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BCR562E6327(BCR562E6327HTSA1)品牌 Infineon(英飞凌)

BCR562 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:300000PCS
描述 PNP硅数字晶体管 特性 • 内置偏置电阻 (R1= 4.7 kΩ, R2= 4.7 kΩ)
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 要求

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深圳市圆江科技有限公司（infineon英飞凌代理直供）

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BGB741L7ESDE6327(BGB741L7ESDE6327XTSA1) 品牌 : Infineon(英飞凌)

BGB741L7ESDE6327 整包数量7500只/盘 26+现货批次 描述 BGB741L7ESD 是一款基于英飞凌硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术的高性能宽带低噪声放大器 (LNA) MMIC。 特性 • 最小噪声系数 NFmin = 1.05 dB（2.4 GHz、3 V、10 mA） • 电源电压范围 VCC = 1.8 至 4.0 V（TA = 25 °C） • 高 RF 输入功率稳定性：20 dBm • 集成 ESD 保护：所有引脚均为 2 kV HBM 应用 • 用于 ADAS 和自动驾驶的域控制器

2.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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infineon

BFP650H6327(BFP650H6327XTSA1)

品牌：Infineon/英飞凌 批次DC:21+ 整包数量:3000 描述 高线性度低噪声 SiGe:C NPN 射频晶体管 特性 • 适用于所有高达 4.5 GHz 的射频前端的高线性低噪声驱动放大器 • 输出压缩点 OP1dB = 17 dBm（70 mA、3V、2.4 GHz、50Ω 系统） • 输出三阶互调点 OIP3 = 30 dBm（70 mA、3 V、2.4 GHz、50 Ω 系统） • 最大可用增益 Gma = 17.5 dB（70 mA、3V、2.4 GHz） • 最小噪声系数 NFmin = 1 dB（30 mA、3V、2.4 GHz） • 基于英飞凌可靠、大批量 SiGe:C 晶圆技术 • 易于使用的无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，引脚可见

0.8元含税参考-现货型号-实单请带接受价
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Infineon

BFP196WH6327(BFP196WH6327XTSA1)Infineon/英飞凌

BFP196WH6327(BFP196WH6327XTSA1)Infineon/英飞凌 25+批次 包装3000pcs/盘 现货数量：30000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于天线和电信系统中低噪声、低失真宽带放大器，频率高达 1.5 GHz，集电极电流为 20 mA 至 80 mA • 适用于 DECT 和 PCN 系统的功率放大器 • fT = 7.5 GHz，F = 1.3 dB @ 900 MHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

参考价0.6含税 -现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BAV70E6327(BAV70E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAV70 E6327 1933+批次包装3000pcs/盘 现货数0.35订货型号 量:9000 —— 芯片百科 —— 描述 高速开关二极管。 特性 • 适用于高速开关应用 • 共阴极配置 • BAV70S / U：有关卷轴方向，请参见 • 下面的封装信息 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装1) • 符合 AEC Q101 要求

0.35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BBY66-02VH6327(BBY6602VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BBY66-02V H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:150000 描述 硅调谐二极管 特性 • 高电容比 • 高品质因数 (Q) 超突变调谐二极管 • 低串联电阻 • 专为移动通信设备中 VCO 的低调谐电压操作而设计 • 极低的电容扩散 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BAT15-02ELE6327(BAT1502ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT15-02EL E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:150000 描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02EL 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 0.4 nH(typical) • Low capacitance C = 0.2 pF(typical)at voltage VR = 0 V and frequency f = 1 MHz • TSLP-2-19 package(1 mm x 0.6 mm x 0.31 mm)with a 0402 foot print • Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 翻译 • Identity and access management

0.55含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BAR63-05WH6327(BAR6305WH6327XTSA1)品牌；A1Infineon(英飞凌)

BAR63-05WH6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:27000 描述 硅PIN二极管 特性 • 用于射频信号高速切换的 PIN 二极管 • 极低的正向电阻（低插入损耗） • 极低的电容（高隔离度） • 频率高达 3GHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.4含税参考-现货型号-实单请带接受价
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BAT15-04RE6152(BAT1504RE6152HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT15-04R E6152 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:291000 描述 翻译 These Infineon RF Schottky diodes are silicon low barrier N-type devices with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Their low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-04R a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz. 特性 翻译 • Low inductance LS = 1.5 nH(typical) • Low capacitance C = 0.27 pF(typical)at 1 MHz • Industry standard SOT23-3 package(2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm) • Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 翻译 • For mixers and detectors in:

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BAR64-05WH6327(BAR6405WH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR64-05W H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:60000 描述 这款英飞凌 RF PIN 二极管具有高电压处理能力，损耗低，失真度低。其低正向电阻、低电容和低电感简化了设计，并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 • 电压 VR = 0 V 和频率 f ≥ 1 GHz 时电容 C = 0.25 pF（典型值）极低 • 正向电流 IF = 10 mA 和频率 f = 2.5 GHz 时正向电阻 RF = 2.6 Ω（典型值） • 低信号失真 • 行业标准 SOT323-3 封装（2.1 mm x 2 mm x 0.9 mm） • 无铅、符合 RoHS 规定且无卤素 应用 • 消费类电子产品

0.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BC846PNH6327(BC846PNH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BC846PN H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:33000 描述 NPN/PNP硅AF晶体管阵列 特性 • 高电流增益 • 低集电极-发射极饱和电压 • 单个封装中集成两个（电流）内部隔离的 NPN/PNP 晶体管 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 • 符合 AEC Q101 要求

0.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP640H6327(BFP640H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP640 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:30000 描述 翻译 The BFP640 is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part of Infineon’s established sixth generation transistor family. Its transition frequency fT of 42 GHz and high linearity characteristics at low currents make this device particularly suitable for energy efficiency designs at frequency as high as 8 GHz. It remains cost competitive without compromising on ease of use. 特性 • 高增益低噪声射频晶体管 • 为各种无线应用提供出色的性能 • 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用 •  1.8 GHz 时出色的噪声系数 F = 0.65 dB，6 GHz 时出色的噪声系数 F = 1.2 dB • 高最大稳定增益：1.8 GHz 时 Gms = 24 dB • 镀金处理，可靠性更高 • 70 GHz fT-硅锗技术 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAR63-06WH6327(BAR6306WH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR63-06W H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:20000 描述 硅PIN二极管 特性 • 用于高速切换射频信号的 PIN 二极管 • 极低的正向电阻（低插入损耗） • 极低的电容（高隔离度） • 频率高达 3GHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAS52-02VH6327(BAS5202VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAS52-02V H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:96000 描述 硅肖特基二极管。 特性 • 中等电流整流肖特基二极管 • 200mA 时正向电压低 • 反向电压高 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V

0.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP420H6327XTSA1

型号：BFP420H6327XTSA1 批次：26+ 盘装：3000pcs 描述 用于高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 适用于高增益低噪声放大器 • 适用于高达 10 GHz 的振荡器 • 噪声系数 F = 1.1 dB (1.8 GHz 时)，Gms = 21 dB (1.8 GHz 时) 非常出色 • 过渡频率 fT = 25 GHz • 镀金处理，可靠性高 • SIEGET ® 25 GHz fT - Line • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.35含税参考-现货型号-实单请带接受价
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BAR88-02VH6327(BAR8802VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR88-02V H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:15000 描述 硅PIN二极管 特性 • 针对手持应用中的低电流天线开关进行了优化 • 非常低的正向电阻（典型值）。1.5 Ω @ /F = 1 mA) • 频率高于 1 GHz 时，零伏反向偏置下的低电容（典型值）0.28 pF) • 极低的信号失真 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.65含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAS40-07E6327(BAS4007E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAS40-07 E6327 2307+批次包装3000pcs/盘 订货型号 描述 硅肖特基二极管 特性 • 用于高速开关的通用二极管 • 电路保护 • 电压钳位 • 高电平检测和混合 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAR64-04E6327(BAR6404E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR64-04 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:78000 描述 这款英飞凌 RF PIN 二极管具有高电压处理能力，损耗低，失真度低。其低正向电阻、低电容和低电感简化了设计，并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 • 电压 VR = 0 V 和频率 f ≥ 1 Ghz 时电容 C = 0.22 pF（典型值）极低 • 正向电流 IF = 10 mA 和频率 f = 1 GHz 时正向电阻 RF = 2.5 Ω（典型值） • 低信号失真 • 行业标准 SOT23-3 封装（2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm） • 无铅、符合 RoHS 规定且无卤素

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP740H6327(BFP740H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP740 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:156000 描述 BFP740 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 特性 翻译 • 低噪声系数 NFmin = 0.85 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 6 mA • 高增益 Gms = 19.5 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA • OIP3 = 24.5 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA

0.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP540ESDH6327(BFP540ESDH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP540ESD H6327 24+批次包装3000pcs/盘 现货数量:12000 描述 用于 ESD 保护高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 出色的 ESD 性能（典型值 1000 V (HBM)） • 出色的 Gms = 21.5 dB • 噪声系数 F = 0.9 dB • 镀金处理，可靠性高 • SIEGET ® 45 - Line • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAT15-099RE6327(BAT15099RE6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT15-099R E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:18000 描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是硅低势垒 N 型器件，片上带有集成保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-099R 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 2 nH(typical) • Low capacitance C = 0.29 pF(typical) • Industry standard SOT143(2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm) • Pb-free, RoHS compliant and halogen free

3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAS70E6327(BAS70E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAS70 E6327 2126+批次包装3000pcs/盘 0.35订货型号 描述 翻译 General-purpose Schottky diodes in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. 特性 翻译 • High switching speed • Low leakage current • High breakdown voltage • Low capacitance 应用 翻译 • Ultra high-speed switching • Voltage clamping

0.35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BCR562E6327(BCR562E6327HTSA1)品牌 Infineon(英飞凌)

BCR562 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:300000PCS 描述 PNP硅数字晶体管 特性 • 内置偏置电阻 (R1= 4.7 kΩ, R2= 4.7 kΩ) • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 • 符合 AEC Q101 要求

0.5含税参考--现货型号-实单请带接受价
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BAR64-02ELE6327(BAR6402ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR64-02EL E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:45000 描述 这款英飞凌 RF PIN 二极管具有高电压处理能力，损耗低，失真度低。其低正向电阻、低电容和低电感简化了设计，并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 翻译 • Low signal distortion, charge carrier lifetime trr = 1.55 µs(typical) • Ultra low capacitance C = 0.14 pF(typical)at voltage VR = 0 and frequencies f ≥ 1 GHz • Low forward resistance RF = 2 Ω(typical)at forward current IF = 10 mA and frequency f = 100 MHz • Low inductance Ls = 0.4 nH(typical) • TSLP-2-19 package(1 mm x 0.6 mm x 0.31 mm)with a 0402 foot print • Pb-free, RoHS compliant and halogen-free

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BFP620H7764(BFP620H7764XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP620 H7764 24+批次包装3000pcs/盘 现货数量:2000 描述 翻译 The BFP620 is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part of Infineon’s established sixth generation transistor family. Its high linearity characteristics and collector design make the device suitable for a wide range of wireless applications. It remains cost competitive without compromising on ease of use. 特性 • 高线性低噪声射频晶体管 • 为各种无线应用提供出色的性能 • 基于英飞凌可靠的高容量 SiGe:C 技术 • 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用 • 集电极设计为低压应用提供了 14.5 dBm OP1dB 的高线性度 • 最大稳定增益：1.8 GHz 时 Gms = 21.5 dB，6 GHz 时 Gma = 11 dB • 出色的噪声系数 NFmin = 0.7 dB（1.8 GHz） • 出色的噪声系数 NFmin = 1.3 dB（6 GHz） • 精确的 SPICE GP 模型可实现高效的设计流程 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP520H6327(BFP520H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP520 H6327 2133+批次包装3000pcs/盘 现货数量:48000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 低噪声放大器专为低电压应用而设计，适用于 1.2 V 或 1.8 V 电源电压。支持 2.9 V Vcc，具有足够的外部集电极电阻。 • 高由于传输频率高，fT = 45 GHz，高频下增益高，噪声低 • 可用于无绳电话和卫星接收器等 • 无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，带可见引线

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BCR583E6327(BCR583E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BCR583 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:96000 描述 PNP硅数字晶体管 特性 • 内置偏置电阻 (R1= 10 kΩ, R2= 10 kΩ) • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 • 符合 AEC Q101 标准

0.7含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BDP953H6327(BDP953H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BDP953 H6327 25+批次包装1000pcs/盘 现货数量:13000 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 3A 电压 - 集射极击穿（最大值） 100V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） 500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） 100 @ 500mA，1V

2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP183E7764(BFP183E7764HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP183 E7764 2427+批次包装3000pcs/盘 现货数量:57000 —— 技术参数 —— fT 8 GHz Gmax 22 dB @900 MHz ICmax 65 mA NFmin 0.90 dB @900 MHz OIP3 26.5 dBm Ptot 250 mW VCEOmax 12 V

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BF776H632(BF776H6327XTSA1）品牌Infineon(英飞凌)

BF776 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:120000 描述 高性能 NPN 双极射频晶体管 特性 • 高性能低噪声放大器 • 典型值最低噪声系数低。0.8 dB @ 1.8 GHz • 适用于各种非汽车应用，例如 WLAN、WiMax、UWB、蓝牙、GPS、SDAR、DAB、LNB、UMTS/LTE 和 ISM 频段 • 易于使用的标准封装，带有可见引线 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

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