功率稳定性：20 dBm • 集成 ESD 保护：所有引脚均为 2 kV HBM 应用 • 用于 ADAS 和自动驾驶的域控制器

2.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BBY66-02VH6327(BBY6602VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BBY66-02V H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:150000 描述 硅调谐二极管 特性 • 高电容比 • 高品质因数 (Q) 超突变调谐二极管 • 低串联电阻 • 专为移动通信设备中 VCO 的低调谐电压操作而设计 • 极低的电容扩散 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

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BFP183E7764(BFP183E7764HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP183 E7764 2427+批次包装3000pcs/盘 现货数量:57000 —— 技术参数 —— fT 8 GHz Gmax 22 dB @900 MHz ICmax 65 mA NFmin 0.90 dB @900 MHz OIP3 26.5 dBm Ptot 250 mW VCEOmax 12 V

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英飞凌

BAV70E6327(BAV70E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAV70 E6327 1933+批次包装3000pcs/盘 现货数0.35订货型号 量:9000 —— 芯片百科 —— 描述 高速开关二极管。 特性 • 适用于高速开关应用 • 共阴极配置 • BAV70S / U：有关卷轴方向，请参见 • 下面的封装信息 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装1) • 符合 AEC Q101 要求

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BGA525N6E6327(BGA525N6E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA525N6 E6327 25+批次包装12000pcs/盘 现货数量:33400 描述 BGA525N6 旨在增强 L1/L2/L5 频段的 GNSS 信号灵敏度，尤其是在可穿戴设备和移动蜂窝物联网应用中。由于该LNA具有高增益和超低噪声系数，因此系统灵敏度与传统LNA相比有显著提高。除了标准模式外，BGA525N6 还提供低功耗模式和高增益模式。在低功耗模式下运行时，LNA 消耗的功率不到 2 mW，从而节省宝贵的电池电量，非常适合小型电池供电的 GNSS 设备。在高增益模式下运行，LNA 可提供高达 21 dB 的增益并确保最佳性能和最快的首次修复时间。GPIO 控制接口可直接控制 4 种不同的操作模式。宽带设计确保 1164 至 1615 MHz 范围内的所有 GNSS 信号以相同的匹配方式发挥作用。BGA525N6 可实现具有一个 RF 路径的简化双频 GNSS 系统设计。 特性 • 工作频率：1164 至 1615 MHz • 多种工作模式，适用于不同应用 • 电流消耗低至 1.5 mA • 宽电源电压范围：1.1 V 至 3.3 V • 插入功率增益高达 21 dB • 噪声系数低至 0.7 dB • 2 kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚） • 宽带设计允许 L1、L2、L5 同时操作

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BAR63-05WH6327(BAR6305WH6327XTSA1)品牌；A1Infineon(英飞凌)

BAR63-05WH6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:27000 描述 硅PIN二极管 特性 • 用于射频信号高速切换的 PIN 二极管 • 极低的正向电阻（低插入损耗） • 极低的电容（高隔离度） • 频率高达 3GHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

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BFR92PE6327(BFR92PE6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR92P E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:5000 描述 NPN 硅射频晶体管，适用于高达 2 GHz 的宽带放大器和集电极电流为 0.5 mA 至 20 mA 的快速非饱和开关 特性 • 适用于高达 2 GHz 的宽带放大器和集电极电流为 0.5 mA 至 20 mA 的快速非饱和开关 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 消费类电子产品

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BDP953H6327(BDP953H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BDP953 H6327 25+批次包装1000pcs/盘 现货数量:13000 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 3A 电压 - 集射极击穿（最大值） 100V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） 500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） 100 @ 500mA，1V

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infineon

BFP650H6327(BFP650H6327XTSA1)

品牌：Infineon/英飞凌 批次DC:21+ 整包数量:3000 描述 高线性度低噪声 SiGe:C NPN 射频晶体管 特性 • 适用于所有高达 4.5 GHz 的射频前端的高线性低噪声驱动放大器 • 输出压缩点 OP1dB = 17 dBm（70 mA、3V、2.4 GHz、50Ω 系统） • 输出三阶互调点 OIP3 = 30 dBm（70 mA、3 V、2.4 GHz、50 Ω 系统） • 最大可用增益 Gma = 17.5 dB（70 mA、3V、2.4 GHz） • 最小噪声系数 NFmin = 1 dB（30 mA、3V、2.4 GHz） • 基于英飞凌可靠、大批量 SiGe:C 晶圆技术 • 易于使用的无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，引脚可见

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英飞凌

BFP540ESDH6327(BFP540ESDH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP540ESD H6327 24+批次包装3000pcs/盘 现货数量:12000 描述 用于 ESD 保护高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 出色的 ESD 性能（典型值 1000 V (HBM)） • 出色的 Gms = 21.5 dB • 噪声系数 F = 0.9 dB • 镀金处理，可靠性高 • SIEGET ® 45 - Line • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

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BFP740ESDH6327(BFP740ESDH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP740ESD H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:141000 描述 BFP740ESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：21 dBm 最大 RF 输入功率，集成保护电路带来 2 kV ESD 稳健性 (HBM) • NFmin = 0.65 dB (2.4 GHz 时) 和 0.9 dB (5.5 GHz 时)、3V、6 mA • 高增益 Gms = 25.5 dB (2.4 GHz 时) 和 Gma = 18.5 dB (5.5 GHz 时)、3V、25 mA • OIP3 = 24 dBm (5.5 GHz 时)、3V、25 mA

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