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英飞凌

BDP949H6327(BDP949H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BDP949 H6327 26+批次包装1000pcs/盘 现货数量:20000 —— 技术参数 —— fT 100 MHz hFE 100 to 475 IBMmax 500 mA ICBOmax 100 nA ICmax 3000 mA IC 3000 mA ICMmax 5000 mA Ptotmax 5000 mW VCBOmax 60 V VCE(sat)max 0.5 V VCEOmax 60 V VCE 1 V VEBOmax 5 V Mounting SMT Package P-SOT223-4-10 Polarity NPN (Single)

2.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BAV99SH6327(BAV99SH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAV99S H6327 2310+批次包装3000pcs/盘 现货数量:9000 描述 高速开关二极管。 特性 • 适用于高速开关应用 • 串联对配置 • BAV99S / U：有关卷轴方向，请参见 • 下面的封装信息 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装1) • 符合 AEC Q101 要求

1含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BFP843FH6327(BFP843FH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP843F H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:6000 描述 BFP843F 是一款坚固的低噪声宽带预匹配异质结双极晶体管 (HBT)。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度 • 高转换频率 fT = 60 GHz，可实现最佳的噪声系数：NFmin = 1.1 dB（5.5 GHz、1.8 V、8 mA） • 高增益 Gms = 18 dB（5.5 GHz、1.8 V、15 mA） • OIP3 = 19.5 dBm（5.5 GHz、1.8 V、15 mA） • 非常适合低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻） • 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）

2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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纳微

G3R350MT12D品牌(Navitas(纳微))

G3R350MT12D 23+批次包装30pcs/管 现货数量:10 —— 技术参数 —— VDS(V) 1200 On Resistance 350 ID [25C](A) 10 Package TO-247-3

35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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纳微

G3R20MT12N品牌(Navitas(纳微))

G3R20MT12N 23+批次包装10pcs/袋 现货数量:8 —— 技术参数 —— VDS(V) 1200 On Resistance 20 ID [25C](A) 90 Package SOT-227

300含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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纳微

G3R160MT17JTR品牌(Navitas(纳微))

G3R160MT17J-TR 23+批次包装800pcs/盘 现货数量:900 —— 技术参数 —— VDS(V) 1700 On Resistance 160 ID [25C](A) 18 Package TO-263-7

80含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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纳微

G2R1000MT17J品牌(Navitas(纳微))

G2R1000MT17J 23+批次包装50pcs/袋 现货数量:100 —— 技术参数 —— VDS(V) 1700 On Resistance 1000 ID [25C](A) 5 Package TO-263-7

35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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芯科

EFR32BG22C224F512IM40CR品牌(SKYWORKS/SILICON LABS(芯科))

EFR32BG22C224F512IM40-CR 24+批次包装2500pcs/盘 现货数量:8550 商品概述 EFR32BG22 Wireless Gecko系列片上系统（SoC）是Wireless Gecko产品组合的一部分。EFR32BG22 Wireless Gecko SoC非常适合为物联网设备实现节能型蓝牙5.2网络。 这种单芯片解决方案将76.8 MHz的Cortex - M33处理器与高性能2.4 GHz无线电相结合，为物联网连接应用提供了业界领先的节能型无线SoC。 商品特性 • 32位ARM Cortex - M33内核，最高工作频率76.8 MHz • 高达512 kB的闪存和32 kB的RAM • 节能型无线电内核，具有低工作电流和睡眠电流 • 蓝牙5.2测向功能 • 集成功率放大器（PA），发射功率高达6 dBm（2.4 GHz） • 具备信任根和安全加载器（RTSL）的安全启动功能 • 低功耗无线片上系统 • 高性能32位76.8 MHz ARM Cortex - M33，带有DSP指令和浮点单元，用于高效信号处理 • 2.4 GHz无线电操作 • 2 (G)FSK，具备完全可配置的整形功能 • OQPSK DSSS • (G)MSK • 低功耗蓝牙（蓝牙5.2） • 使用到达角（AoA）和出发角（AoD）进行测向 • 专有协议 • 模数转换器（ADC），12位@ 1 Msps，16位@ 76.9 ksps • 多达26个通用I/O引脚，具备输出状态保持和异步中断功能 • 8通道DMA控制器 • 12通道外设反射系统（PRS） • 4个16位定时器/计数器，每个带有3个比较/捕获/PWM通道 • 1个32位定时器/计数器，带有3个比较/捕获/PWM通道 • 32位实时计数器 • 24位低功耗定时器，用于波形生成 • 1个看门狗定时器 • 2个通用同步/异步收发器（UART/SPI/智能卡（ISO 7816）/IrDA/I2S） • 1个增强型通用异步收发器（EUART） • 2个支持SMBus的I2C接口 • 数字麦克风接口（PDM） • 精密低频RC振荡器，可替代32 kHz睡眠晶体 • 具备选择性OOK模式的RFSENSE • 裸片温度传感器，单点校准后精度为±1.5 ℃ • 1.71至3.8 V单电源供电 • 工作温度范围：-40 ℃至125 ℃ • 硬件加密加速，支持AES128/256、SHA - 1、SHA - 2（最高256位）、ECC（最高256位）、ECDSA和ECDH • 真随机数发生器（TRNG），符合NIST SP800 - 90和AIS - 31标准 • ARM TrustZone • 具备锁定/解锁功能的安全调试 应用领域 • 资产标签和信标 • 消费电子遥控器 • 便携式医疗设备 • 蓝牙Mesh低功耗节点 • 运动、健身和健康设备 • 智能家居 • 楼宇自动化与安防

10含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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芯科

EFR32BG22C224F512IM32CR品牌(SKYWORKS/SILICON LABS(芯科))

EFR32BG22C224F512IM32-CR 25+批次包装2500pcs/盘 现货数量:2200 商品概述 EFR32BG22 Wireless Gecko片上系统（SoC）系列是Wireless Gecko产品组合的一部分。EFR32BG22 Wireless Gecko SoC非常适合为物联网设备实现节能型蓝牙5.2网络。 这款单芯片解决方案将76.8 MHz的Cortex - M33处理器与高性能2.4 GHz无线电相结合，为物联网连接应用提供了业界领先的节能型无线SoC。 商品特性 • 32位ARM Cortex - M33内核，最高工作频率76.8 MHz • 高达512 kB的闪存和32 kB的RAM • 节能型无线电内核，有源和睡眠电流低 • 蓝牙5.2测向功能 • 集成功率放大器（PA），发射功率高达6 dBm（2.4 GHz） • 具备信任根和安全加载器（RTSL）的安全启动功能 • 高性能32位76.8 MHz ARM Cortex - M33，带有DSP指令和浮点单元，可实现高效信号处理 • 2.4 GHz无线电操作 • 125 kbps GFSK调制下灵敏度为 - 106.7 dBm • 1 Mbit/s GFSK调制下灵敏度为 - 98.9 dBm • 2 Mbit/s GFSK调制下灵敏度为 - 96.2 dBm • 发射功率高达6 dBm • 无线电接收电流2.5 mA • 输出功率为0 dBm时，无线电发射电流3.4 mA • 输出功率为6 dBm时，无线电发射电流7.5 mA • 接收电流（1 Mbps GFSK）3.6 mA • 输出功率为0 dBm时，发射电流4.1 mA • 输出功率为6 dBm时，发射电流8.2 mA • 76.8 MHz有源模式（EM0）下每MHz电流为27 μA • EM2深度睡眠电流1.40 μA（32 kB RAM保留且实时时钟（RTC）由低频晶振（LFXO）供电运行） • EM2深度睡眠电流1.75 μA（32 kB RAM保留且RTC由精密低频RC振荡器（Precision LFRCO）供电运行） • EM4电流0.17 μA • 2 (G)FSK，具备完全可配置的整形功能 • OQPSK直接序列扩频（DSSS） • (G)MSK • 低功耗蓝牙（蓝牙5.2） • 使用到达角（AoA）和出发角（AoD）进行测向 • 专有协议 • 模数转换器（ADC）：1 Msps采样率下12位，76.9 ksps采样率下16位 • 多达26个通用输入/输出（GPIO）引脚，具备输出状态保留和异步中断功能 • 8通道直接内存访问（DMA）控制器 • 12通道外设反射系统（PRS） • 4个16位定时器/计数器，每个带有3个比较/捕获/PWM通道 • 1个32位定时器/计数器，带有3个比较/捕获/PWM通道 • 32位实时计数器 • 24位低功耗定时器，用于波形生成 • 1个看门狗定时器 • 2个通用同步/异步收发器（UART/SPI/智能卡（ISO 7816）/红外数据协会（IrDA）/集成电路间音频总线（I2S）） • 1个增强型通用异步收发器（EUART） • 2个支持系统管理总线（SMBus）的I2C接口 • 数字麦克风接口（PDM） • 精密低频RC振荡器，可替代32 kHz睡眠晶体 • 具备选择性开关键控（OOK）模式的射频感测（RFSENSE） • 裸片温度传感器，单点校准后精度为±1.5 ℃ • 1.71 V至3.8 V单电源供电 • 工作温度范围 - 40 ℃至125 ℃ • 硬件加密加速，支持AES128/256、SHA - 1、SHA - 2（最高256位）、椭圆曲线密码学（ECC，最高256位）、椭圆曲线数字签名算法（ECDSA）和椭圆曲线Diffie - Hellman密钥交换（ECDH） • 真随机数发生器（TRNG），符合美国国家标准与技术研究院（NIST）SP800 - 90和德国联邦信息安全办公室（BSI）AIS - 31标准 • ARM TrustZone技术 • 具备锁定/解锁功能的安全调试 应用领域 • 资产标签和信标 • 消费电子遥控器 • 便携式医疗设备 • 蓝牙Mesh低功耗节点 • 运动、健身和健康设备 • 智能家居 • 楼宇自动化与安全系统

10含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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芯科

EFM32ZG210F32QFN32品牌(SILICON/芯科)

EFM32ZG210F32-QFN32 19+批次包装1000pcs/盘 现货数量:706

6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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恩智浦

BGU8051(BGU8051X)品牌NXP，恩智浦

BGU8051 25+批次包装2000pcs/盘 现货数量:9800 描述 翻译 The BGU8051 is, also known as the BTS1001L, a lownoise high linearity amplifier for wireless infrastructure applications, equipped withfast shutdown to support TDD systems. The LNA has a high input and output return lossand is designed to operate between 0.3 GHz and 1.5 GHz. It is housed in a 2 mm x 2 mm x0.75 mm 8-terminal plastic thin small outline package. The LNA is ESD protected on allterminals. 特性 翻译 Low noise performance: NF = 0.43 dB High linearity performance: IP3O = 39 dBm High input return loss > 15 dB High output return loss > 20 dB Unconditionally stable Programmable bias current (via resistor) Small 8-terminal leadless package 2 mm x 2 mm x 0.75 mm ESD protection on all terminals Moisture sensitivity level 1 Fast shut down to support TDD systems 3 V to 5 V single supply 应用 无线基础设施 低噪声和高线性度应用 LTE、W-CDMA、CDMA、GSM 通用无线应用 TDD或FDD系统 适合小型蜂窝

40含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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恩智浦

BGA2802,115品牌(NXP(恩智浦))

BGA2802,115 2101+批次包装3000pcs/盘 现货数量:63000 描述 翻译 Silicon Monolitic Microwave Integrated Circuit (MMIC) wideband amplifier with internalmatching circuit in a 6-pin SOT363 plastic SMD package. 特性 翻译 Internally matched to 50 Ω A gain of 26 dB at 950 MHz Output power at 1 dB gain compression = 1 dBm Supply current = 12.5 mA at a supply voltage of 3.3 V Reverse isolation > 36 dB up to 2 GHz Good linearity with low second order and third order products Noise figure = 4.1 dB at 950 MHz Unconditionally stable (K > 1) No output inductor required 应用 LNB中频放大器 适用于频率范围在直流和2.2 GHz之间的通用低噪声宽带放大器

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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恩智浦

BFU520XR,215品牌(NXP(恩智浦))

BFU520XR,215 1831+批次包装3000pcs/盘 现货数量:73000 描述 翻译 NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pindual-emitter SOT143R package. The BFU520XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal tomedium power applications up to 2 GHz. 特性 翻译 Low noise, high breakdown RF transistor AEC-Q101 qualified Minimum noise figure (NFmin) = 0.65 dB at 900 MHz Maximum stable gain 20 dB at 900 MHz 11 GHz fT silicon technology 应用 要求高电源电压和高击穿电压的应用 高达2 GHz的宽带放大器 针对ISM应用的低噪声放大器 ISM频段振荡器

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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TDK

B82450A7204A000品牌(TDK)

B82450A7204A000 25+批次包装2500pcs/盘 现货数量:10000 —— 技术参数 —— 电感 7.2mH ±3% at 125kHz 工作频率 125kHz Q (Min.) 40 at 125kHz 灵敏度 (Typ.) 52mV/μT at 125kHz 共振频率 (Min.) 1MHz 共振频率 (Min.) 直流电阻 (Max.)

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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亚信

AX88180LF品牌(ASIX(亚信))

AX88180LF 21+批次包装900pcs/盘 现货数量:1600 描述 翻译 The AX88180 is a high-performance and cost-effective non-PCI Gigabit Ethernet controller for various embedded systems including consumer electronics and home network markets that require a higher bandwidth of network connectivity. The AX88180 supports 16/32-bit SRAM-like interface and Gigabit Ethernet MAC, which is IEEE802.3 10Base-T, IEEE802.3u 100Base-T and IEEE802.3ab 1000Base-T compatible. The AX88180 supports full-duplex or half-duplex operation at 10/100/1000Mbps speed with auto-negotiation or manual setting. The AX88180 integrates embedded SRAM for packet buffering to accommodate high bandwidth applications and supports IP/TCP/UDP checksum in hardware to offload processing loading from microprocessor/microcontroller in an embedded system. 特性 翻译 • High-performance non-PCI local bus • Supports 16/32-bit SRAM-like interface(US Patent Approval) • Supports big/little endian data bus type • Supports interrupt with high or low active trigger mode • Highly-integrated Gigabit Ethernet controller Embeds SRAM for packet buffers Supports IP/TCP/UDP checksum offload • Compatible with IEEE802.3, 802.3u, and 802.3ab standards • Supports 10/100/1000Mbps data rate • Supports full duplex operations with 1000Mbps data rate • Supports full and half duplex operations with 10/100Mbps data rate • Supports 10/100/1000Mbps N-way Auto- negotiation operation • Supports 10/100/1000Mbps data rate with RGMII 应用 翻译 • The AX88180, designed with a high-performance RISC CPU, provides a very low cost yet very high-performance embedded networking solution to enable easy and simple LAN or Internet access capability to high-bandwidth multimedia application needs in the Internet era.

55含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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国巨普思

ANT2525B00CT1575S品牌(PULSE(普思))

ANT2525B00CT1575S 25+批次包装200pcs/一拖盘 现货数量:800 —— 技术参数 —— 天线类型 陶瓷天线 中心频点 1.58GHz 峰值增益 4.5dBic 驻波比 1.5

3.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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亚德诺

AD8606ACBZREEL7品牌(ADI(亚德诺))

AD8606ACBZ-REEL7 21+批次包装3000pcs/盘 现货数量:191 商品概述 AD8605、AD8606和AD8608分别是单路、双路和四路、轨到轨输入和输出、单电源放大器，具有极低失调电压、低输入电压和电流噪声以及宽信号带宽等特性。这些放大器采用DigiTrim调整专利技术，无需激光调整便可达到出色的精度。 低失调、低噪声、极低的输入偏置电流和高速度特性相结合，使这些放大器适合各种应用。滤波器、积分器、光电二极管放大器和高阻抗传感器等器件均可受益于这些特性组合。宽带宽和低失真特性则有益于音频和其它交流应用。具体应用包括光学控制环路、便携式和环路供电仪器仪表以及便携式设备的音频放大。 AD8605、AD8606和AD8608的额定温度范围为 -40°C 至 +125°C 扩展工业温度范围。 商品特性 • 低失调电压：65 μV(最大值) • 低输入偏置电流：1 pA(最大值) • 低噪声：8 nV/√Hz • 宽带宽：10 MHz • 高开环增益：1000 V/mV • 单位增益稳定 • 单电源供电：2.7 V至5.5 V • 5引脚WLCSP封装(单路放大器AD8605)和8引脚WLCSP封装(双路放大器AD8606) 应用领域 • 光电二极管放大 • 电池供电仪器仪表 • 多极滤波器 • 传感器 • 条形码扫描器 • 音频

15含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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汉威光电

HWS421品牌(Hexawave(汉威光电))

HWS421 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:7500 —— 技术参数 —— Type SPDT Freq DC-2.0 Insertion Loss 0.4-0.5 Isolation 21.5-27.5 P1dB 38@+3V Package SOT-26

2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

IRFB4310PBF品牌(Infineon(英飞凌))

IRFB4310PBF 2305+批次包装50/一管 现货数量:100 描述 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 特性 • 针对最广泛的可用性进行了优化 • 产品符合 JEDEC 认证 • 行业标准通孔电源 • 高额定电流

2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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恩智浦

NTM88K135ST1品牌(NXP(恩智浦))

NTM88K135ST1 25+批次包装2000pcs/盘 现货数量:1000 描述 翻译 The NTM88 family consists of small(4 mm x 4 mm x 1.98 mm), fully integrated tire pressure monitoring sensors(TPMS). The devices described in this data sheet, NTM88Kxx5S, provide low transmitting power consumption, large customer memory size, and dual-axis accelerometer architecture. The NTM88Kxx5S TPMS solution integrates an 8-bit microcontroller(MCU), pressure sensor, accelerometers in two ranges, programmable RF transmitter and flexible LF receiver. The sensor supports seven GPIOs, client SPI, and a 2-channel timer / pulse-width module.

45含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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德州

TPS73633DBVR品牌(TI(德州仪器))

TPS73633DBVR 2142+批次包装3000pcs/盘 现货数量:1000 描述 翻译 The TPS736xx family of low-dropout (LDO) linear voltage regulators uses a new topology—an NMOS pass element in a voltage-follower configuration. This topology is stable using output capacitors with low ESR and allows operation without a capacitor. It also provides high reverse blockage (low reverse current) and ground-pin current that is nearly constant over all values of output current. The TPS736xx uses an advanced BiCMOS process to yield high precision while delivering low dropout voltages and low ground-pin current. Current consumption, when not enabled, is under 1 µA and ideal for portable applications. The low output noise (30 µVRMS with 0.1-µF CNR) is ideal for powering VCOs. These devices are protected by thermal shutdown and foldback current limit. 特性 翻译 • Controlled Baseline • One Assembly • One Test Site • One Fabrication Site • Extended Temperature Performance of –55°C to 125°C • Enhanced Diminishing Manufacturing Sources (DMS) Support • Enhanced Product-Change Notification • Qualification Pedigree • Stable With No Output Capacitor or Any Value or Type of Capacitor • Input Voltage Range of 1.7 V to 5.5 V • Ultra-Low Dropout Voltage: 75 mV Typical • Excellent Load Transient Response—With or Without Optional Output Capacitor • New NMOS Topology Delivers Low Reverse Leakage Current • Low Noise: 30 µVRMS Typical (10 Hz to 100 kHz) • 0.5% Initial Accuracy • 1% Overall Accuracy Over Line, Load, and Temperature • Less Than 1-µA Max IQ in Shutdown Mode • Thermal Shutdown and Specified Min/Max Current Limit Protection • Available in Multiple Output Voltage Versions • Fixed Outputs of 1.2 V to 3.3 V • Adjustable Output from 1.2 V to 5.5 V • Custom Outputs Available • APPLICATIONS • Portable/Battery-Powered Equipment • Post-Regulation for Switching Supplies • Noise-Sensitive Circuitry Such as VCOs • Point of Load Regulation for DSPs, FPGAs, ASICs, and Microprocessors Component qualification in accordance with JEDEC and industry standards to ensure reliable operation over an extended temperature range. This includes, but is not limited to, Highly Accelerated Stress Test (HAST) or biased 85/85, temperature cycle, autoclave or unbiased HAST, electromigration, bond intermetallic life, and mold compound life. Such qualification testing should not be viewed as justifying use of this component beyond specified performance and environmental limits. All other trademarks are the property of their respective owners.

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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芯讯通

SIM68M品牌(SIMCOM(芯讯通无线科技)

SIM68M 25+批次包装1000pcs/盘 现货数量:2034

50含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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芯科

SI7020A20GM1R品牌(SKYWORKS/SILICON LABS(芯科))

SI7020-A20-GM1R 25+批次包装2500pcs/盘 现货数量:50000 相对湿度精度 4 % 相对湿度范围 0.0 to 100 % 测量变量 Temperature 数字输出 I²C; Serial Interface 工作温度 -40 to 185 F (-40 to 85 C) 制造商 Silicon Labs 产品型号 SI7020-A20-GM1R 产品类别 Hygrometers and Humidity Measurement Instruments

18含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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圣邦微

SGM72112AYURE20G/TR品牌(SGMICRO(圣邦微))

SGM72112AYURE20G/TR 24+批次包装2000pcs/盘 现货数量:4000 描述 SGM72112A 是一款单刀十二掷（SP12T）天线开关，覆盖 0.1 GHz–3.0 GHz 频段。器件具备低插入损耗与高隔离度，线性度优异，专为高线性接收链路设计；同时不受蜂窝干扰，适用于多模多频 LTE 手机。 芯片采用 SOI 工艺，将 SP12T 射频开关与 MIPI 控制器集成一体。控制器内置驱动器与解码器，射频路径的频段及布线选择更加灵活。 射频端口无需外部隔直电容，只要未施加外部直流电压，即可节省 PCB 面积并降低成本。 SGM72112A 采用绿色环保 UTQFN-2.5×2.5-20L 封装。 特性 • 电源电压范围：2.4V 至 4.8V • 先进的绝缘硅片 (SOI) 工艺 • 频率范围：0.1GHz 至 3.0GHz • 低插入损耗：2.7GHz 时典型值 0.75dB • 兼容 MIPI RFFE 接口 • 无需外部隔直电容 • 采用绿色 UTQFN-2.5×2.5-20L 封装 应用 3G/4G应用

0.55含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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应美盛

ICM-42607C品牌(TDK InvenSense(应美盛))

ICM-42607-C 25+批次包装5000pcs/盘 现货数量:5000 特性 翻译 • The ICM-42607-C is a 6-axis MEMS MotionTracking device that combines a 3-axis gyroscope and a 3-axis accelerometer. It is compatible with Wearables and Hearables software. It has a configurable host interface that supports I3CSM, I2C and SPI serial communication, features up to 2.25 Kbytes FIFO and 2 programmable interrupts with ultra-low-power wake-on-motion support to minimize system power consumption. • The ICM-42607-C supports the lowest gyro and accel sensor noise in this IMU class, and has the highest stability against temperature, shock(up to 20,000g)or SMT/bend induced offset as well as immunity against out-of-band vibration induced noise. • Other industry-leading features include on-chip APEX Motion Processing engine for gesture recognition, and pedometer, along with programmable digital filters, and an embedded temperature sensor. • The device supports a VDD operating range of 1.71V to 3.6V, and a separate VDDIO operating range from 1.71V to 3.6V.

6.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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汉威光电

HWS408品牌(Hexawave(汉威光电))

HWS408 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:30000 描述 翻译 The HWS408 is a GaAs SPDT switch operating at DC-3 GHz in a low cost SOT-363 plastic lead(Pb)free package. The HWS408 features low insertion loss with very low DC power consumption. This switch can be used in many wireless digital communication systems like IEEE 802.11b/g WLAN and Bluetooth for transmit/receive selection or antenna diversity function.

0.4含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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芯科

SI4438C2AGMR品牌(SKYWORKS/SILICON LABS(芯科))

SI4438-C2A-GMR 25+批次包装2500pcs/盘 现货数量:2500 商品概述 卓越的选择性性能  58 dB邻道选择性  1 MHz处75 dB阻塞特性 天线分集和收发（T/R）开关控制 高度可配置的数据包处理器  发射（TX）和接收（RX）64字节先进先出（FIFO）缓冲器  自动频率控制（AFC）  自动增益控制（AGC）  低物料清单（BOM）成本  低电量检测器  温度传感器 20引脚QFN封装  符合IEEE 802.15.4g标准 适用于中国监管要求（国家电网） 一款高性能、低电流的收发器，覆盖425至525 MHz的亚GHz频段。目标市场为中国智能电表市场，尤其适用于电表。引脚和封装与Si446x系列无线电产品兼容。属于EZRadioPRO产品家族。具备–124 dBm的出色灵敏度，且工作和待机电流极低。在12.5 kHz信道间隔下，58 dB的邻道选择性确保在恶劣射频环境下可靠接收。高达+20 dBm的出色输出功率，发射效率优异。高输出功率和灵敏度带来144 dB的行业领先链路预算，可实现更远的通信距离和高度可靠的通信链路。 商品特性 • 频率范围 = 425–525 MHz • 接收灵敏度 = –124 dBm • 调制方式：（G）FSK、OOK • 最大输出功率：+20 dBm • 低工作功耗：接收（RX）14 mA • 超低电流掉电模式：关机模式30 nA，待机模式40 nA • 数据速率 = 100 bps至500 kbps • 前导码检测模式：1.2 kbps时平均接收电流6 mA • 快速唤醒和跳频时间 • 电源电压 = 1.8至3.8 V 应用领域 • 中国智能电表

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德州

TPS54302DDCR品牌(TI(德州仪器))

TPS54302DDCR 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:2000 商品概述 TPS54302 是一款输入电压范围为 4.5V 至 28V 的 3A 同步降压转换器。该器件包含两个集成式开关场效应晶体管 (FET) 并且具备内部回路补偿和 5ms 内部软启动功能，可降低组件数。 通过集成 MOSFET 并采用 SOT - 23 封装，TPS54302 获得了高功率密度，并且在印刷电路板 (PCB) 上的占用空间非常小。 高级 Eco - mode 实现以最大限度提高了轻负载效率并降低了功率损耗。 TPS54302 中引入了扩展频谱操作以降低 EMI。 高侧 MOSFET 上的逐周期电流限制功能可在过载条件下保护转换器并通过防止电流失控的低侧 MOSFET 续流电流限制功能实现功能增强。当过流持续时间超出预设时间时，将触发断续模式保护功能。 商品特性 • 4.5V 至 28V 宽输入电压范围 • 集成 85mΩ 和 40mΩ 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，持续输出电流为 3A • 关断电流低至 2μA，静态电流为 45μA • 内部 5ms 软启动 • 400kHz 固定开关频率 • 扩展频谱，可减少电磁干扰 (EMI) • 高级 Eco - mode™脉冲跳跃 • 峰值电流模式控制 • 内部环路补偿 • 采用断续模式为两个 MOSFET 提供过流保护 • 过压保护 • 热关断 • 小外形尺寸晶体管 (SOT) - 23 (6) 封装 应用领域 • 12V 和 24V 分布式电源总线供电 • 工业应用 • 白色家电 • 消费类应用 • 音频 • 机顶盒 (STB)、数字电视 (DTV) • 打印机

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博世

BMI323品牌(Bosch(博世))

BMI323 25+批次包装5000pcs/盘 现货数量:5000

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德州

BQ24725ARGRR品牌(TI(德州仪器))

BQ24725ARGRR 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:1799 描述 BQ24725A 是一款高效同步的电池充电器，所含组件数较少，适用于空间受限的多化合物电池充电 应用。 BQ24725A 利用两个电荷泵分别驱动 N 沟道 MOSFET（ACFET、RBFET 和 BATFET），从而自动选择系统电源。 SMBus 控制的输入电流、充电电流和充电电压 DAC 具有很高的调节精度，该精度可通过系统电源管理微控制器轻松编程。 BQ24725A 使用内部输入电流寄存器或外部 ILIM 引脚来调节 PWM 调制，以减小充电电流。 BQ24725A 可对 1 节、2 节、3 节或 4 节串联锂电子电池充电。 特性 • SMBus 主机控制的 NMOS-NMOS 同步降压转换器，开关频率可编程为 615kHz、750kHz 和 885kHz • N 沟道 MOSFET 可自动选择适配器供电或内部电荷泵驱动式电池供电的系统电源 • 增强的安全 特性 ，可提供过压保护，过流保护，电池、电感器和 MOSFET 短路保护 • 可编程的输入电流、充电电压、充电电流限制 • 高达 19.2V 的充电电压，精度为 ±0.5% • 高达 8.128A 的充电电流，精度为 ±3% • 高达 8.064A 的输入电流，精度为 ±3% • 20x 适配器电流或充电电流放大器输出精度为 ±2% • 可编程的电池损耗阈值，支持电池 LEARN（学习）功能 • 可编程的适配器检测和指示器 • 集成软启动 • 集成环路补偿 • 可对 ILIM 引脚进行实时系统控制以限制充电电流 • 交流适配器工作范围为 4.5V 至 24V • 断开状态电池放电电流为 5µA • 适配器待机静态电流为 0.65mA（最大 0.8mA） • 20 引脚 3.5mm x 3.5mm2 VQFN 封装 应用 便携式笔记本电脑、超便携个人计算机(UMPC)、超薄笔记本和上网本 手持式终端 工业用和医疗用设备 便携式设备

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瑞萨

R7F100GGJ2DFB#AA0品牌(瑞萨-Renesas)

R7F100GGJ2DFB#AA0 22+批次包装2000pcs/盘 现货数量:4000 描述 RL78/G23微控制器是RL78系列的新一代产品，CPU工作时的功耗为44μA/MHz，STOP（保持4KB SRAM）时的功耗为210nA，其低功耗在业内首屈一指。此外，由于采用SNOOZE模式定序器，它还能大幅度减少间歇动作的功耗。最大工作频率为32MHz，1.6V-5.5V的工作电压范围相当宽泛，引脚封装为30-128脚，配备最大768KB的闪存。除了扩展的模拟功能和安全功能之外，它还在传统的事件控制器（ELC）上追加了逻辑功能，内置逻辑和事件链接控制器（ELCL），在RL78系列产品中首次内置电容传感器单元（CTSU2L）。它为用户提供丰富的RL78/G23开发环境，例如：无需额外工具，只连接USB线即可编写/调试程序的评估板（快速原型开发板）；用于轻松设计GUI的Smart Configurator等。它与现有的RL78系列产品兼容，可以无缝替换，并且能够广泛应用于家用电器、消费类设备到工业设备。 特性 翻译 • CPU: RL78 core, Max. 32MHz • Up to 768kB Flash Memory and 48kB SRAM • Memory: SRAM up to. 48KB, Program Flash up to 768KB • 8KB Data Flash to store data as in EEPROM • Scalable from 30-pin to 128-pin packages • Wide operating voltage range of 1.6V to 5.5V • Enhanced Capacitive Sensing Unit (CTSU2L) • Timer: 16-bit Timer (ch) x 16, 8-bit Timer, Watchdog Timer (ch) x 1,32-bit Interval Timer x 1 ch • PWM: PWM Output x 14 • Analog function: 12-bit A/D Converter (ch) x 26, 8-bit D/A - Converter (ch) x 2, Comparator x 2 • On-chip Oscillator Freq. (MHz): High-Speed: up to 32MHz • Middle-Speed: up to 4MHz • Low-speed: 32.768kHz • Snooze mode sequencer • Logic & Event link controller • Others: RTC, Power-On Reset, Low Voltage Detection • A large selection of packages (LQFP, QFN, LGA, BGA, WLCSP) 应用 • 通用 • 民用 • 家电 • 工业自动化 • 楼宇自动化

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中科微

AT7456ELAH品牌(杭州中科微)

AT7456ELAH 26+批次包装1000pcs/盘 现货数量:2000 描述 AT7456E是一款集成了EEPROM 的单通道、单色随屏显示发生器，集成了视频驱动器、同步分离器、视频分离开关以及 EEPROM，提高了系统的集成度，有效降低了系统成本。AT7456E 采用符合 NTSC 和 PAL 制式的 512 个用户可编程字符，适合于全球市场。 AT7456E 能够方便地以任意字符、尺寸显示各种信息， 例如公司标识、常用图形、时间、日期等。 AT7456E 预先装载了 512 个字符和图形，并可以通过 SPI 兼容串行接口进行在线编程。 AT7456E 提供 28 引脚 TSSOP 封装，工作温度范围（-40 ℃~+85℃）。 特性 ·512 个用户定义字符或图形存储于 EEPROM ·字符大小为 12×18 象素 ·闪烁、反色和背景控制字符 ·可逐行设置亮度 ·最多显示 16 行×30 列字符 ·视频驱动器输出带有衰减补偿 ·LOS、VSYNC 、 HSYNC 和时钟输出 ·内置同步发生器，同时可外部输入复合同步信号 ·兼容于 NTSC 和 PAL SPI 兼容串行接口 ·出厂时带有预先编程的字符组 应用 无人机，安全监控系统，安全监控摄像机，工业监控，室内娱乐系统，手持测量仪器，消费类电子

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恩智浦

NTM88H135ST1品牌(NXP/恩智浦)

NTM88H135ST1 25+批次包装1000pcs/一拖盘 现货数量:2000

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CDK

CKRF7512CK24-C1-J品牌(CDK)

CKRF7512CK24-C1-J 25+批次包装10000pcs/盘 现货数量:10000 特性 翻译 • Super Low noise figure and high associated gain • NF=0.30dB TYP., Ga=13.7dB TYP. @VDS=2V, ID=10mA, f=12GHz

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应美盛

IIM-42652品牌(TDK 应美盛)

IIM-42652 25+批次包装5000pcs/盘 现货数量:20000 描述 翻译 The IIM-42652 is a 6-axis SmartIndustrial™ MotionTracking device that supports an extended operating temperature range. The IIM-42652 combines a 3-axis gyroscope and a 3-axis accelerometer in a small 2.5 × 3 × 0.91 mm (14-pin LGA) package. It also features a 2K-byte FIFO that can lower the traffic on the serial bus interface and reduce power consumption by allowing the system processor to burst read sensor data and then go into a low-power mode. The host interface can be configured to support I3C℠ slave, I²C slave, or SPI slave modes. The I3C℠ interface supports speeds up to 12.5 MHz (data rates up to 12.5 Mbps in SDR mode, 25 Mbps in DDR mode), the I²C interface supports speeds up to 1 MHz, and the SPI interface supports speeds up to 24 MHz. The device features an operating voltage range from 3.6 V down to 1.71 V. 特性 翻译 • Digital-output X-, Y-, and Z-axis angular rate sensors(gyroscopes)with programmable full-scale range of ±15.625, ±31.25, ±62.5, • ±125, ±250, ±500, ±1000, and ±2000 • degrees/sec • Digital-output X-, Y-, and Z-axis accelerometer with programmable full- scale range of ±2g, ±4g, ±8g and ±16g • User-programmable interrupts • I3CSM / I2C / SPI slave host interface • Digital-output temperature sensor • Small and thin package: • 2.5 mm x 3 mm x 0.91 mm(14-pin LGA) • 20,000 g shock tolerant • MEMS structure hermetically sealed and bonded at wafer level • MEMS structure hermetically sealed and bonded at wafer level • RoHS and Green compliant 应用 翻译 • Navigation • Orientation measurement • Tilt sensing • Platform stabilization • Robotics

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芯科

EFM8SB10F8GACSP16R品牌(SILICON/芯科)

EFM8SB10F8G-A-CSP16R 20+批次包装5000pcs/盘 现货数量:10000 应用领域 • 触控板/键盘面板 • 仪表盘 • 可穿戴设备 • 电池供电的消费电子设备

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中科微

AT7456E品牌(中科微)

AT7456E 26+批次包装2500pcs/盘 现货数量:5000 描述 AT7456E是一款集成了EEPROM 的单通道、单色随屏显示发生器，集成了视频驱动器、同步分离器、视频分离开关以及 EEPROM，提高了系统的集成度，有效降低了系统成本。AT7456E 采用符合 NTSC 和 PAL 制式的 512 个用户可编程字符，适合于全球市场。 AT7456E 能够方便地以任意字符、尺寸显示各种信息， 例如公司标识、常用图形、时间、日期等。 AT7456E 预先装载了 512 个字符和图形，并可以通过 SPI 兼容串行接口进行在线编程。 AT7456E 提供 28 引脚 TSSOP 封装，工作温度范围（-40 ℃~+85℃）。 特性 ·512 个用户定义字符或图形存储于 EEPROM ·字符大小为 12×18 象素 ·闪烁、反色和背景控制字符 ·可逐行设置亮度 ·最多显示 16 行×30 列字符 ·视频驱动器输出带有衰减补偿 ·LOS、VSYNC 、 HSYNC 和时钟输出 ·内置同步发生器，同时可外部输入复合同步信号 ·兼容于 NTSC 和 PAL SPI 兼容串行接口 ·出厂时带有预先编程的字符组 应用 无人机，安全监控系统，安全监控摄像机，工业监控，室内娱乐系统，手持测量仪器，消费类电子

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汉威光电

HWS507品牌(Hexawave(汉威光电))

HWS507 26+批次包装7500pcs/盘 现货数量:30000 —— 技术参数 —— Type SPDT Freq. DC-3.0 Insertion Loss 0.45-0.6 Isolation 22-25 P1dB 24@+1.8V Package SOT-363

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德州

OPA349NA/3K品牌(TI德州)

OPA349NA/3K 2243+批次包装3000pcs/盘 现货数量:3000 商品概述 OPA349和OPA2349是超低功耗运算放大器，仅需1µA静态电流即可提供70kHz带宽。这些轨到轨输入和输出放大器专为电池供电应用而设计。输入共模电压范围比电源轨高200mV，输出摆幅可接近轨电压350mV以内，从而保持较宽的动态范围。与一些微功耗运算放大器不同，这些器件具有单位增益稳定性，无需外部补偿即可实现宽带宽。OPA349的输入偏置电流较低，允许使用较大的源电阻和反馈电阻。 OPA349可在1.8V至5.5V的电源电压下工作，性能几乎不受影响，即使在电池电量较低的情况下也能确保持续的卓越性能。 OPA349采用微型SOT23 - 5、SC70和SO - 8表面贴装封装。OPA2349双运放采用SOT23 - 8和SO - 8表面贴装封装。这些微型封装非常适合用于高密度应用，如PCMCIA卡、电池组和便携式仪器。 OPA349的工作温度范围为0℃至+70℃。OPA2349的工作温度范围为 - 40℃至+70℃。 商品特性 • 低电源电流：1µA • 增益带宽：70kHz • 单位增益稳定 • 低输入偏置电流：10pA（最大值） • 宽电源范围：1.8V至5.5V • 输入范围：超出轨电压200mV • 输出摆幅接近轨电压350mV以内 • 输出驱动电流：8mA • 开环增益：90dB • 微型封装：SC70、SOT23 - 5、SOT23 - 8 应用领域 • 电池组和电源 • 便携式电话、寻呼机和相机 • 太阳能供电系统 • 烟雾、气体和火灾检测系统 • 远程传感器 • PCMCIA卡 • 驱动模数（A/D）转换器 • 微功耗滤波器

2.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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CDK

CKRF2179MM26-C4品牌(CDK)

CKRF2179MM26-C4 24+批次包装10000pcs/盘 现货数量:460000 商品概述 CKRF2179MM26是一款pHEMT砷化镓单刀双掷（SPDT）开关。该器件可在0.05至3.06 Hz频率范围内工作，具有低插入损耗和高隔离度。 商品特性 • 控制电压：VC(H) = 1.8至5.3 V（典型值3.0V），VC(L) = -0.2至0.2 V（典型值0V） • 低插入损耗：L_ins1 = 典型值0.30 dB @ f = 0.05至0.5 GHz，L_ins2 = 典型值0.30 dB @ f = 0.5至1.0 GHz，L_ins3 = 典型值0.40 dB @ f = 1.0至2.0 GHz，L_ins4 = 典型值0.45 dB @ f = 2.0至2.5 GHz，L_ins5 = 典型值0.45 dB @ f = 2.5至3.0 GHz • 高隔离度：ISL1 = 典型值39 dB @ f = 0.05至0.5 GHz，ISL2 = 典型值33 dB @ f = 0.5至1.0 GHz，ISL3 = 典型值27 dB @ f = 1.0至2.0 GHz，ISL4 = 典型值26 dB @ f = 2.0至2.5 GHz，ISL5 = 典型值23 dB @ f = 2.5至3.0 GHz • 处理功率：P_in(0.5dB) = 典型值+32 dBm @ f = 3.0 GHz，VC(H) = 3.0 V，VC(L) = 0 V 应用领域 • 无线局域网（IEEE 802.11 b/g）

0.35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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升特

LLCC68IMLTRT品牌(SEMTECH/升特)

LLCC68IMLTRT 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:6000 商品概述 LLCC68 亚 GHz 无线收发器非常适合长距离无线应用。它专为长电池续航而设计，有源接收电流消耗仅为 4.2 mA。LLCC68 采用高效集成功率放大器，发射功率最高可达 +22 dBm。 LLCC68 支持用于 LPWAN 用例的 LoRa 调制以及用于传统用例的 (G)FSK 调制。它具有高度可配置性，可满足工业和消费应用的不同需求。 该器件提供与 LoRa 联盟发布的 LoRaWAN 规范所使用的 Semtech 收发器兼容的 LoRa 调制。 该无线收发器适用于旨在符合无线电法规的系统，包括但不限于 ETSI EN 300 220、FCC CFR 47 Part 15、中国法规要求和日本 ARIB T - 108。150 MHz 至 960 MHz 的连续频率覆盖范围可支持全球所有主要的亚 GHz ISM 频段。 应用领域 • 智能电表 • 供应链与物流 • 楼宇自动化 • 农业传感器 • 智慧城市 • 零售店传感器 • 资产追踪 • 路灯 • 停车传感器 • 环境传感器 • 医疗保健 • 安全与安保传感器 • 远程控制应用

3.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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博世

BMI270品牌(BOSCH/博世)

BMI270 22+批次包装5000pcs/盘 现货数量:10000 描述 翻译 BMI270 is an ultra-low power IMU optimized for wearable applications. The IMU combines precise acceleration and angular rate measurement with intelligent on-chip motion-triggered interrupt features. The 6-axis sensor combines a 16-bit triaxial gyroscope and a 16-bit triaxial accelerometer in a compact 2.5 x 3.0 x 0.8 mm³ LGA package. The BMI270 is a member of Bosch Sensortec’s BMI260 family of IMUs, targeting fast and accurate inertial sensing in wearable applications. BMI270 features Bosch’s automotive-proven gyroscope technology with an improved accelerometer. Significant improvements in BMI270 include, but are not restricted to, the overall accelerometer performance, i.e. an extremely low zero-g offset and sensitivity error, low temperature drifts, robustness over PCB strain and a low noise density. BMI270 features the industry’s first self-calibrating gyroscope using motionless CRT (Component Re-Trimming) functionality to compensate MEMS typical soldering drifts, ensuring post-soldering sensitivity errors down to ± 0.4%. Bosch Sensortec's BMI270 includes intuitive gesture, context and activity recognition with an integrated plug-and-play step counter/detector, which is optimized for accurate step counting in wrist-worn devices. The IMU is also well suited for other types of wearable devices, such as hearables, smart clothes, smart shoes, smart glasses and ankle bands. 特性 应用 翻译 - Wearables - Hearables - Smart clothing - Augmented / virtual reality (AR/VR)

8.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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恩智浦

BGU8103(BGU8103X)品牌恩智浦\NXP

BGU8103 2101+批次包装5000pcs/盘 现货数量:175000 商品概述 BGU8103，也称为GPS1301M，是一款用于GNSS接收器应用的超低电流低噪声放大器（LNA）。BGU8103采用小型6引脚塑料极薄无引脚封装。BGU8103仅需一个外部匹配电感器。 BGU8103能够适应现代手机中不同无线电系统共存所导致的不断变化的环境。它专为超低功耗和在存在来自共存蜂窝发射机的干扰信号时实现最佳性能而设计。在低干扰功率水平下，它在噪声系数为0.80 dB、电源电流为1.2 mA时可提供17.5 dB的增益。在高干扰功率水平下（例如由蜂窝发射突发引起），它会暂时增加其偏置电流以提高灵敏度。 商品特性 • 在1.2 mA的低电源电流下实现优化性能 • 覆盖整个GNSS L1频段，从1559 MHz到1610 MHz • 噪声系数 = 0.80 dB • 增益17.5 dB • 输入1 dB压缩点为 -16 dBm • 带外IP3i为 -8 dBm • 电源电压1.5 V至3.1 V • 自屏蔽封装概念 • 集成电源去耦电容 • 掉电模式电流消耗 <1 μA • 集成温度稳定偏置，便于设计 • 仅需一个输入匹配电感器 • RF输入和输出均集成直流阻断 • 所有引脚均有ESD保护（HBM >2 kV） • 输出集成匹配 • 采用6引脚无引脚封装，尺寸为1.1 mm×0.7 mm×0.37 mm；间距为0.4 mm：SOT1232 • 180 GHz渡越频率 - SiGe:C技术 • 湿度敏感度等级1 应用领域 • 智能手机 • 功能手机 • 平板电脑 • 数码相机 • 数码摄像机 • RF前端模块 • 完整的GNSS模块 • 个人健康应用

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英飞凌

BAR63-02LE6327(BAR6302LE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR63-02L E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:15000 描述 硅PIN二极管 特性 • 用于射频信号高速切换的 PIN 二极管 • 极低的正向电阻（低插入损耗） • 极低的电容（高隔离度） • 频率高达 3GHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

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英飞凌

BSS308PEH6327(BSS308PEH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BSS308PE H6327 26+批次包装3000pcs/盘 现货数量:132000 描述 英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 沟道和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合，这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力，非常适合各种应用，包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。 特性 • 增强模式 • 逻辑电平 • 雪崩额定值 • 快速开关 • dv/dt 额定值 无铅镀铅• 符合 RoHS 标准，无卤素 • 符合汽车标准 • 可进行 PPAP 应用 • 用于 ADAS 和自动驾驶的域控制器

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英飞凌

BAR50-02VH6327(BAR5002VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR50-02VH6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:30000 描述 硅PIN二极管 特性 • 用于开关和衰减应用的电流控制射频电阻器 • 频率范围：10 MHz 以上至 6 GHz • 特别适用于作为移动通信中的天线开关 • 频率高于 1 GHz 时，零伏反向偏置下的电容非常低（典型值）。0.15 pF) • 低正向电阻 • 极低的谐波失真 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

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英飞凌

BGS15MU14E6327(BGS15MU14E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGS15MU14 E6327 25+批次包装4500pcs/盘 现货数量:9000 描述 BGS15MU14 非常适合输入端口反馈接收 (FBRx) 上的 UL-CA 和 MIMO RF 设计场景中的并发传输链。它的体积非常小，最大厚度仅为 0.6 毫米。BGS15MU14 的设计旨在保证在高要求的 FBRx 应用中实现高达 6.0 GHz (>50 dB) 的一流隔离性能。它可以提高射频设计的灵活性、减少空间并节省 BOM 成本。该设备由 MIPI 控制。片上控制器允许电源电压从 1.65 到 1.95 V。与 GaAs 技术不同，仅当外部施加直流电压时才需要在 RF 端口处使用外部直流阻断电容器。 特性 • 高达 6.0 GHz 的高端口间隔离度 • 高达 20 dBm 输入功率的高线性度 • 快速切换速度 (180 ns)。 • MIPI符合 RFFE 2.1 标准的控制接口 • 小型封装 1.5mm x 1.9mm • 超薄无铅塑料封装 • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 • 移动设备和智能手机解决方案

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英飞凌

BAS3010S-02LRHE6327(BAS3010S02LRHE6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAS3010S-02LRH E6327 24+批次包装15000pcs/盘 现货数量:90000 描述 低 VF 肖特基二极管 特性 • 反向电压：30 V • 正向电流：1 A • 低正向电压和最小封装尺寸（1.0 x 0.6 x < 4 mm），适用于手机电池充电器应用 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 家用机器人

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英飞凌

BSC030N08NS5(BSC030N08NS5ATMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BSC030N08NS5 26+批次包装5000pcs/盘 现货数量:10000 描述 OptiMOS ™ 5 80 V 功率 MOSFET，专为电信和服务器电源的同步整流而设计。此外，该设备还可应用于其他工业领域，如太阳能、低压驱动器和适配器。OptiMOS ™ 5 80 V MOSFET 采用七种不同的封装，提供业界最低的 RDS(on)。此外，与上一代产品相比，OptiMOS ™ 5 80 V 的 RDS(on) 降低了高达 43%。 特性 • 针对同步整流进行了优化 • 非常适合高开关频率 • 输出电容降低高达 44% • 与上一代产品相比，RDS(on) 降低 43% 应用 • 移动设备和智能手机解决方案

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普思

ANT5320LL24R2455A(品牌普思pulse)

ANT5320LL24R2455A 26+批次包装2000pcs/袋 现货数量:6000 商品参数 属性 参数值 天线类型 贴片天线 带宽 900MHz 阻抗 50Ω 功率 1W 属性 参数值 工作温度 -40℃~+105℃ 长度 5.3mm 宽度 2mm 高度 1.15mm

2.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BSC021N08NS5(BSC021N08NS5ATMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BSC021N08NS5 25+批次包装5000pcs/盘 现货数量:10000 商品特性 针对服务器和台式机的同步整流进行优化 经过100%雪崩测试 卓越的热阻性能 N沟道 额定温度175°C 无铅引脚镀层;符合RoHS标准 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

11含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

W3008品牌普思pulse

W3008 26+批次包装3000pcs/盘 现货数量:2000 商品概述 2.4-2.4835GHz 陶瓷SMT天线，4X4.25毫米的禁布区 应用领域 • 蓝牙 • BLE • Zigbee • WiFi 2.4GHz ISM 频段无线电

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BF771E6327(BF771E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BF771 E6327 26+批次包装3000pcs/盘 现货数量:120000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于电视和录像机调谐器中的调制器和放大器 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.9含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BFR182E6327(BFR182E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR182 E6327 25+批次包装3000pcS 现货数量:90000 描述 NPN 硅射频晶体管，用于集电极电流为 1 mA 至 20 mA 的低噪声、高增益宽带放大器 特性 • 适用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流从 1 mA 到 20 mA • fT = 8 GHz，F = 0.9 dB @ 900 MHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.7含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BAT63-02VH6327(BAT6302VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT63-02V H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量;15000 描述 硅肖特基二极管 特性 • 适用于高达 GHz 频率探测器的低势垒二极管 • 适用于高速应用 • 零偏置探测器二极管 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 无线电动工具

2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BCR421UE6327(BCR421UE6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BCR421U E6327 26+批次包装3000pcs/盘 现货数量:15000 描述 BCR421U 线性 LED 驱动器 IC 专为驱动通用和汽车照明应用中的低功率和中功率 LED 而设计。 特性 • LED 驱动电流预设为 10mA • 输出电流可调 • 电源电压高达 40V • NPN 晶体管功率级 • 数字 PWM 输入频率高达 10kHz • 功耗高达 1000mW • 符合 AEC Q101 要求 应用 • 汽车 24 GHz 雷达系统

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BCR402UE6327(BCR402UE6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BCR402U E6327 26+批次包装3000pcs/盘 现货数量:150000 描述 BCR402U 线性 LED 驱动器 IC 专为驱动通用和汽车照明应用中的低功率 LED 而设计。 特性 • LED 驱动电流预设为 20mA • 输出电流可调 • 电源电压高达 40V • PNP 晶体管功率级 • 可通过外部晶体管进行 PWM 调光 • 功耗高达 750mW • 符合 AEC Q101 要求 • BCR402U E6433 提供 10k 卷盘规格 应用 • 用于 ADAS 和自动驾驶的域控制器

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

JXD0-2015NL品牌普思pulse

JXD0-2015NL 25+批次包装50pcs/一托盘 现货数量:210 —— 技术参数 —— CONTACT MATING AREA PLATING GOLD 30 U'' LATCH DOWN LED OPTION GREEN & YELLOW NUMBER OF PORTS 1X2 PACKAGE THT PACKAGE HEIGHT MM 13.630 PACKAGE LENGTH MM 21.350 PACKAGE WIDTH MM 31.240 PCB MOUNT ANGLE SIDE ENTRY POE RATING NON-POE ROHS COMPLIANT YES-RoHS-5 W/H LEAD IN SDR XMP SPEED 1000BASE-T TEMPERATURE -40 TO +85

19含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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纳微

NV6148CP01 品牌纳微Navitas

NV6148CP01 2423+批次包装2500pcs/包 现货数量:200 —— 技术参数 —— Family GaNSlim Type Single VDS(V) 700 VDS(Dyn) 800 RDS(ON)typ. (mOhms) 120 Package DPAK-4L

20含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

P0351NLT品牌普思pulse

P0351NLT 2518+批次包装200pcs/盘 现货数量:200 —— 技术参数 —— Inductance (uH) 1470 Footprint Area (LxW) (mm2) 333 Mounting SMT DCR (mOhms) 80 1Footprint Area (LxW) (mm2) 1000 Inductance (uH)5 Functional Inductance (uH)Construction 0 Footprint Area (LxW) (mm2)Inductance (uH) Length (mm) 19.56 Height (mm) 9.91 Width (mm) 17.02 Automotive (Y/N) No Rated Current (Adc) 2.8 1ConstructionDCR (mOhms) Power Inductance (uH)10

3.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

P0354NLT品牌普思pulse

P0354NLT 25+批次包装500pcs/盘 现货数量:500 —— 技术参数 —— Inductance (uH) 1170 Footprint Area (LxW) (mm2) 161 Mounting SMT DCR (mOhms) 200 1Footprint Area (LxW) (mm2) 1000 Inductance (uH)5 Functional Inductance (uH)Construction 0 Footprint Area (LxW) (mm2)Inductance (uH) Length (mm) 12.7 Height (mm) 5.46 Width (mm) 12.7 Automotive (Y/N) No Rated Current (Adc) 1.22 1ConstructionDCR (mOhms) Power Inductance (uH)10

2.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

PA3927NLT品牌普思pulse

PA3927NLT 25+批次包装300pcs/盘 现货数量:14 —— 技术参数 —— Inductance (uH) 800 Inductance (uH) 800 Footprint Area (LxW) (mm2) 169 Footprint Area (LxW) (mm2) 169 Mounting SMT Mounting SMT DCR (mOhms) 55 DCR (mOhms) 55 1Footprint Area (LxW) (mm2) 1500 1Footprint Area (LxW) (mm2) 1500 Inductance (uH)5 Functional Inductance (uH)5 Functional Inductance (uH)Construction 0 Inductance (uH)Construction 0 Footprint Area (LxW) (mm2)Inductance (uH) Footprint Area (LxW) (mm2)Inductance (uH) Length (mm) 13 Length (mm) 13 Height (mm) 8.6 Height (mm) 8.6 Width (mm) 13 Width (mm) 13 Automotive (Y/N) No Automotive (Y/N) No Rated Current (Adc) 3 Rated Current (Adc) 3 1ConstructionDCR (mOhms) Power 1ConstructionDCR (mOhms) Power Inductance (uH)10 Inductance (uH)10

4含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

W3010品牌普思pulse

W3010 25+批次包装1000pcs/盘 现货数量:83690 —— 技术参数 —— ConstructionConstruction GNSS (GPS\/BeiDou\/GLONASS) 100 Single Feed\/ Port 101 Ceramic Chip 10Inductance (uH) SMD 104 1560-1610 105 -12 10Footprint Area (LxW) (mm2) 3 10Mounting 75 Length (mm) 10 Height (mm) 2

2.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

W3113品牌普思pulse

W3113 25+批次包装1500pcs/盘 现货数量:4000

4.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

W3544B品牌普思pulse

W3544B 25+批次包装140pcs/盘 现货数量:10000 —— 技术参数 —— ConstructionConstruction 3G\/ 2G 100 Single Feed\/ Port 101 Composite PCB 10Inductance (uH) SMD 104 824-960; 1710-2170 105 -4; -4 10Footprint Area (LxW) (mm2) 0.5; 2 10Mounting 55; 57 Length (mm) 26 Height (mm) 3

3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

W3796品牌普思pulse

W3796 25+批次包装1000pcs/盘 现货数量:90000 —— 技术参数 —— ConstructionConstruction 4G LTE\/ Cat M1\/ NB-IOT 100 Single Feed\/ Port 101 Composite PCB 10Inductance (uH) SMD 104 698-960; 1427.9-1660.5; 1695-2200; 2300-2700 105 -6; -6; -6; -6 10Footprint Area (LxW) (mm2) 2; 4; 6.9; 6.5 10Mounting 65; 55; 75; 70 Length (mm) 40 Height (mm) 3 Width (mm)

2.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

W3907B0100品牌普思pulse

W3907B0100 25+批次包装10pcs/袋 现货数量:9000 —— 技术参数 —— ConstructionConstruction 4G LTE\/ Cat M1\/ NB-IOT 100 Single Feed\/ Port 101 FPC + Cable 104 698-3600 Mounting Adhesive 105 -7.5 Footprint Area (LxW) (mm2)Construction U.FL\/MHF-I 10Footprint Area (LxW) (mm2) 4.2 ConstructionConstruction 4G LTE\/ Cat M1\/ NB-IOT 10Mounting 70 100 Single Feed\/ Port Length (mm) 111.7 101 FPC + Cable 1Inductance (uH)0 Male\/ Plug 104 698-3600 1Inductance (uH)1 Yes 105 -7.5 1Inductance (uH)4 100 10Footprint Area (LxW) (mm2) 4.2 1Inductance (uH)5 1.13 10Mounting 70 1Inductance (uH)Footprint Area (LxW) (mm2) Perpendicular Length (mm) 111.7 Width (mm) 20.4 1Inductance (uH)0 Male\/ Plug 1Inductance (uH)1 Yes 1Inductance (uH)4 100 1Inductance (uH)5 1.13 1Inductance (uH)Footprint Area (LxW) (mm2) Perpendicular Width (mm) 20.4

18含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

W3544A品牌普思pulse

W3544A 24+批次包装240pcs/盘 现货数量:20000 ConstructionConstruction 3G\/ 2G 100 Single Feed\/ Port 101 Composite PCB 10Inductance (uH) SMD 104 824-960; 1710-2170 105 -6; -6 10Footprint Area (LxW) (mm2) 0.5; 2 10Mounting 55; 57 Length (mm) 26 Height (mm) 3

2.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

ANT1204F002R0433A品牌普思pulse

ANT1204F002R0433A 26+批次包装1000pcs/盘 现货数量:1000 —— 技术参数 —— ConstructionConstruction ISM (915\/ 868\/ 433) 100 Single Feed\/ Port 101 Ceramic Chip 10Inductance (uH) SMD 104 419-447 105 -6.5 10Footprint Area (LxW) (mm2) 0.79 10Mounting 27 Length (mm) 12.3 Height (mm) 1.6

3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

SPWH10420品牌普思pulse

SPWH10420 25+批次包装现货数量:18

295含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

HX6098NLT品牌普思pulse

HX6098NLT 25+批次包装250pcs/盘 现货数量:192 —— 技术参数 —— APPLICATION-LAN ETHERNET TRANSFORMER/CHOKE CONSTRUCTION OPEN FRAME NUMBER OF PORTS SINGLE PACKAGE SMT PACKAGE HEIGHT MM 6.600 PACKAGE LENGTH MM 18.160 PACKAGE WIDTH MM 16.002 POE RATING 4PAIR POE 120W ROHS COMPLIANT YES-RoHS-6 SPEED 1000BASE-T TEMPERATURE -40 TO +85

6.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

HX6096NLT品牌普思pulse

HX6096NLT 25+批次包装250pcs/盘 现货数量:30 —— 技术参数 —— APPLICATION-LAN ETHERNET TRANSFORMER/CHOKE CONSTRUCTION OPEN FRAME NUMBER OF PORTS SINGLE PACKAGE SMT PACKAGE HEIGHT MM 6.600 PACKAGE LENGTH MM 18.160 PACKAGE WIDTH MM 16.002 POE RATING 4PAIR POE 75W ROHS COMPLIANT YES-RoHS-6 SPEED 1000BASE-T TEMPERATURE -40 TO +85

5.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

HX5004NLT品牌普思pulse

HX5004NLT 25+批次包装300pcs/盘 现货数量:190 —— 技术参数 —— APPLICATION-LAN ETHERNET TRANSFORMER/CHOKE CONSTRUCTION TRANSFER MOLD NUMBER OF PORTS SINGLE PACKAGE SMT PACKAGE HEIGHT MM 5.715 PACKAGE LENGTH MM 17.653 PACKAGE WIDTH MM 16.002 POE RATING NON-POE ROHS COMPLIANT YES-RoHS-5 W/H LEAD IN SDR XMP SPEED 1000BASE-T TEMPERATURE -40 TO +85

6.2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

HX1260NLT品牌普思pulse

HX1260NLT 25+批次包装600pcs/盘 现货数量:88 —— 技术参数 —— APPLICATION-LAN ETHERNET TRANSFORMER/CHOKE CONSTRUCTION OPEN FRAME NUMBER OF PORTS SINGLE PACKAGE SMT PACKAGE HEIGHT MM 5.969 PACKAGE LENGTH MM 12.700 PACKAGE WIDTH MM 9.398 POE RATING NON-POE ROHS COMPLIANT YES-RoHS-6 SPEED 100BASE-TX TEMPERATURE -40 TO +85

2.2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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纳微

GC05MPS33J-TR品牌(Navitas-Sic纳微)

GC05MPS33J-TR2 2346+批次包装3000pcs/盘 现货数量:8 —— 技术参数 —— Voltage 3300 Forward Current 5 Package TO-263-7

300含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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纳微

G3R350MT12J-TR品牌(Navitas纳微)

G3R350MT12J-TR 2411+批次包装800个/圆盘 现货数量:8 商品参数 资料纠错 查看类似商品   属性 参数值   商品目录 碳化硅场效应管(MOSFET)   数量 1个N沟道   类型 N沟道   漏源电压(Vdss) 1.2kV   连续漏极电流(Id) 10A   耗散功率(Pd) 64W   阈值电压(Vgs(th)) 2.7V   属性 参数值   栅极电荷量(Qg) 10nC   输入电容(Ciss) 331pF   反向传输电容(Crss) 0.8pF   工作温度 -55℃~+175℃   输出电容(Coss) 10pF   导通电阻(RDS(on)) 350mΩ

35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

ANT3216LL00R2400A品牌普思pulse

ANT3216LL00R2400A 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:12000 商品参数 属性 参数值 天线类型 - 中心频率 2.45GHz 带宽 160MHz 增益 5.05dBi 阻抗 50Ω 属性 参数值 功率 1W 工作温度 -40℃~+105℃ 长度 3.2mm 宽度 1.6mm 高度 1.2mm0.7

0.7含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

ANT2525B00DT1516S品牌普思pulse

ANT2525B00DT1516S 24+批次包装200pcs/一托盘 现货数量:45000 属性 参数值 天线类型 陶瓷天线 中心频率 1.575GHz；1.602GHz 属性 参数值 增益 5dBi；4.79dBi 驻波比 2

3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

ANT1204LL20R0433A品牌普思pulse

ANT1204LL20R0433A 25+批次包装1000pcs/盘 现货数量:90673 商品概述 1204 433MHz 芯片天线 尺寸：12.0X4.0X1.5 毫米 全向辐射 卷带自动安装 兼容回流焊工艺 符合RoHS标准 应用： • 智能电表 • 工业遥控器 • ISM频段设备 工作频率：433 MHz 带宽：28 MHz（典型值） 回波损耗：最小6.5 dB 极化方式：线性 方位角波束宽度：全向 峰值增益：0.83 dBi（典型值） 阻抗：50 Ω 工作温度：-40 至 105 ℃ 最大功率：1 W 端接：Ni / Sn（环保无铅） 耐焊接热温度：260 ℃，10秒 机械图纸： • L (毫米)：12.0 ±0.50 • W (毫米)：4.00 ±0.50 • T (毫米)：1.50 ±0.30 • A (毫米)：0.85 ±0.30 端子名称及功能： • S1：馈电点 • S2：焊接点 应用领域 • 智能电表 • 工业遥控器 • ISM频段设备

5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BBY58-02VH6327(BBY5802VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BBY58-02V H6327 26+批次包装3000pcs/盘 现货数量:30000 描述 硅调谐二极管 特性 •  出色的线性度 •  高 Q 值超突变调谐二极管 •  低串联电阻 •  专为移动通信设备中 VCO 的低调谐电压操作而设计 •  适用于 TCXO 和 VCXO 等低频控制元件 •  极低的电容扩散 •  无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BAT62-02VH6327(BAT6202VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT62-02V H6327 26+批次包装3000pcs/盘 现货数量:30000 描述 硅肖特基二极管 特性 • 适用于高达 GHz 频率探测器的低势垒二极管 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BGS18MA12E6327(BGS18MA12E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGS18MA12 E6327 24+批次包装4500pcs/盘 现货数量:4500 描述 适用于 LTE 分集、Tx 和 LAA 应用的 MIPI 2.0 SP8T 开关此 SP8T RF 开关是基于 LTE、WCDMA 和 TDCDMA 的多模手机的完美解决方案。它基于英飞凌的专有技术，具有出色的射频性能。超低插入损耗帮助客户实现高系统灵敏度，LTE Tx 功率和 6 GHz 的覆盖范围可实现非常广泛的应用。它具有无直流射频端口，仅当外部施加直流电压时才需要在射频端口处使用外部直流阻断电容器。其片上MIPI RFFE 2.0控制器完全兼容行业标准。 特性 • 0.1 至 6 GHz 覆盖范围，适用于 LTE 和 LAA 应用 • LTE TX 功率处理能力 • 超低插入损耗：频段 42 时为 0.78 dB • 小尺寸 1.1mm x 1.9mm • 完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 标准 • 如果 RF 线路上未施加直流电，则无需去耦电容 • 低谐波产生 • 高端口间隔离 • 片上控制逻辑，包括 ESD 保护 • 无需电源阻断 • 高 EMI 稳健性 • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BF998E6327(BF998E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BF998 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:207000 描述 硅N沟道MOSFET三极管 特性 • 具有高 S / C 品质因数的短沟道晶体管 • 适用于低噪声、增益控制输入级，频率高达 1 GHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.65含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD113-B1-02ELE6327(ESD113B102ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD113-B1-02EL E6327 26+批次包装15000pcs/盘 现货数量:15000 描述 双向超低电容 ESD/瞬态保护二极管 特性 翻译 • ESD / transient protection of high speed data lines according to: 应用 翻译 • USB 3.0, Firewire, DVI, HDMI, S-ATA, DisplayPort, Thunderbolt • Mobile HDMI Link, MDDI, MIPI, SWP / NFC • Pin 1 marking(lasered) • PinConf_and_SchematicDiag.vsd

0.65含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP450H6327(BFP450H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP450 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:15000 描述 高线性低噪声 Si NPN 射频晶体管 特性 • 适用于所有高达 2.5 GHz 的射频前端的高线性低噪声驱动放大器 • 输出压缩点 OP1dB = 18.5 dBm（90 mA、3 V、1.9 GHz、50 Ω 系统） • 输出三阶互调点 OIP3 = 31 dBm（90 mA、3 V、1.9 GHz、50 Ω 系统） • 最大可用增益 Gma = 15.5 dB（50 mA、3 V、1.9 GHz） • 最小噪声系数 NFmin = 1.7 dB（50 mA、3 V、1.9 GHz） • 基于英飞凌可靠、高容量 25 GHz SIEGET ™系列 • 易于使用的无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，带有可见引线

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP460 H6327(BFP460H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP460 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:90009 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低电压、低电流应用的通用低噪声放大器 • 高 ESD 抗扰度，典型值 1500V (HBM) • 1.8 GHz 时最小噪声系数低至 1.1 dB • 高线性度：输出压缩点 OP1dB = 13 dBm @ 3V、35mA、1.8GHz • 易于使用的标准封装，带有可见引线 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 汽车车身控制模块 (BCM)

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAT60AE6327(BAT60AE6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT60A E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:60000 描述 硅肖特基二极管 特性 • 具有极低 VF 降（典型值）的大电流整流肖特基二极管。0.12V（IF = 10mA 时） • 适用于电源应用 • 适用于低压应用中的钳位和保护 • 用于检测和升压转换 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 空间功率应用

0.7含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BCX53-16H6327(BCX5316H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BCX 53-16 H6327 26+批次包装1000pcs/盘 现货数量:20000 商品参数 属性 参数值 晶体管类型 - 集电极电流(Ic) 1A 集射极击穿电压(Vceo) 80V 耗散功率(Pd) 2W 直流电流增益(hFE) 160 属性 参数值 特征频率(fT) 125MHz 集电极截止电流(Icbo) 100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)) 500mV 工作温度 -

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAS40-05E6327(BAS4005E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAS40-05 E6327 2328+批次包装3000pcs/盘 现货数量:72000 描述 硅肖特基二极管 特性 • 用于高速开关的通用二极管 • 电路保护 • 电压钳位 • 高电平检测和混合 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 新能源汽车动力系统

0.35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFN27E6327(BFN27E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFN27 E6327 现货数量:24000 25+批次包装3000pcs/盘描述 PNP硅高压晶体管 特性 •  适用于电视机和开关电源的视频输出级 •  高击穿电压 •  低集电极-发射极饱和电压 •  互补类型：BFN26 (NPN) •  无铅（符合 RoHS 标准）封装 •  符合 AEC Q101 要求

0.55含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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SMBT3904E6327(SMBT3904E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

SMBT3904 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:6000 商品特性 • 高电流增益 • 低集电极 - 发射极饱和电压 • 单封装内集成两个（电流）内部隔离的NPN/PNP晶体管 • 无铅（符合RoHS标准）封装 • 符合AEC Q101标准

0.35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BCP52-16H6327(BCP5216H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BCP52-16 H6327 25+批次包装1000pcs/盘 现货数量:2000 —— 技术参数 —— fT 125 MHz hFE 100 to 250 IBMmax 200 mA ICBOmax 100 nA ICmax 100 mA IC 1000 mA ICMmax 1500 mA Ptotmax 2000 mW VCBOmax 60 V VCE(sat)max 0.5 V VCEOmax 60 V VCE 2 V VEBOmax 5 V Mounting SMT Package P-SOT223-4-10 Polarity PNP (Single)

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BCP52-16H6327(BCP5216H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BCP52-16 H6327 2216+批次包装2000pcs/盘 现货数量:2000 —— 技术参数 —— fT 125 MHz hFE 100 to 250 IBMmax 200 mA ICBOmax 100 nA ICmax 100 mA IC 1000 mA ICMmax 1500 mA Ptotmax 2000 mW VCBOmax 60 V VCE(sat)max 0.5 V VCEOmax 60 V VCE 2 V VEBOmax 5 V Mounting SMT Package P-SOT223-4-10 Polarity PNP (Single)

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAL74E6327(BAL74E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAL74 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:3000 —— 芯片百科 —— 描述 高速开关二极管。 特性 • 适用于高速开关应用 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装1) • 符合 AEC Q101 要求

0.35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BCR135E6327(BCR135E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BCR135 E6327 2323+批次包装3000pcs/盘 现货数量:6000 描述 NPN硅数字晶体管 特性 • 开关电路、逆变器、接口电路驱动电路 • 内置偏置电阻 (R1=10 kΩ, R2=47 kΩ) • BCR135S：两个内部隔离的晶体管，在一个多芯片封装中具有良好的匹配性 • BCR135S：有关卷轴中的方向，请参见下面的封装信息 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 • 符合 AEC Q101 要求

0.35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BCR135E6327(BCR135E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BCR135 E6327 2323+批次包装3000pcs/盘 现货数量:6000 描述 NPN硅数字晶体管 特性 • 开关电路、逆变器、接口电路驱动电路 • 内置偏置电阻 (R1=10 kΩ, R2=47 kΩ) • BCR135S：两个内部隔离的晶体管，在一个多芯片封装中具有良好的匹配性 • BCR135S：有关卷轴中的方向，请参见下面的封装信息 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 • 符合 AEC Q101 要求

0.35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BGA524N6E6327(BGA524N6E6329XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA524N6 E6327 2111+批次包装15000pcs/盘 现货数量:4850 描述 用于全球导航卫星系统（GNSS）的硅锗低噪声放大器 特性 • 高插入功率增益：19.6 dB • 带外输入三阶截取点：-4dBm • 输入 1 dB 压缩点：-12 dBm • 低噪声系数：0.55 dB • 极低电流消耗：2.5 mA • 工作频率：1550 - 1615 MHz • 电源电压：1.5 V 至 3.3 V • 数字开/关开关（1V 逻辑高电平） • 超小型 TSNP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2） • B7HF 硅锗技术 • RF 输出内部匹配至 50 Ω • 仅需 1 个外部 SMD 元件 • 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚） • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAR66E6327(BAR66E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR66 E6327 26+批次包装3000pcs/盘 现货数量:24000 商品参数 属性 参数值 工作温度 -55℃~+125℃ 属性 参数值 功能特性

1.1含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP640ESDH6327(BFP640ESDH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP640ESD H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:108000 描述 BFP640ESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，采用塑料双发射极标准封装，带有可见引线。该设备配有内部保护电路，大大增强了对 ESD 和高 RF 输入功率的抵抗能力。该设备结合了坚固性、非常高的射频增益和低工作电流下的最低噪声系数，可用于广泛的无线应用。BFP640ESD 特别适合便携式电池供电应用，因为降低功耗是该类应用的关键要求。设备设计支持高达 4.1 V 的集电极电压。 特性 • 基于英飞凌可靠、高容量 SiGe:C 晶圆技术的坚固耐用的高性能低噪声放大器 • 由于集成了保护电路，因此具有 2 kV ESD 抗扰度 (HBM) • 最大射频输入功率高达 21 dBm • 1.5 GHz 时最小噪声系数典型值为 0.65 dB，2.4 GHz 时为 0.7 dB，6 mA • 1.5 GHz 时最大增益 Gms 典型值为 26.5 dB，2.4 GHz 时为 23 dB，30 mA • 2.4 GHz 时 OIP3 典型值为 27 dBm，30 mA • 提供精确的 SPICE GP 模型，可实现高效的在研设计（参见第 6 章） • 易于使用，无铅、无卤素（符合 RoHS 标准）标准封装，引脚可见

1.1含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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DPS368(DPS368XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

DPS368 25+批次包装2500pcs/盘 现货数量:3 描述 XENSIV ™ DPS368 是一款微型数字气压传感器，具有超高精度（±2 厘米）和低电流消耗，可测量压力和温度。其 IPX8 等级可在水下 50 米处存活一小时。电容式感应确保温度变化的高精度。小型封装（2.0 x 2.5 x 1.1 mm3）使 DPS368 成为移动应用和可穿戴设备的理想选择。 特性 • 封装尺寸：8 引脚 LGA，2.0 x 2.5 x 1.1 mm3 • 工作范围： • 压力：300–1200 hPa • 温度：-40–85°C • 精度：± 0.002 hPa（或 ±0.02 m） • 相对。精度：± 0.06 hPa（或±0.5 m） • Abs.精度：± 1 hPa（或±8 m） • 温度精度：± 0.5°C • 平均。电流消耗：1.7 µA（压力测量）@1Hz 采样率，待机：0.5 µA。 • 集成 FIFO • 接口：I2C 和 SPI（均带有可选中断） 应用 • 家用电器

15含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAS3010B-03WE6327(BAS3010B03WE6327HTSA1-HXY)品牌Infineon(英飞凌)

BAS3010B-03W E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:6000 描述 中功率AF肖特基二极管 特性 • 正向电流：1A • 反向电压：30V • 低正向电压，低反向电流 • 适用于高效 DC/DC 转换、快速开关、保护和钳位应用 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 汽车高压电动压缩机

3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFR93AWH6327(BFR93AWH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR93AW H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:120000 描述 硅NPN晶体管，采用SOT323 (S-mini)塑料封装。BFR93AW使用的晶体与采用SOT23封装的BFR93A相同。 特性 金属化镀金确保极佳的可靠性 高功率增益 小型封装 应用 信号频率高达1 GHz的RF放大器、混频器和振荡器

0.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFR93AE6327(BFR93AE6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR93A E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:42000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于集电极电流为 2 mA 至 30 mA 的低噪声、高增益宽带放大器 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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IRLML2244TRPBF品牌Infineon(英飞凌)

IRLML2244TRPBF 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量15000 描述 翻译 ID:5A,VDSS:20V,RDON:35mR,VGS:12V,TYPE:P沟道, —— 技术参数 —— Package SOT-23 ID/A 5 VDS/V 20 RDS(on)/mΩ 35 VGS/V 12 VGS(th)/V 0.4-1.0 N/P P

0.38含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BCR22PNH6327(BCR22PNH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BCR22PN H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:810000 商品特性 • 开关电路、反相器、接口电路、驱动电路 • 单封装内集成两个（电流）内部隔离的NPN/PNP晶体管 • 内置NPN和PNP偏置电阻（R₁ = 22 kΩ，R₂ = 22 kΩ） • 无铅（符合RoHS标准）封装 • 符合AEC Q101标准

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD1P0RFWH6327(ESD1P0RFWH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD1P0RFW H6327 2450+批次包装3000pcs/盘 现货数量:68000 描述 RF ESD保护二极管 特性 • RF天线/接口或超高速数据线的ESD/瞬态保护。符合：IEC61000-4-2 (ESD): ± 20 kV (接触)、IEC61000-4-4 (EFT): 40 A (5/50 ns)、IEC61000-4-5 (浪涌): 10 A (8/20 μs) • 超低电容，典型值 1 pF（每个二极管 0.5 pF） • 低钳位电压 • 无铅（符合 ROHS）封装

1.2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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IMYH200R100M1H(IMYH200R100M1HXKSA1)品牌Infineon(英飞凌)

IMYH200R100M1H 25+批次包装240pcs/盘 现货数量:15 描述 采用 TO-247PLUS-4-HCC 封装的 CoolSiC ™ 2000 V 100 mΩ SiC MOSFET 旨在提供更高的功率密度，即使在苛刻的高电压和开关频率条件下也不会影响系统的可靠性。CoolSiC ™技术的低功耗得益于 2000 V 优化封装中的 .XT 互连技术，从而提高了可靠性，可在串式逆变器、太阳能优化器、电动汽车充电和储能系统等应用中实现最高效率。 特性 • VDSS = 2000 V，适用于高直流母线 • 高达 1500 VDC • 极低的开关损耗 • 基准栅极阈值电压 • VGS(th) = 4.5 V • 用于硬换向的坚固二极管 • .XT 互连技术 • 提高了湿度耐受性 • 创新的 HCC 封装，具有 • 14 mm 爬电距离 • 5.5 mm 电气间隙 应用 • 储能系统

60含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFR193E6327(BFR193L3E6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR193 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:50000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低噪声、高增益放大器，频率高达 2 GHz • 适用于线性宽带放大器 • fT = 8 GHz，NFmin = 1 dB（频率 900 MHz） • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD259-B1-W0201E6327(ESD259B1W0201E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD259-B1-W0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:30000 描述 翻译 Low Clamping Voltage Bi Directional ESD/ Transient Protection DiodeTVS (transient voltage suppressor) 特性 翻译 ·ESD/transient protection according to: ·IEC61000-4-2 (ESD): ±15 kV (air/contact discharge) ·IEC61000-4-4 (EFT): ±2.5 kV/±50 A (5/50 ns) ·IEC61000-4-5 (Surge): ±2.5 A (8/20 μs) ·Bi-directional working voltage up to: VRWM = ±16 V ·Line capacitance: CL = 4.2 pF (typical) at f = 1 MHz ·Optimized RF-linearity performance ·Ultra Low Dynamic Resistance RDYN = 0.29 Ω typical ·Small form factor SMD size 0201, low profile (0.58 mm x 0.28 mm x 0.15 mm) ·Pb-Free(RoHS compliant) and halogen free package 应用 翻译 Audio line, speaker, headset, microphone Keypad, touchpad, buttons, convenience keys LCD displays, camera, audio lines, mobile communication, consumer products (E-Book, MP3, DVD, DSC...) Notebooks tablets and desktop computers and their peripherals

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD249-B1-W0201E6327( ESD249B1W0201E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD249-B1-W0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:30000 商品特性 静电放电（ESD）/瞬态保护符合以下标准： IEC61000-4-2（ESD）：±16 kV（空气放电/接触放电） IEC61000-4-4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2.5 kV / ±50 A（5/50 ns） IEC61000-4-5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） 双向工作电压最高可达：VRWM = ±18 V 线路电容：在f = 1 MHz时，CL = 4.2 pF（典型值） 钳位电压：在ITLP = 16 A且RDYN = 0.27 Ω（典型值）时，VCL = 23.5 V（典型值） 极低的反向电流：IR < 1 nA（典型值） 小尺寸贴片封装0201，外形低矮，尺寸为0.58 mmx0.28 mmx0.15 mm 双向对称的电流/电压（I/V）特性，便于优化设计/组装 无铅（符合RoHS标准）且无卤封装 应用领域 用于音频、耳机和人体数字接口中高灵敏度集成电路（IC）/专用集成电路（ASIC）的静电放电保护 为小型化现代电子产品提供节省空间和高性能的专用解决方案

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD239-B1-W0201E6327(ESD239B1W0201E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD239-B1-W0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:45000 商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流-电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护： • IEC61000-4-2（ESD）：±16 kV（空气放电）/ ±16 kV（接触放电） • IEC61000-4-4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：V_WM = ±22 V • 线路电容：在f = 1 MHz时，C_L = 3.2 pF • 钳位电压：在I_TLP = 16 A且R_dyn = 0.27 Ω时，V_cl = 26.5 V • 极低的泄漏电流：I_L = 1 nA • 小型表面贴装器件（SMD）尺寸0201，薄型封装（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合RoHS标准 应用领域 • 移动设备的电源线、USB Type-C 总线（Vbus）线路、快速充电 • 无线充电、近场通信（NFC）、音频线路

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD120-B1-W0201E6327(ESD120B1W0201E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD120-B1-W0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:30000 描述 双向、2.1 V、0.28 pF、0201、符合 RoHS 和无卤素标准 特性 • ESD/瞬态保护符合以下标准： • IEC61000-4-2 (ESD): ±15/±15 kV（空气/接触放电） • IEC61000-4-4 (EFT): ±1.5 kV / ±30 A (5/50 ns) • IEC61000-4-5 (Surge): ±1.5 A (8/20 μs) • 双向工作电压高达：VWM = ±2.1 V • 线路电容：CL = 0.28 pF（典型值），f = 1 MHz • 钳位电压：VCL = 19 V（典型值），ITLP = 16 A，RDYN = 0.94 Ω（典型值） • 极低的反向电流：IR = 1 nA（典型值） • 小尺寸 SMD 封装0201 和薄型（0.58 毫米 x 0.28 毫米 x 0.15 毫米） • 双向和对称 I/V 特性，可优化设计/组装 应用 • 移动设备和智能手机解决方案

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BGS12PN10E6327(BGS12PN10E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGS12PN10 E6327 25+批次包装7500pcs/盘 现货数量:64700 描述 BGS12PN10 是单刀双掷 (SPDT) 高线性度、高功率射频开关针对高达 6.0 GHz 的移动电话应用进行了优化。该单电源芯片集成了片上 CMOS 逻辑，由简单的 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同，0.1 dB 压缩点超出了开关最大输入功率水平，从而导致所有信号电平均具有线性性能，并且仅当外部施加直流电压时才需要射频端口上的外部直流阻断电容器。BGS12PN10 可实现UL（B1 + B3）、（B2 + B4）、DL-CA（B4 + B12）和 SV-LTE（B5 + B13）的关键频段组合。该设备可处理高达 38 dBm 的极高发射信号电平，同时表现出低损耗以节省电池电量。超高线性度器件对系统灵敏度。例如，整个射频前端的线性度增加 3 dBm，可实现 6 dB 更好的信噪比。因此， 数据速率提高了 40%，例如从 20 Mbps（QAM16 4/5）提高到 33 Mbps（QAM64 4/5）。BGS12PN10 代表一流的 ISO 和 IL所有频率下的性能。 特性 • 最高射频功率：38 dBm • 两个超低损耗端口： • 0.17 dB @ f=0.9 GHz，PIN=38dBm • 0.22 dB @ f=1.9 GHz，PIN=38dBm • 0.26 dB @ f=2.7 GHz，PIN=33dBm • 0.37 dB @ f=3.6 GHz，PIN=33dBm • 0.68 dB @ f=5.8 GHz，PIN=33dBm • 如果射频端口上未施加外部直流电，则无需直流去耦元件 • 高 ESD 稳健性 • 低谐波产生 • 高线性度：75dBm IIP3 • 无需电源阻断 • 电源电压范围： 1.8 至 3.6V • 电源电压范围内无插入损耗变化 • 电源电压范围内线性度无变化 • 0.5 至 6.0 GHz 覆盖范围 • 小尺寸 1.1 mm x 1.5 mm • 400 µm 焊盘间距 • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 翻译 • 27nH shunt inductor

3.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAT15-04WH6327(BAT1504WH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT15-04W H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:156000 描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-04W 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 1.4 nH(typical) • Low capacitance C = 0.3 pF(typical)at 1 MHz • Industry standard SOT323-3 package(2 mm x 2.1 mm x 0.9 mm) • Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 翻译 • For mixers and detectors in:

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFR360L3E6765(BFR360L3E6765XTMA1）品牌Infineon(英飞凌)

BFR360L3 E6765 25+批次包装15000pcs/盘、 现货数量:123000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 低电压/低电流操作 • 适用于低噪声放大器 • 适用于高达 3.5 GHz 且 Pout > 10 dBm 的振荡器 • 低噪声系数：1.8 GHz 时为 1.0 dB • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BCR401UE6327(BCR401UE6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BCR401U E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:33000 描述 BCR401U 线性 LED 驱动器 IC 专为驱动通用和汽车照明应用中的低功率 LED 而设计。 特性 • LED 驱动电流预设为 10 mA • 输出电流可调 • 电源电压高达 40 V • PNP 晶体管功率级 • 可通过外部晶体管进行 PWM 调光 • 功耗高达 750 mW • 符合 AEC Q101 要求 应用 • 高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 和自动驾驶 (AD)

1.2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BBY57-02VH6327(BBY5702VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BBY57-02V H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:28500 描述 硅调谐二极管 特性 •  出色的线性度 •  高 Q 值超突变调谐二极管 •  低串联电阻 •  高电容比 •  专为移动通信设备中 VCO 的低调谐电压操作而设计 •  适用于 TCXO 和 VCXO 等控制元件 •  无铅（符合 RoHS 标准）封装

1含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BBY65-02VH6327(BBY6502VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BBY65-02V H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:21000 描述 硅调谐二极管 特性 • 高 Q 值超突变调谐二极管 • 极低的电容扩展 • 专为移动通信设备中 VCO 的低调谐电压操作而设计 • 适用于 TCXOS 和 VCXOS 等低频控制元件 • 高电容比和良好的 CV 线性度 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD203-B1-02ELSE6327(ESD203-B1-02ELS E6327)品牌Infineon(英飞凌)

ESD203-B1-02ELS E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:5000 商品特性 • 单条数据/Vbus 线的 ESD/瞬态/浪涌保护性能超标准 • IEC61000-4-2（ESD）：±30 kV（空气/接触放电） • IEC61000-4-4（EFT）：±50 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±5 A（8/20 μs） • 双向对称工作电压：VRWM = ±13.2 V • 低电容：CL = 6 pF（典型值） • 极低的 ESD 钳位电压，极低的动态电阻：RDYN = 0.29 Ω（典型值） • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • 键盘、触摸板、按钮、音频线等的 ESD 保护

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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IPP055N08NF2S(IPP055N08NF2SAKMA1)品牌Infineon(英飞凌)

IPP055N08NF2S 25+批次包装1000pcs/盘 现货数量:5000 描述 英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 80 V 具有 5.5 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比，IPP055N08NF2S 的 RDS(on) 降低了 40%，Qg 提高了 40%。 特性 • 可从分销合作伙伴处获取 • 卓越的性价比 • 适用于高和低开关频率 • 行业标准尺寸封装 • 高额定电流 • 可进行波峰焊 应用 • 汽车车载主机

5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD231-B1-W0201E6327(ESD231B1W0201E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD231-B1-W0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 25+批次包装3000pcs/盘 商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流 - 电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±30 kV（空气放电）/ ±30 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±4 kV / ±80 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±12 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：VWM = ±5.5 V • 线路电容：在f = 1 MHz时，CL = 3.5 pF • 钳位电压：在ITLP = 16 A且Rdyn = 0.3 Ω时，Vcl = 12 V • 极低的漏电流：IL = 1 nA • 小尺寸贴片封装0201，低外形（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合RoHS标准 应用领域 • 低速USB线（D+/D-、CC/SBU）、移动产业处理器接口（MIPI）、SD卡、SIM卡 • 键盘、触摸板、按钮、便捷按键、液晶显示器、摄像头、音频线

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ESD217-B1-02ELE6327(ESD217B102ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD217-B1-02EL E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:15000 商品特性 • 静电放电（ESD）/瞬态保护符合以下标准： • IEC61000-4-2（ESD）：±30 kV（空气放电），±25 kV（接触放电） • IEC61000-4-4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±3 kV / ±60 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 非对称、双向工作电压最高可达 VRWM = +14 V / -8 V • 低电容：CL = 9 pF（典型值） • 低钳位电压：在 ITLP = 16 A 时，VCL = 26 V（典型值） • 极低反向电流：IR < 1 nA（典型值） • 超低动态电阻：RDYN = 0.2 Ω（典型值） • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • USB 2.0、10/100 以太网、火线（Firewire）、数字视频接口（DVI） • 移动通信 • 消费类产品（标准电话（STD）、MP3、DVD、数码相机（DSC）等） • 液晶显示器（LCD）、相机 • 笔记本电脑和台式电脑及其外设

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ESD132-B1-W0201E6327品牌Infineon(英飞凌)

ESD132-B1-W0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:15000 商品概述 这款英飞凌瞬态电压抑制器（TVS）器件具有双向对称的 I / V 特性，便于优化设计和组装。 商品特性 • 符合以下标准的 ESD / 瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±30 kV（空气放电）/ ±30 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（EFT）：±4 kV / ±80 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±9 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：VWM = ±5.5 V • 线路电容：f = 1 MHz 时，CL = 0.45 pF • 钳位电压：ITLP = 16 A 且 Rdyn = 0.2 Ω 时，Vcl = 7 V • 极低漏电流：IL = 100 nA（最大值） • 小尺寸 SMD 0201 封装，薄型设计（0.58x0.28x0.15 mm³） 应用领域 • USB 3.0 / 3.1 / 3.2 Gen 1 • DVI、HDMI、Display Port

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ESD128-B1-W0201E6327(ESD128B1W0201E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD128-B1-W0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:30000 商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流 - 电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 静电放电/瞬态保护符合以下标准： • IEC61000 - 4 - 2（静电放电）：±15 kV（空气放电）/ ±15 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±2 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：V_WM = ±18 V（交流），±13 V（直流） • 线路电容：在 f = 1 MHz 时，C_L = 0.3 pF • 钳位电压：在 I_TLP = 16 A 且 R_dyn = 0.85 Ω 时，V_cl = 32 V • 极低的漏电流：I_L = 1 nA • 小外形尺寸贴片封装 0201，低轮廓（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合 RoHS 标准 应用领域 • 近场通信（NFC）应用中射频信号线的静电放电保护

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IM72D128V01(IM72D128V01XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

IM72D128V01 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:15000 商品概述 IM72D128V01 是一款专为需要极高信噪比（低自噪声）和低失真（高AOP）的应用而设计的超高性能数字PDM MEMS麦克风，并且具有IP57级别的防尘防水功能。一流的72dB(A)信噪比使其能够拾取远场和低音量音频。平坦的频率响应（20Hz低频滚降）和严格的制造公差提升了多麦克风（阵列）应用的性能。数字麦克风ASIC包含一个极低噪声的前置放大器和一个高性能的sigma-delta ADC。可以根据特定的时钟频率和电流消耗需求选择不同的电源模式。每个IM72D128V01麦克风都使用先进的英飞凌校准算法进行校准，从而实现了低灵敏度公差（±1dB）。 应用领域 • 主动降噪（ANC）耳机和耳塞 • 带有语音用户界面（VUI）的设备 • 智能音箱 • 家庭自动化物联网设备 • 高质量音频采集 • 笔记本电脑和平板电脑 • 会议系统 • 相机和摄像机 • 工业或家庭监控，带音频模式检测

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ESD108-B1-CSP0201E6327品牌Infineon(英飞凌)

ESD108-B1-CSP0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:30000 商品特性 依据以下标准对高速数据线进行ESD/瞬态保护： IEC61000-4-2（ESD）：±25 kV（空气/接触放电） IEC61000-4-4（EFT）：±2.5 kV / ±50 A（5/50 ns） IEC61000-4-5（浪涌）：±2.5 A（8/20 μs） 双向工作电压高达：VRWM = ±5.5 V 线路电容：在f = 1 MHz时，CL = 0.28 pF（典型值） 钳位电压：在ITLP = 16 A且RDYN = 0.78 Ω（典型值）时，VCL = 20 V（典型值） 极低的反向电流：IR < 1 nA（典型值） 由于极低的寄生电感，钳位过冲最小化 小尺寸SMD 0201封装且厚度低（0.58 mm x 0.28 mm x 0.15 mm） 双向对称的I/V特性，便于优化设计和组装 无铅（符合RoHS标准）且无卤封装 应用领域 USB 3.0、Firewire、DVI、HDMI、S-ATA、DisplayPort、Thunderbolt 移动HDMI链路、MDDI、MIPI、SWP / NFC

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BGSX44MU18E6327(BGSX44MU18E6327XUSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGSX44MU18 E6327 25+批次包装4500pcs/盘 现货数量:4500 商品概述 BGSX44MU18射频CMOS开关专为LTE和5G FR1四天线应用而设计。这款4P4T交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。 该开关通过MIPI RFFE控制接口进行控制。片上控制器支持1.65至1.95V的电源电压。该开关具备直接连接电池的功能和无直流偏置的射频端口。与砷化镓技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部隔直电容。该器件尺寸极小，仅为2.0 mm×2.4 mm，厚度为0.63 mm。 商品特性 • 高达37 dBm峰值功率的高线性度 • 适用于5G SRS应用的快速切换时间（最大2 μs） • 高达7.125 GHz的低插入损耗和高端口间隔离度 • 低功耗，可使用MIPI RFFE电源 • MIPI RFFE 2.1控制接口 • 软件和硬件可编程的USID • 超薄无引脚塑料封装（MSL - 3，按照IPC/JEDEC J - STD - 20标准，260 ℃） • 符合RoHS和WEEE标准的封装 • 无卤 • 无铅 应用领域 • 蜂窝移动设备的4P4T天线路由/切换 • 5G SRS应用的4P4T天线路由/切换 • GSM、WCDMA、LTE和5G FR1应用 • 4x4 MIMO应用 • 降低比吸收率（SAR）

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BGS16MA12E6327(BGS16MA12E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGS16MA12 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:4500 描述 适用于 LTE 分集、Tx 和 LAA 应用的 MIPI 2.0 SP6T 开关此 SP6T RF 开关是基于 LTE 和 WCDMA 的多模手机的完美解决方案。它基于英飞凌的专有技术，具有出色的射频性能。超低插入损耗帮助客户实现高系统灵敏度，LTE Tx 功率和 6 GHz 的覆盖范围可实现非常广泛的应用。它具有无直流射频端口，仅当外部施加直流电压时才需要在射频端口处使用外部直流阻断电容器。其片上MIPI RFFE 2.0控制器完全兼容行业标准。 特性 • 0.1 至 6 GHz 覆盖范围，适用于 LTE 和 LAA 应用 • LTE TX 功率处理能力 • 超低插入损耗：频段 42 时为 0.65dB • 小尺寸 1.1mm x 1.9mm • 完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 标准 • 无需去耦电容（除非在 RF 线路上施加直流电） • 低谐波产生 • 高端口间隔离 • 片上控制逻辑，包括 ESD 保护 • 无需电源阻断 • 高 EMI 稳健性 • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 • 消费类电子产品

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BFP410H6327(BFP410H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP410 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:60000 描述 适用于低电流应用的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 适用于手持设备的低电流设备 • 适用于高频振荡器，例如用于 LNB 的 DRO • 适用于 ISM 频段应用，例如自动抄表、传感器等。 • 传输频率 fT = 25 GHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

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ESD111-B1-W0201E6327(ESD111B1W0201E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD111-B1-W0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:180000 描述 双向、5.5 V、0.12 pF、0201、符合 RoHS 和无卤素标准 特性 • ESD/瞬态保护符合以下标准： • IEC61000-4-2 (ESD): ±14/±11 kV（空气/接触放电） • IEC61000-4-4 (EFT): ±1 kV / ±20 A (5/50 ns) • IEC61000-4-5 (Surge): ±2 A (8/20 μs) • 双向工作电压高达：VWM = ±5.5 V • 线路电容：CL = 0.12 pF（典型值），f = 2.5 GHz • 钳位电压：VCL = 30 V（典型值），ITLP = 16 A，RDYN = 1.29 Ω（典型值） • 极低反向电流：IR < 1 nA（典型值） • 小尺寸 SMD 尺寸 0201 且厚度薄（0.58 毫米 x 0.28 毫米 x 0.15 毫米） • 双向和对称 I/V 特性，可优化设计/组装 应用 • 智能恒温器

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BFP840FESDH6327(BFP840FESDH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP840FESD H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:75000 描述 BFP840FESD 是一款分立式射频异质结双极晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能，适用于 5 GHz 频段应用。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度 • 高转换频率 fT = 85 GHz，可在高频下实现最佳的噪声系数：NFmin = 0.75 dB（5.5 GHz、1.8 V、5 mA） • 高增益 Gms = 23 dB（5.5 GHz、1.8 V、10 mA） • OIP3 = 22 dBm（5.5 GHz、1.8 V、10 mA） • 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻） • 薄型、小尺寸无引线封装

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BFP405H6327(BFP405H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP405 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:18000

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BGA420H6327(BGA420H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA420 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:18000 商品特性 • 可级联的50 Ω增益模块 • 无条件稳定 • 在1.8 GHz时，增益|S₂₁|² = 13 dB • 在1.8 GHz时，输出三阶交调截点IP₃ₒᵤₜ = +13 dBm（Vᴅ = 3 V，Iᴅ典型值为6.7 mA） • 在1.8 GHz时，噪声系数NF = 2.2 dB • 在1.8 GHz时，反向隔离度 > 28 dB，输入/输出回波损耗 > 12 dB • 无铅（符合RoHS标准）封装

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ESD200-B1-CSP0201E6327品牌Infineon(英飞凌)

ESD200-B1-CSP0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:60000 商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的伏安（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±19 kV（空气放电）/ ±17 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：VWM = ± 5.5 V • 线路电容：在f = 1 MHz时，CL = 6.5 pF • 钳位电压：在ITLP = 16 A且Rdyn = 0.2 Ω时，Vcl = 13 V • 极低的泄漏电流：IL = 1 nA • 小尺寸贴片封装0201，薄型（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合RoHS标准 应用领域 • 键盘、触摸板、按键、便捷按键、液晶显示器、摄像头、音频线路 • 移动通信、笔记本电脑、平板电脑、台式计算机、模块（WIFI、指纹、闪存）

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BGT60TR13CE6327(BGT60TR13CE6327XUMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGT60TR13C E6327 25+批次包装4500pcs/盘 现货数量:1041 商品概述 BGT60TR13C 是一款带有封装天线的 60 GHz 雷达传感器，能够在小封装内实现超宽带 FMCW 操作。通过数字接口可以进行传感器配置和数据采集，集成的状态机实现了独立的数据采集，并优化了功耗模式以达到最低功耗。 应用领域 雷达前端用于手势感应 高分辨率FMCW雷达 短距离感应操作 隐藏在天线罩后的感应应用

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ESD131-B1-W0201E6327(ESD131B1W0201E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD131-B1-W0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:285000 商品特性 • 静电放电（ESD）/瞬态保护符合以下标准：IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±20 kV（空气/接触放电）；IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2.5 kV / ±60 A（5/50 ns）；IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3.5 A（8/20 μs） • 双向工作电压高达：VRWM = ±5.5 V • 线路电容：在 f = 1 MHz 时，CL = 0.23 pF（典型值） • 钳位电压：当 |TLP = 16 A 且 RDYN = 0.66 Ω（典型值）时，VCL = 13 V（典型值） • 极低反向电流：IR < 100 nA（最大值） • 小尺寸贴片封装 0201，薄型设计（0.58 mm x 0.28 mm x 0.15 mm） • 双向对称的 1/ν 特性，便于优化设计和组装 • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • USB 3.0 • 火线（Firewire） • 数字视频接口（DVI） • 高清多媒体接口（HDMI） • 串行高级技术附件（S - ATA） • 显示端口（DisplayPort） • 雷电接口（Thunderbolt） • 移动 HDMI 链路 • 移动显示数字接口（MDDI） • 移动行业处理器接口（MIPI） • 单线协议（SWP）/近场通信（NFC）

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ESD5V3U2U-03FH6327(ESD5V3U2U03FH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD5V3U2U-03F H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:74200 描述 超低电容 ESD 二极管阵列 特性 • 高速数据线的 ESD/瞬态保护超过：IEC61000-4-2（ESD）：20 kV（空气/接触），IEC61000-4-4（EFT）：40 A（5/50 ns），IEC61000-4-5（浪涌）：3 A（8/20 μs） • 最大。工作电压：5.3 V • 极低电容：低至 0.2 pF • 极低钳位电压：12 V 典型值 • 极低正向钳位电压：4 V 典型值 • 极低反向电流：< 1 nA 典型值 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 车载网关

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BSS139I( BSS139IXTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BSS139I 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:29790 商品概述 这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。 商品特性 N沟道 耗尽型 具备dv/dt额定值 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求 引脚无铅电镀;符合RoHS标准 应用领域 高效开关模式电源-基于半桥拓扑的有源功率因数校正

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BFR460L3E6327(BFR460L3E6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR460L3 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:9000 描述 适用于低电压/低电流应用的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 非常适合 VCO 模块和低噪声放大器 • 低噪声系数：1.8 GHz 时为 1.1 dB • SMD 无铅封装 • 出色的 ESD 性能（典型值 1500V (HBM)） • 22 GHz 的高 fT • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 移动设备和智能手机解决方案

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BFR183E6327(BFR183E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR183 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:9000 描述 NPN 硅射频晶体管，用于集电极电流为 2 mA 至 30 mA 的低噪声、高增益宽带放大器 特性 • 适用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流为 2 mA 至 30 mA • fT = 8 GHz，F = 0.9 dB @ 900 MHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 家庭娱乐应用的半导体解决方案

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BCR512E6327(BCR512E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BCR512 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:138000 描述 NPN硅数字晶体管 特性 • 内置偏置电阻 (R1= 4.7 kΩ, R2= 4.7 kΩ) • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 • 符合 AEC Q101 要求

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BAT17-04E6327( BAT1704E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT17-04 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:372000 描述 硅肖特基二极管 特性 • 适用于 VHF/UHF 范围内的混频器应用 • 适用于高速开关应用 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.28含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAT165E6327(BAT165E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT165 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:1598 描述 中等功率 AF 肖特基二极管。 特性 • 正向电流：750 mA • 反向电压：40 V • 适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 电动汽车牵引逆变器

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BFR106E6327(BFR106E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR106 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:62800 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 高线性低噪声射频晶体管 • 22 dBm OP1dB 和 31 dBm OIP3 @ 900 MHz，8 V，70 mA • 适用于 UHF / VHF 应用 • 多级放大器驱动器 • 适用于线性宽带和天线放大器 • 集电极设计支持 5 V 电源电压 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

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BFP740FH6327(BFP740FH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP740F H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:39000描述 BFP740F 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 特性 翻译 • 低噪声系数 NFmin = 1 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 6 mA • 高增益 Gms：21 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA • OIP3 = 24 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA • 薄型小尺寸无引线封装 应用 • 家用机器人

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BAT15-03WE6327(BAT1503WE6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT15-03W E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:6000 描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-03W 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 1.8 nH(typical) • Low capacitance C = 0.28 pF(typical)at 1 MHz • Industry standard SOD323 package(2.5 mm x 1.25 mm x 0.9 mm) • Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 • 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)

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ESD245-B1-W0201E6327(ESD245B1W0201E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD245-B1-W0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:300000 商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流 - 电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±18 kV（空气放电）/ ±15 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±5.5 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：V_WM = ± 5.5 V • 线路电容：在f = 1 MHz时，C_L = 5.8 pF • 钳位电压：在I_TLP = 16 A且R_dyn = 0.10 Ω时，V_cl = 7.5 V • 极低的泄漏电流：I_L = 1 nA • 小尺寸贴片封装0201，薄型设计（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合RoHS标准 应用领域 • 键盘、触摸板、按键、便捷按键、液晶显示器、摄像头、音频线路 • 移动通信设备、笔记本电脑、平板电脑、台式电脑、模块（WIFI、指纹识别、闪存）

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFQ19SH6327(BFQ19SH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFQ19S H6327 25+批次包装1000pcs/盘 现货数量:10000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于天线和电信系统中低噪声、低失真宽带放大器，频率高达 1.5 GHz，集电极电流为 10 mA 至 70 mA • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAR64-02VH6327(BAR6402VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR64-02V H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量；111000 描述 这款英飞凌成本优化的射频 PIN 二极管具有快速开关高压处理能力、低功耗，最适合高达 3 GHz 的频率。其极低的电容和极低的正向电阻使其适用于各种开关应用，简化设计并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 • 电压 VR = 0 V 且频率 f ≥ 1 GHz 时，电容 C = 0.23 pF（典型值） • 正向电流 IF = 5 mA 且频率 f = 100 MHz 时，正向电阻 RF = 1.4 Ω（典型值） • 低电感 Ls = 0.6 nH（典型值） • 载流子寿命 τ = 75 ns（典型值） • 行业标准 SC79 封装（1.6 mm x 0.8 mm x 0.55 mm） • 无铅、符合 RoHS 且无卤素 应用 翻译 • Optimized for low bias current RF and high-speed interface switches and attenuators

0.38含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BGA855N6E6327(BGA855N6E6327)品牌Infineon(英飞凌)

BGA855N6 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:168000 描述 BGA855N6 旨在增强 L2/L5 频段的 GNSS 信号灵敏度，尤其适用于非常高的精度。除了 GPS L5 和 L2 之外，GNSS LNA 还覆盖伽利略 E5a、E5b、E6、格洛纳斯 G3、G2 和北斗 B3 和 B2 频段，频率范围为 1164 MHz 至 1300 MHz。LNA 提供 17.8 dB 增益和 0.6 dB 噪声系数，电流消耗为 4.8mA。BGA855N6 基于英飞凌科技的 B9HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.1 V 至 3.3 V。 特性 • 用于 L2/L5 频率的 GPS LNA • 将 GPS 精度提高到厘米级（约 30 厘米） • 改进 GPS 的室内导航 • 1.2V 支持 • 专为高精度 GPS 设备设计 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V

1含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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SAK-TC397XP-256F300SBC品牌Infineon(英飞凌)

SAK-TC397XP-256F300S BC 2202+批次包装3000pcs/盘 现货数量:3 —— 技术参数 —— Product Status active and preferred Product Status active and preferred Package name PG-LFBGA-292 Package name PG-LFBGA-292 Clock Frequency max Clock Frequency max Clock Frequency 300 MHz Clock Frequency 300 MHz ASIL/SIL support ASIL-D/ SIL-3 ASIL/SIL support ASIL-D/ SIL-3 # of cores / lockstep cores 6/4 # of cores / lockstep cores 6/4 Type of Memory Type of Memory Program Memory 16 MByte Program Memory 16 MByte SRAM (incl. Cache) 2816 kByte SRAM (incl. Cache) 2816 kByte CAN Nodes 12 CAN Nodes 12 Number of ADC Modules 18 Number of ADC Modules 18 A/D Input Lines A/D Input Lines FlexRayTM 2 FlexRayTM 2 DMA Channels 128 DMA Channels 128 Temperature -40°C to 125°C Temperature -40°C to 125°C LIN 12 LIN 12 SPI 6 SPI 6 eMMC yes eMMC yes Hardware Accelerator no Hardware Accelerator no External Bus Interface External Bus Interface DSP Functionality Yes DSP Functionality Yes On-chip Clock Generation yes On-chip Clock Generation yes On-chip Voltage Regulator yes On-chip Voltage Regulator yes Real Time Clock yes Real Time Clock yes Floating Point Unit yes Floating Point Unit yes Watchdog Timer Watchdog Timer Oscillator Watchdog yes Oscillator Watchdog yes Green yes Green yes Halogen-free yes Halogen-free yes

300含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ISC0702NLS(ISC0702NLSATMA1)品牌Infineon(英飞凌)

ISC0702NLS 2116+批次包装5000pcs/盘 现货数量:100 商品概述 CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、拥有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时在设计导入过程中不影响其易实现性。 商品特性 适用于高频开关 针对充电器进行优化 经过100%雪崩测试 卓越的热阻性能 N沟道、逻辑电平 无铅引脚镀层;符合RoHS标准 根据IEC61249-2-21标准无卤 适用于标准等级应用 应用领域 软开关拓扑 移相全桥（ZVS）、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电

3.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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IRFR540ZTRPBF品牌Infineon(英飞凌)

IRFR540ZTRPBF 25+批次包装2000pcs/盘 现货数量:10000 商品概述 这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为一款极其高效可靠的器件,适用于各种应用。 商品特性 • 先进的工艺技术 • 超低导通电阻 • 175°C工作温度 • 快速开关 • 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩 • 无铅 • 无卤

3.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD5V5U5ULC E6327(ESD5V5U5ULCE6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD5V5U5ULC E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:3000 商品特性 • 高速数据线的ESD/瞬态保护性能超过： • IEC61000-4-2（ESD）：±25 kV（空气/接触） • IEC61000-4-4（EFT）：±2.5 kV/±50 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±6 A（8/20 μs） • 最大工作电压：VRWM = 5.5 V • 极低电容：CL = 0.45 pF / 输入输出端到地（典型值） • 极低动态电阻：RDYN = 0.2 Ω（典型值），输入输出端到地 • 极低反向钳位电压：在IPP = 16 A时，VCL = 9 V（典型值） • 可自由选择单线路对VBUS进行保护 应用领域 • 双USB2.0端口中所有输入输出端和VBUS线路的保护 • 10/100/1000以太网 • DVI、HDMI、FireWire

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD307-U1-02NE6327(ESD307U102NE6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD307-U1-02N E6327 2430+ 2411+批次包装75000pcs/盘 现货数量:15000 描述 USB V BUS 线路的单向 ESD/瞬态/浪涌保护 特性 翻译 • ESD / Transient / Surge protection according to: 应用 翻译 • Surge protection of USB VBUS lines in mobile devices • Pin 1 marking(lasered) • PinConf_and_SchematicDiag.vsd

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD24VS2UE6327(ESD24VS2UE6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD24VS2U E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:189000 描述 硅TVS二极管 特性 •  CAN/LIN  总线网络电源线的 ESD / 瞬态保护符合以下标准：IEC61000-4-2 (ESD): ±30kV (空气/接触)、IEC61000-4-4 (EFT): 80 A (5/50 ns)、IEC61000-4-5 (浪涌): 5 A (8/20μs)、ISO7637-2: 脉冲 1 (最大)。50 V）、脉冲 2（最大）125 V)、脉冲 3a、b (最大 800 V) • 最大工作电压：24 V • 低电容：24 pF 典型值 • 低钳位电压：< 41 V  • 极低反向电流：< 1 nA 典型值 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 柴油直喷式

0.88含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD207-B1-02ELE6327(ESD207B102ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD207-B1-02EL E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:15000 描述 超低钳位双向 ESD/瞬态保护二极管 特性 • ESD/瞬态保护符合以下标准：– IEC61000-4-2 (ESD): ±30 kV (空气/接触放电)- IEC61000-4-4 (EFT): 40 A (5/50 ns)– IEC61000-4-5 (Surge): 8A (8/20 µs) • 双向，工作电压高达 VRWM = ±3.3V 最大值。 • 低电容：CL = 14 pF（典型值） • 超低动态电阻：RDYN = 0.13 Ω 典型值。 • 低反向电流。IR = 50nA（最大值） • 无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素封装 应用 翻译 • Audio Line, Speaker, Headset, Microphone Protection • Human Interface Devices(Keyboard, Touchpad, Buttons) • Pin 1 marking(lasered) • TSLP-2 • TSSLP-2 • a)Pin configuration • b)Schematic diagram • P G-TS(S)LP -2_Dual_Diode_S erie_P inConf_and_S chematic Diag. vsd

0.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD188-B1-W0201E6327(ESD188B1W0201E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD188-B1-W0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:45500 描述 具有双向I/V特性、优异钳位性能、极低电容和插入损耗的ESD保护器件 特性 • 最大工作电压：±1 V • 二极管型 I/V 特性 • 线路电容：f = 12.8 GHz 时为 0.06 pF • 插入损耗：f = 12.8 GHz 时 0.1 dB • 钳位电压：ITLP = 16 A 时 6.9 V • IEC61000-4-2 (ESD)：±20 kV（空气）/ ±15 kV（接触） • IEC61000-4-4 (EFT)：±2 kV / ±40 A (5/50 ns) • IEC61000-4-5（浪涌）：±5 A (8/20 μs) • 小尺寸：0.58x0.28x0.15 mm³

0.4含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD150-B1-W0201E6327(ESD150B1W0201E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD150-B1-W0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:165000 描述 双向、3.3 V、0.15 pF、0201、符合 RoHS 和无卤素标准专为 USB 3.1 Gen 1 和 Gen 2 设计 特性 • ESD/瞬态保护符合以下标准： • IEC61000-4-2 (ESD): ±12/±12 kV (空气/接触放电) • IEC61000-4-4 (EFT): ±2.5 kV / ±30 A (5/50 ns) • IEC61000-4-5 (Surge): ±3 A (8/20 μs) • 双向工作电压高达：VWM = ±3.3V • 线路电容：CL = 0.15 pF（典型值），f = 10 GHz • 钳位电压：VCL = 5.4 V（典型值），ITLP = 16 A，RDYN = 0.16 Ω（典型值） • 极低反向电流：IL < 0.1 nA（典型值） • 小尺寸 SMD 尺寸 0201，薄型（0.58 mm x 0.28 mm x 0.15 mm） • 双向对称 I/V 特性，可优化设计/组装 应用 • 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD130-B1-W0201E6327(ESD130B1W0201E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD130-B1-W0201 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:75000 商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流 - 电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的 ESD/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±18 kV（空气放电）/ ±18 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2.5 kV / ±50 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±2.5 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：VWM = ±5.5 V • 线路电容：在 f = 1 MHz 时，CL = 0.3 pF • 钳位电压：在 ITLP = 16 A 且 Rdyn = 0.8 Ω 时，Vcl = 20 V • 极低的泄漏电流：IL = 1 nA • 小尺寸贴片封装 0201，薄型（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合 RoHS 标准 应用领域 • USB 3.x Gen. 1、USB 2.0 • HDMI、DisplayPort

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD114-U1-02ELE6327(ESD114U102ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD114-U1-02EL E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:390000 商品特性 • 高速数据线的静电放电（ESD）/瞬态保护能力超过 • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±20 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 最大工作电压：VRWM= 5.3mV • 超低电容：CL= 0.4 pF（典型值） • 在 ITLP= 16A 时，钳位电压极低，VCL= +20 / -15V（典型值） • 动态电阻低，RDYN= 0.5Ω（典型值） • 外形尺寸极小，最小可达0.62x0.32x0.31mm3 • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • USB 2.0、移动 HDMI 链路、MDDI、MIPI 等 • HDMI、DisplayPort、DVI、以太网、Firewire、S - ATA

0.35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD113-B1-02ELSE6327(ESD113B102ELSE6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD113-B1-02ELS E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:60000 商品特性 • 依据以下标准对高速数据线进行静电放电（ESD）/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±20 kV（空气/接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2.5 kV / ±50 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 双向，最高工作电压：VRWM = ±3.6 V • 超低压电容：在 f = 1 GHz 时，CL = 0.20 pF（典型值） • 极低钳位电压：在 ITLP = 16 A 时，VCL = 14 V（典型值） • 极低反向电流：IR < 1 nA（典型值） • 极低动态电阻：RDYN = 0.45 Ω（典型值） • 无铅无卤封装（符合 RoHS 标准） 应用领域 • USB 3.0、Firewire、DVI、HDMI、S - ATA、DisplayPort、Thunderbolt • 移动 HDMI 链路、MDDI、MIPI、SWP / NFC

0.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD112-B1-02ELE6327(ESD112B102ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD112-B1-02EL E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:120000 商品特性 • 依据以下标准对射频信号线进行静电放电（ESD）/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±20 kV（空气/接触） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 最大工作电压：VRWM 5.3V • 极低电容：CL= 0.2pF（典型值） • 低钳位电压：在 IPP= 16A 时，VCL= 29V（典型值） • 极低反向电流 IR< 1nA（典型值） • 外形尺寸极小，最小可达 0.62x0.32x0.31mm3 • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • 敏感射频信号线、蓝牙 2 类、自动抄表系统的静电放电保护 • 射频天线保护、前端模块、全球定位系统（GPS）、移动电视、调频收音机、超宽带（UWB）

0.4含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD110-B1-02ELE6327(ESD110B102ELE6327XTMA1品牌Infineon(英飞凌)

ESD110-B1-02EL E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:90000 商品特性 • 静电放电（ESD）/瞬态保护符合以下标准： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±15 kV（空气放电），±12 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±2 A（脉冲宽度 tp = 8 / 20 μs） • 双向，工作电压高达 VRWM = ±18.5V（交流） • 超低电容：CL = 0.3 pF（典型值） • 低钳位电压：在 ITLP = 16 A 时，VCL = 28 V（典型值） • 极低反向电流：IR < 1 nA（典型值） • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • 近场通信（NFC）应用中射频信号线的静电放电保护

0.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD105-B1-02ELE6327(ESD105B102ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD105-B1-02EL E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:90000 商品特性 • 超出标准的信号线静电放电（ESD）/瞬态保护 • IEC61000-4-2（ESD）：空气放电 ±30 kV/接触放电 ±25 kV • IEC61000-4-4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±50 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±5 A（8/20 μs） • 超小外形尺寸的单线二极管，封装尺寸低至 0.62 x 0.32 x 0.31 mm²（0201） • 双向、对称工作电压高达：VRWM = ±5.5 V • 低电容 CL = 0.3 pF（典型值） • 极低的钳位电压、低动态电阻：RDYN = 0.36 Ω（典型值） • 无铅封装（符合 RoHS 标准）和无卤封装 应用领域 • USB 3.0、10/100/1000 以太网、火线、DVI、HDMI、S-ATA、Display Ports • 移动 HDMI 链路、移动显示数字接口（MDDI）、移动行业处理器接口（MIPI）、单电线协议（SWP）、近场通信（NFC）

0.45含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD103-B1-02ELSE6327(ESD103B102ELSE6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD103-B1-02ELS E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:75000 描述 双向超低电容 ESD/瞬态保护 特性 翻译 • ESD/transient protection according to: • IEC61000-4-2(ESD): ±14 kV(air)/ ±10 kV(contact) • Bi-directional maximum working voltage: VWM = ±15 V • Line capacitance: CL = 0.09 pF at f = 1 GHz • Clamping voltage: Vcl = 48 V at ITLP = 16 A with Rdyn = 1.8 Ω • Very low leakage current: IL = 0.1 nA • Small form factor SMD size, low profile(0.62 x 0.32 x 0.31 mm³) 应用 • 移动设备和智能手机解决方案

0.45含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD103-B1-02ELE6327(ESD103B102ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD103-B1-02EL E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:15000 描述 双向超低电容 ESD/瞬态保护 特性 • 高速数据线的 ESD / 瞬态保护超过：– IEC61000-4-2 (ESD): ±10 kV (接触)

0.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD102-U1-02ELSE6327(ESD102U102ELSE6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD102-U1-02ELS E6327 25+批次包装15000cs/盘 现货数量:30000 描述 单向超低电容 ESD/瞬态保护二极管 特性 • 高速数据线的 ESD / 瞬态保护超过： – IEC61000-4-2 (ESD): ±20 kV (空气/接触) – IEC61000-4-4 (EFT): 2.5 kV / 50 A (5/50 ns) – IEC61000-4-5（浪涌）：3 A (8/20 μs) • 最大工作电压：VRWM = 3.3 V • 超低电容 CL = 0.4 pF（典型值） • 极低钳位电压：IPP = 16 A 时 VCL= 8 V（典型值）[2] • 极低动态电阻：RDYN = 0.19 Ω（典型值）[2] • 无铅无卤素封装（符合 RoHS 标准） 应用 • 智能扬声器设计

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD101-B1-02ELSE6327(ESD101B102ELSE6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD101-B1-02ELS E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:150000 描述 双向超低电容 ESD/瞬态保护 特性 翻译 • ESD/transient protection of high speed data lines according to: • IEC61000-4-2(ESD): ±14 kV(air), ±12 kV(contact) • IEC61000-4-4(EFT): ±1.5 kV/±30 A(5/50 ns) • IEC61000-4-5(surge): ±2 A(8/20 μs) • Bi-directional working voltage up to: VRWM = ±5.5 V • Extremely low capacitance CL = 0.1 pF(typical)at f = 1 GHz • Clamping voltage: VCL = 30 V(typical)at ITLP = 16 A with RDYN = 1.5 Ω(typical) • Very low reverse current: IR < 0.1 nA • Small form factor SMD sizes 0201 and 0402 low profile • Bi-directional and symmetric I/V characteristics for optimized design/assembly 应用 • 轻型电动车解决方案

0.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD101-B1-02ELE6327(ESD101B102ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD101-B1-02EL E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:75000 描述 双向超低电容 ESD/瞬态保护 特性 翻译 • ESD/transient protection of high speed data lines according to: • IEC61000-4-2(ESD): ±14 kV(air), ±12 kV(contact) • IEC61000-4-4(EFT): ±1.5 kV/±30 A(5/50 ns) • IEC61000-4-5(surge): ±2 A(8/20 μs) • Bi-directional working voltage up to: VRWM = ±5.5 V • Extremely low capacitance CL = 0.1 pF(typical)at f = 1 GHz • Clamping voltage: VCL = 30 V(typical)at ITLP = 16 A with RDYN = 1.5 Ω(typical) • Very low reverse current: IR < 0.1 nA • Small form factor SMD sizes 0201 and 0402 low profile • Bi-directional and symmetric I/V characteristics for optimized design/assembly 应用 翻译 • Tailored for ESD protection of capacitance-susceptible application like:

0.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ESD0P8RFLE6327(ESD0P8RFLE6327XTSA1)

ESD0P8RFL E6327 2449+ 1820+ 1903+批次包装1500pcs/盘 现货数量:33200 描述 RF ESD保护二极管 特性 • 射频天线/接口或超高速数据线的 ESD 保护符合以下标准：IEC61000-4-2 (ESD): ± 20 kV (空气/接触)，IEC61000-4-4 (EFT): 40 A (5/50 ns)，IEC61000-4-5 (浪涌): 10 A (8/20 μs) • 超低线路电容：0.8 pF @ 1 GHz（每个二极管 0.4 pF） • 超低串联电感：每个二极管 0.4 nH • 超低钳位电压 • 超小型无铅封装 1.2 x 0.8 x 0.39 mm • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

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ESD0P4RFLE6327(ESD0P4RFLE6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

ESD0P4RFL E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:35600 描述 RF ESD保护二极管 特性 • 根据 RF 天线/接口或超高速数据线的 ESD 保护。符合：IEC61000-4-2 (ESD): ± 15 KV (空气/接触) , IEC61000-4-4 (EPT): 40 A (5/50 ns) , IEC61000-4-5 (浪涌): 5 A (8/20 μs) • 极低线路电容：0.4 pF @ 1 GHz（每个二极管 0.2 pF） • 超低串联电感：每个二极管 0.4 nH • 极低钳位电压 • 超小型无引线封装：1.2x 0.8 x 0.39 毫米³ • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

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BSC014N06NS(BSC014N06NSATMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BSC014N06NS 25+批次包装2000pcs/盘 订货型号 描述 OptiMOS ™ 5 60V 针对开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流进行了优化，例如服务器、台式机和平板电脑充电器中的电源。此外，这些设备是广泛工业应用的完美选择，包括电机控制、太阳能微型逆变器和快速开关 DC-DC 转换器。 特性 • 针对同步整流进行了优化 • 与其他器件相比，RDSon 降低 40% • FOM 比同类器件高 40% • 符合 RoHS 标准 - 无卤素 • MSL1 级 应用 • 汽车车载主机

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BGT60TR13CE6327(BGT60TR13CE6327XUMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGT60TR13CE6327 2152+批次包装4500pcs/盘 现货数量:1000 描述 BGT60TR13C 是一款 60 GHz 雷达传感器，带有 L 形阵列封装天线 (AIP)。其内置的有限状态机 (FSM) 管理 FMCW 频率扫描、数据采集和样本存储到内部 FIFO 内存中，同时优化的电源模式和 DC 占空比可最大限度地降低功耗。该传感器通过标准 SPI 接口进行配置和控制，可轻松集成到各种应用程序中。 特性 • 有限状态机 (FSM) • 加速速度达 400MHz/µs • 高信噪比 (SNR) • 高带宽 >5GHz • 高灵敏度 • 封装：6.5 x 5.0 x 0.9 mm³ • <5mW（根据已发布的 FCC 豁免规定进行占空比计算） 应用 • 消费类电子产品

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BGT24MTR12(BGT24MTR12E6327XUMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGT24MTR12 2133+批次包装1000pcs/盘 现货数量:3000 描述 翻译 The BGT24MTR12 is a silicon germanium MMIC for signal generation and reception, operating from 24.00 to 26.00GHz. It is based on a 24GHz fundamental voltage controlled oscillator. A switchable frequency prescaler is included with output frequencies of 1.5GHz and 23kHz. The main RF output delivers up to 8 dBm signal power to feed an antenna. A RC polyphase filter (PPF) is used for LO quadrature phase generation of the homodyne quadrature downconversion mixer. Output power sensors as well as a temperature sensor are implemented for monitoring purposes. The device is controlled via SPI and is manufactured in a 0.18μm SiGe:C technology offering a cutoff frequency of 200GHz. The MMIC is packaged in a 32 pin leadless RoHs compliant VQFN package. 特性 翻译 ·24GHz ISM band transceiver MMIC with one transmitter and two receiver units ·Fully integrated low phase noise VCO ·Switchable prescaler with 1.5GHz and 23kHz output ·On chip power and temperature sensors ·Gilbert based homodyne quadrature receiver ·Single ended RF input terminal ·Low noise figure NFSSB: 12 dB ·High conversion gain: 26 dB ·High 1 dB input compression point: -12 dBm ·Single supply voltage 3.3 V ·Low power consumption 660 mW ·200GHz bipolar SiGe:C technology b7hf200 ·Fully ESD protected device ·VQFN-32-9 leadless plastic package incl. LTI feature ·Pb-free (RoHS compliant) package 应用 翻译 ·Police speed meters ·Street lighting projects ·Intelligent door openers ·Tank level meters ·Motion detectors ·Intruder alarms

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BGT24MTR11E6327(BGT24MTR11E6327XUMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGT24MTR11 E6327 25+批次包装1000pcs/盘 现货数量:3000 描述 翻译 The BGT24MTR11 is a silicon germanium MMIC for signal generation and reception, operating from 24.00 to 26.00GHz. It is based on a 24GHz fundamental voltage controlled oscillator. Switchable frequency prescalers are included with output frequencies of 1.5GHz and 23kHz. The main RF output delivers upto 8dBm signal power to feed an antenna and an auxiliary LO output is available to provide LO signal to separate receiver components. An LO buffer amplifier is included to relax LO drive requirements and a LNA provides low noise figure. A RC polyphase filter (PPF) is used for LO quadrature phase generation of the homodyne quadrature downconversion mixer. Output power sensors as well as a temperature sensor are implemented for monitoring purposes. The device is controlled via SPI and is manufactured in a 0.18µm SiGe:C technology offering a cutoff frequency of 200GHz. The MMIC is packaged in a 32 pin leadless RoHs compliant VQFN package. 特性 翻译 ·24GHz ISM band transceiver MMIC ·Fully integrated low phase noise VCO ·Switchable prescaler with 1.5GHz and 23kHz output ·On chip power and temperature sensors ·Gilbert based homodyne quadrature receiver ·Single ended RF and LO terminal ·Low noise figure NFSSB: 12 dB ·High conversion gain: 26 dB ·High 1 dB input compression point: -12 dBm ·Single supply voltage 3.3 V ·Low power consumption 500 mW ·200GHz bipolar SiGe:C technology b7hf200 ·Fully ESD protected device ·VQFN-32-9 leadless plastic package incl. LTI feature ·Pb-free (RoHS compliant) package 应用 翻译 ·Police speed meters ·Street lighting projects ·Intelligent door openers ·Tank level meters ·Motion detectors ·Intruder alarms

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BGT24MR2E6327(BGT24MR2E6327XUMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGT24MR2 E6327 23+批次包装1000pcs/盘 现货数量:1000

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BGT24LTR11N16E6327(BGT24LTR11N16E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGT24LTR11N16 E6327 25+ 24+ 批次包装3000pcs/盘 现货数量:16500 描述 BGT24LTR11 是一款硅锗收发器 MMIC，专为 24-24.25 GHz ISM 频段的信号生成和接收而设计。它针对多普勒雷达应用进行了优化，可将传输信号保持在 ISM 频段内，而无需外部 PLL。此外，它还可以用于其他类型的雷达，例如 FMCW 或 FSK。其紧凑的设计和强大的性能使其成为广泛雷达应用的理想解决方案。 特性 • 24GHz 收发器 MMIC • 完全集成的低相位噪声 VCO • 内置温度补偿电路，用于 VCO 稳定 • 低功耗 • 完全 ESD 保护设备 • 单端 RF 和 IF 端子 • 200GHz 双极 SiGe:C 技术 B7HF200 • 单电源电压 3.3V 应用 • 消费类电子产品

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BGSA14GN10E6327(BGSA14GN10E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGSA14GN10 E6327 2446+批次包装7500pcs/盘 现货数量:36700 描述 BGSA14GN10 是一款单刀四掷 (SP4T) RF 天线调谐开关，针对高达 6.0 GHz 的低 COFF 应用进行了优化。该单电源芯片集成了片上 CMOS 逻辑，由简单的单引脚 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同，0.1 dB 压缩点超出了开关最大输入功率水平，从而导致所有信号电平均具有线性性能，并且仅在外部施加直流电压时才需要在 RF 端口使用外部直流阻断电容器。由于其具有非常高的射频电压耐受性，它适合于切换射频匹配电路中的任何电抗设备，例如电感器和电容器，而不会造成品质因数的显著损失。 特性 • 用于天线调谐开关应用的高线性 SP4T • 导通状态下 1.6 Ω 的超低导通电阻 (RON) • 关断状态下 120 fF 的超低关断电容 (COFF) • 高最大射频电压状态处理能力 • 低谐波产生 • 如果射频端口未施加外部直流电，则无需直流去耦元件 • 电源电压范围：1.65 至 3.6 V • 电源电压范围内无插入损耗变化 • 电源电压范围内线性度变化 • 适用于 EDGE / C2K / LTE / WCDMA 应用 • 0.1 至 6.0 GHz 覆盖范围 • 小尺寸 1.1 mm x 1.5 mm • 400 µm 焊盘间距 • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 • 移动设备和智能手机解决方案

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BGSA147ML10E6327(BGSA147ML10E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGSA147ML10 E6327 25+批次包装7500pcs/盘 现货数量:15000 描述 BGSA147ML10 是一款单刀四掷 (SP4T) 天线调谐开关，针对高达 7.125 GHz 的射频应用进行了优化。其 MIPI RFFE 数字控制接口在蜂窝移动射频前端设计中运行时可轻松实现并具有最佳灵活性。BGSA147ML10 由 4 个超低导通电阻/低关断电容串联开关和 4 个分流接地开关组成，可实现按需开路反射或短反射关断端口行为。最后一个特性对于在出现不必要的天线谐振时减少天线工程师的开发时间或以较少的组件调谐工作来提高天线效率具有重要价值。与 GaAs RF 开关不同，在工作条件下的所有信号电平均可达到高度线性的 RF 性能。高射频电压耐受性和每个射频掷上的单独可编程分流接地开关使 BGSA147ML10 特别适合在射频匹配和天线调谐电路中切换电感器和电容器。 特性 • 专为高线性度天线调谐开关和射频调谐应用而设计 • 导通状态下，每个射频端口的超低 RON 电阻仅为 0.8 Ω • 关断端口单独控制反射式开路或短路至地，以消除不必要的天线谐振 • 关断状态下，每个端口的低 COFF 电容仅为 155 fF • 关断状态下，可处理高于 45 V 的高射频工作电压 • 符合 MIPI RFFE 2.1 标准的控制接口 • 外部 USID_sel 引脚可启用 3 个默认 USID 地址 • 在电源电压范围内无需更改射频参数 • 如果射频线路上未施加直流电，则无需隔直电容 • 无需电源去耦 • 小尺寸 1.1 mm x 1.5 mm x 0.39 mm (MSL1, 260° C，根据 JEDEC J-STD-020） • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 • 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)

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BGSA143ML10E6327(BGSA143ML10E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGSA143ML10 E6327 25+批次包装7500pcs/盘 现货数量:22500 描述 BGSA143ML10 是一款多功能单刀四掷 (SP4T) 射频天线调谐开关，具有开放或短反射端口，针对高达 6.0 GHz 的调谐应用进行了优化。该开关包含一个 RFFE 数字控制接口，可以采用 SP4T、SP3T、SPDT 以及 SPST 拓扑，从而为 RF 前端设计提供更好的灵活性。BGSA143ML10 包括 4 个超低 RON 串联端口和 4 个可单独切换的分流开关，以实现开路反射和短路反射行为。因此可以实现任何类型的天线调谐开关或调谐器电路。与 GaAs 技术不同，0.1 dB 压缩点超出了开关最大输入功率水平，从而导致所有信号电平均具有线性性能，并且仅在外部施加直流电压时才需要在 RF 端口使用外部直流阻断电容器。由于其具有非常高的射频电压耐受性，它适合于切换射频匹配电路中的任何电抗设备，例如电感器和电容器，而不会显著损失品质因数。 特性 • 专为高线性度天线调谐开关和射频调谐应用而设计 • 导通状态下，每个端口的超低 RON 电阻仅为 1.15 Ω • 每个开关链直接控制，RON 可降至 0.3 Ω • 关断状态下，每个端口的低 COFF 电容仅为 140 fF • 关断状态下，高射频工作峰值电压处理能力为 42 V • 低谐波产生 • MIPI RFFE 控制接口 • 可通过 USID_Sel 引脚上的外部条件和 SCLK/SDATA 交换模式启用 4 个 USID 地址 • 电源电压范围内无射频参数变化 • 小尺寸 1.1 mm x 1.5 mm（MSL1，260°C，符合 JEDEC J-STD-020 标准） • RoHS并符合 WEEE 标准的包装 应用 • 信息和通信技术

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BGS14WMA9E6327(BGS14WMA9E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGS14WMA9 E6327 25+批次包装4500pcs/盘 现货数量:9000 描述 BGS14WMA9 是一款单刀四掷 (SP4T) 分集开关，专为 WLAN 和蓝牙应用而设计，采用非常紧凑的 9 针封装，尺寸非常小，仅为 1.1 x 1.1 mm2，厚度为 0.55 mm。4 个端口中的任何一个都可以用作分集天线的终端，处理功率高达 26 dBm。与 GaAs 技术不同，仅当外部施加直流电压时才需要在 RF 端口使用外部直流阻断电容器。BGS14WMA9 RF 开关采用英飞凌的专利 MOS 技术制造，具有 GaAs 的性能、传统 CMOS 的经济性和集成性，包括固有的更高的 ESD 稳健性。 特性 • RF CMOS SP4T 天线分集开关，功率处理能力高达 26 dBm • 高开关速度 • 适用于 WLAN 和蓝牙应用 • 0.05 至 6.0 GHz 覆盖范围，适用于 FM 广播、LTE、LAA 和 5G 应用 • 低插入损耗和谐波产生，高达 6 GHz 的端口间高隔离度 • 低电流消耗 • 片上控制逻辑，包括 ESD 保护 • 完全兼容 MIPI RFFE 2.1 标准，工作电压范围为 1.65 至 1.95 V • 软件可编程 MIPI RFFE USID • USID 交换功能 • 小尺寸，尺寸为 1.1 x 1.1 mm2 • 无需电源阻断 • 无需去耦电容（除非在 RF线） • 隔离模式下启用 50 Ω 终端 • 高 EMI 稳健性 • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 • 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)

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BGS14PN10E6327(BGS14PN10E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGS14PN10 E6327 25+批次包装7500pcs/盘 现货数量:41900 描述 BGS14PN10 是单刀四掷 (SP4T) 高线性度、高功率射频开关针对高达 6.0 GHz 的移动电话应用进行了优化。该单电源芯片集成了片上 CMOS 逻辑，由两个简单的 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同，0.1 dB 压缩点超出了开关最大输入功率水平，从而导致所有信号电平均具有线性性能，并且仅当外部施加直流电压时才需要射频端口上的外部直流阻断电容器。BGS14PN10 为 UL (B1 + B3)、(B2 + B4)、DL-CA (B4 + B12) 和 SV-LTE (B5 + B13) 启用关键频段组合。该设备处理非常高达 38 dBm 的发射信号电平，同时损耗较低，以节省电池电量。超高线性度器件对系统灵敏度。例如，整个射频前端的线性度增加 3 dBm，可实现 6 dB 更好的信噪比。因此， 数据速率提高了 40%，例如从 20 Mbps（QAM16 4/5）提高到 33 Mbps（QAM64 4/5）。BGS14PN10 代表在所有频率上均具有一流的 ISO 和 IL 性能。 特性 • 最高射频功率：38 dBm • 两个超低损耗端口（RF1 和 RF3）： • 0.19 dB @ f=0.9 GHz，PIN=38dBm • 0.29 dB @ f=1.9 GHz，PIN=38dBm • 0.51 dB @ f=2.7 GHz，PIN=33dBm • 1.20 dB @ f=3.8 GHz，PIN=33dBm • 1.90 dB @ f=5.8 GHz，PIN=33dBm • 两个低损耗端口（RF2 和 RF4）： • 0.32 dB @ f=0.9 • GHz，PIN=38dBm 0.40 dB @ f=1.9 GHz， PIN=38dBm • 0.64 dB @ f=2.7 GHz, PIN=33dBm • 1.19 dB @ f=3.8 GHz, PIN=33dBm • 1.78 dB @ f=5.8 GHz, PIN=33dBm • 如果未在 RF • 端口上施加外部直流电，则无需直流去耦元件 • 高 ESD 稳健性 • 低谐波产生 • 高线性度 • RF1/RF3 72 dBm IIP3 • RF2/RF4 74 dBm IIP3 • 无需电源阻断 • 电源电压范围：1.8 至 3.6V • 电源电压范围内无插入损耗变化 • 电源电压范围内线性度无变化范围 • 0.5 至 6.0 GHz • 覆盖范围 小尺寸 1.1 mm x 1.5 mm • 400 µm 焊盘间距 • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 翻译 • 27nH shunt inductor

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BGS14M8U9E6327(BGS14M8U9E6327XUSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGS14M8U9 E6327 25+批次包装4500pcs/盘 现货数量:58000 描述 BGS14M8U9 是一款单刀四掷 (SP4T) 大功率开关，采用紧凑型 9 引脚封装 (1.1 x 1.1 mm2)。该设备针对 5G 和其他高达 7.125 GHz 的蜂窝应用进行了优化。BGS14M8U9 具有低插入损耗、高隔离度、高线性度和高功率处理能力，非常适合 5G 和 LTE 4G 应用，例如 5G SRS、上行链路载波聚合和高功率用户设备（HPUE 2 类）。 特性 • 39 dBm 功率处理能力 • 1.3 µs 快速切换速度 • 工作频率高达 7.125 GHz，可满足最新的 5G 要求 • 完全兼容 MIPI 2.1 RFFE 标准，具有 2 个 USID • 单 VIO 电源支持 1.2 V 和 1.8 V • 端口间高隔离 • 无需电源去耦 • 如果 RF 线路上未施加直流电，则无需隔直电容 • 高 EMI 稳健性 • 超薄无铅塑料封装（MSL-3，260 C，符合 IPC/JEDEC J-STD-20 标准） 应用 翻译 • 5G and 4G Cellular handsets and cellular modems

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BGS13SN8E6327(BGS13SN8E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGS13SN8 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:60000 描述 BGS13SN8 是一款单刀三掷 (SP3T) 天线开关，适用于 2.4 GHz WiFi、蓝牙和蜂窝应用。它具有低插入损耗、高隔离度和低谐波失真的特点。BGS13SN8 采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，具有 GaAs 的性能、传统 CMOS 的经济性和集成性，包括固有的更高的 ESD 稳健性。 特性 • 适用于 WiFi、蓝牙和蜂窝应用 • 快速切换速度 • 高达 30 dBm 输入功率的高线性度 • 低插入损耗和高端口间隔离 • 低功耗 • 通用输入输出 (GPIO) 接口 • 片上控制逻辑包括 ESD 保护 • 如果 RF 线路上未施加直流电，则无需隔直电容 • 1.1 mm x 1.1 mm，高度为 0.375 mm • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 • 医疗可穿戴设备

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BGS13S4N9E6327(BGS13S4N9E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGS13S4N9 E6327 2351+批次包装15000pcs/盘 现货数量:140600 描述 BGS13S4N9 RF MOS 开关专为手机和移动应用而设计。3 个端口中的任何一个都可以用作分集天线的终端，处理功率高达 30 dBm。它具有出色的 1kV ESD 耐受性。该 SP3T 具有低插入损耗和高抗天线端口干扰信号的鲁棒性，并且在终端模式下具有低谐波产生。片上控制器集成了 CMOS 逻辑和电平转换器，由 1.35 V 至 VDD 的控制输入驱动。BGS13S4N9 射频开关采用英飞凌专利的 CMOS 技术制造，具有 GaAs 的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成性。 特性 • 3 条高线性 TRx 路径，功率处理能力高达 30 dBm • 小尺寸 1.1 x 1.1 mm2 x 0.375 mm • 低插入损耗 @2.7GHz 0.55 dB • 低谐波产生 • 高端口间隔离 • 0.1 至 3.0 GHz 覆盖范围 • 片上控制逻辑，包括 ESD 保护 • GPIO 控制接口 • 无需电源阻断 • 高 EMI 稳健性 • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

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BGS13S2N9(BGS13S2N9E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGS13S2N9 1528+批次包装1000pcs/盘 现货数量:800 商品特性 3条高线性收发（TRx）路径，功率处理能力高达30 dBm 低插入损耗 低谐波产生 高端口间隔离度 适用于EDGE、CDMA2000、LTE、WCDMA应用 覆盖0.1至3.0 GHz 若射频线路上不施加直流电压，则无需去耦电容 片上控制逻辑，包括ESD保护 通用输入输出（GPIO）接口 小尺寸封装：1.1 mm×1.1 mm×0.375 mm 无需电源阻隔 高电磁干扰（EMI）鲁棒性 符合RoHS和WEEE标准的封装 应用领域 手机 移动应用

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BGS12WN6E6327(BGS12WN6E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGS12WN6 E6327 25+批次包装120000pcs/盘 现货数量:131000 描述 BGS12WN6 是一款宽带 SPDT RF 开关，适用于各种无线系统，包括 WiFi \BT、UWB 和蜂窝系统。它的高线性度性能和低插入损耗使其成为切换发射信号的理想选择，例如作为 Tx\Rx 开关或天线分集开关。集成的片上 CMOS 逻辑允许直接连接到数字控制引脚，无需额外的接口电路，从而简化系统设计并减少元件数量。隔离端口是反射短路。该设备灵活的电压供应和控制使其能够轻松适应不同的应用和用例。BGS12WN6 采用英飞凌专有的 RF CMOS 技术制造。该设备采用微型封装，特别适合 PCB 空间至关重要的应用，可实现可用电路板空间的最佳利用。 特性 • 频率范围：0.05 至 9 GHz • 小尺寸：0.7 × 1.1 mm2，超薄外形，最大高度：0.375 mm • 快速切换速度 • 低插入损耗，高达 9 GHz 的端口间隔离 • 射频输入功率高达 30 dBm • 低电流消耗 • 如果射频线路上未施加直流电，则无需隔直电容 • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 • 汽车远程信息处理控制单元 (TCU)

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BGS12SN6E6327(BGS12SN6E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGS12SN6 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:6380 描述 翻译 The BGS12SN6 RF MOS switch is specifically designed for WLAN and Bluetooth applications. Any of the 2 ports can be used as termination of the diversity antenna handling up to 30 dBm. This single supply chip integrates on-chip CMOS logic driven by a simple, single-pin CMOS or TTL compatible control input signal. The 0.1 dB compression point exceeds the switch’s maximum input power level, resulting in linear performance at all signal levels. The RF switch has a very low insertion loss of 0.25 dB in the 1 GHz and 0.29 dB in the 2.5 GHz range. Unlike GaAs technology, external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally. The BGS12SN6 RF switch is manufactured in Infineon’s patented MOS technology, offering the performance of GaAs with the economy and integration of conventional CMOS including the inherent higher ESD robustness. The device has a very small size of only 0.7x1.1mm2 and a maximum height of 0.375 mm. 特性 • 高开关速度，非常适合 WLAN 和蓝牙应用 • 所有端口均为双向端口 • 低插入损耗 • 低谐波产生 • 高端口间隔离 • 0.1 至 6 GHz 覆盖范围 • 高 ESD 稳健性 • 片上控制逻辑 • 超小型无铅无卤素封装 TSNP-6-2 (0.7x1.1mm2)，高度仅为 0.375 mm • 如果 RF 线路上未施加直流电，则无需去耦电容 • 符合 RoHS 标准的封装 • 2 个高线性度 TRx 路径，功率处理能力高达 30 dBm

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BGS12P2L6 E6327(BGS12P2L6E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGS12P2L6 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:179000 描述 BGS12P2L6 是一款通用高功率 SPDT 开关，旨在覆盖 0.05 至 6 GHz 的广泛应用，因此非常适合 5G sub-6 GHz。其出色的射频性能优化了LTE/5G手机的发射路径（TRx）。该芯片集成了片上 CMOS 逻辑，由简单的单引脚 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同，仅当外部施加直流电压时才需要在 RF 端口使用外部直流阻断电容器。BGS12P2L6 射频开关采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，具有 GaAs 的性能、传统 CMOS 的经济性和集成性，包括固有的更高的 ESD 稳健性。该器件尺寸非常小，仅为 0.7 x 1.1 mm2，最大高度为 0.31 mm。 特性 • RF CMOS SPDT 射频开关，功率处理能力高达 37 dBm • 适用于多模 LTE 和 5G 应用 • 低插入损耗和谐波产生 • 0.05 至 6 GHz 覆盖范围 • 高端口间隔离 • 如果射频线路上未施加直流电，则无需隔直电容 • 片上控制逻辑 • 无铅无卤素封装 TSLP-6-4 • 尺寸：0.7 x 1.1 mm2，厚度为 0.31 mm • 无需电源去耦 • 高 EMI 稳健性 • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

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BGB741L7ESDE6327(BGB741L7ESDE6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGB741L7ESD E6327 25+批次包装75000pcs/盘 现货数量:15000 描述 BGB741L7ESD 是一款基于英飞凌硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术的高性能宽带低噪声放大器 (LNA) MMIC。 特性 • 最小噪声系数 NFmin = 1.05 dB（2.4 GHz、3 V、10 mA） • 电源电压范围 VCC = 1.8 至 4.0 V（TA = 25 °C） • 高 RF 输入功率稳定性：20 dBm • 集成 ESD 保护：所有引脚均为 2 kV HBM 应用 • 用于 ADAS 和自动驾驶的域控制器

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BGB707L7ESDE6327(BGB707L7ESDE6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGB707L7ESD E6327 25+批次包装7500pcs/盘 现货数量:15000 描述 BGB707L7ESD 是一款基于英飞凌硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术的高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC。 特性 • 最小噪声系数 NFmin = 0.6 dB（2.4 GHz、3 V、3 mA） • 电源电压 VCC = 1.8 V 至 4.0 V（TA = 25 °C） • 集成 ESD 保护：所有引脚均为 2 kV HBM 应用 • 电动汽车充电

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BGA824N6E6329(BGA824N6E6329XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA824N6 E6329 25+批次包装120000pcs/盘 现货数量:600000 描述 BGA824N6 是一款适用于 1550 MHz 至 1615 MHz 全球导航卫星系统 (GNSS)（例如 GPS、GLONASS、北斗、伽利略等）的前端低噪声放大器。在第 3 章描述的应用配置中，LNA 提供 17.0 dB 增益和 0.55 dB 噪声系数，电流消耗为 3.8 mA（参见数据表）。BGA824N6 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.6 V。 特性 • 高插入功率增益：17.0 dB • 带外输入三阶截取点：+7 dBm • 输入 1 dB 压缩点：-6 dBm • 低噪声系数：0.55 dB • 低电流消耗：3.8 mA • 工作频率：1550 - 1615 MHz • 电源电压：1.5 V 至 3.3 V • 数字开/关开关（1V 逻辑高电平） • 超小型 TSNP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm • B7HF 硅锗技术 • RF 输出内部匹配至 50 Ω • 仅需 1 个外部 SMD 元件 • 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚） • 无铅（符合 RoHS 标准）封装应用

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BGA824N6E6327(BGA824N6E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA824N6 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:185000 描述 BGA824N6 是一款适用于 1550 MHz 至 1615 MHz 全球导航卫星系统 (GNSS)（例如 GPS、GLONASS、北斗、伽利略等）的前端低噪声放大器。在第 3 章描述的应用配置中，LNA 提供 17.0 dB 增益和 0.55 dB 噪声系数，电流消耗为 3.8 mA（参见数据表）。BGA824N6 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.6 V。 特性 • 高插入功率增益：17.0 dB • 带外输入三阶截取点：+7 dBm • 输入 1 dB 压缩点：-6 dBm • 低噪声系数：0.55 dB • 低电流消耗：3.8 mA • 工作频率：1550 - 1615 MHz • 电源电压：1.5 V 至 3.3 V • 数字开/关开关（1V 逻辑高电平） • 超小型 TSNP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm • B7HF 硅锗技术 • RF 输出内部匹配至 50 Ω • 仅需 1 个外部 SMD 元件 • 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚） • 无铅（符合 RoHS 标准）封装应用

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BGA7L1BN6E6327(BGA7L1BN6E6327XTSA1)

BGA7L1BN6 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量:15000 描述 BGA7L1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，其频率范围覆盖 716 MHz 至 960 MHz，工作电源电压为 1.5 V 至 3.3 V。该器件具有单线双态控制（旁路和高增益模式），可通过关闭 Vcc 来启用关闭状态。 特性 • 插入功率增益：13.6 dB • 低噪声系数：0.75 dB • 低电流消耗：4.9 mA • 旁路模式下的插入损耗：-2.2 dB • 工作频率：716 - 960 MHz • 双态控制：旁路和高增益模式 • 电源电压：1.5 V 至 3.6 V • 数字开/关开关（1V 逻辑高电平） • 超小型 TSNP-6-2 无铅封装（占用空间：0.7 x 1.1 mm2） • B7HF 硅锗技术 • 射频输出内部匹配至 50 Ω • 仅需 1 个外部 SMD 元件 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BGA729N6E63279(BGA729N6E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA729N6 E6327 25+批次包装15000pcs/盘 现货数量;600 描述 BGA729N6 是一款宽带低功耗低噪声放大器 (LNA) MMIC，适用于便携式和移动电视应用，其频率范围覆盖 70 MHz 至 1000 MHz。在应用配置中，LNA 在 6.0 mA 的电流消耗下提供 16.3 dB 增益和 1.1 dB 噪声系数。在旁路模式下，LNA 提供 -4.0dB 的插入损耗。BGA729N6 基于英飞凌科技 B7HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.3 V。 特性 • 插入功率增益：16.3 dB • 旁路模式下的插入损耗：-4.0 dB • 低噪声系数：1.1 dB / 高增益/旁路模式下 4.3 dB • 低电流消耗：6.0 mA • 关机功能 • 工作频率：70 -1000 MHz • 三态控制：关闭、旁路和高增益模式 • 电源电压：1.5 V 至 3.3 V • 超小型 TSNP-6-2 无引线封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2） • B7HF 硅锗技术 • 无需外部匹配电感 • 射频输入和输出内部匹配至 50 Ω • 仅需 2 个外部 SMD 元件 • 2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚） • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 移动设备和智能手机解决方案

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BGA725L6E6327(BGA725L6E6327FTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA725L6 E6327 24+批次包装15000pcs/盘 现货数量:10500 描述 BGA725L6 是一款适用于 1550 MHz 至 1615 MHz 全球导航卫星系统 (GNSS)（例如 GPS、GLONASS、北斗、伽利略等）的前端低噪声放大器。在所述应用配置中，LNA 在 3.6 mA 的电流消耗下提供 20.0 dB 增益和 0.65 dB 噪声系数。BGA725L6 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.6 V。 特性 • 高插入功率增益：20.0 dB • 带外输入三阶截取点：-2 dBm • 输入 1 dB 压缩点：-15 dBm • 低噪声系数：0.65 dB • 低电流消耗：3.6 mA • 工作频率：1550 - 1615 MHz • 电源电压：1.5 V 至 3.6 V • 数字开/关开关（1V 逻辑高电平） • 超小型 TSLP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2） • B7HF 硅锗技术 • RF 输出内部匹配至 50 Ω • 仅需 1 个外部 SMD 元件 • 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚） • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V

3.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BGA715N7E6327(BGA715N7E6327XTSA2)品牌Infineon(英飞凌)

BGA715N7 E6327 25+批次包装7500pcs/盘 现货数量:79000 描述 BGA715N7 是一款适用于 1550 MHz 至 1615 MHz 全球导航卫星系统 (GNSS)（例如 GPS、GLONASS、北斗、伽利略等）的前端低噪声放大器。LNA 在应用配置中提供 20 dB 增益、0.7 dB 噪声系数和高线性度性能。电流消耗低至3.3 mA。BGA715N7 基于英飞凌科技的 B7HFM 硅锗技术。其工作电源电压范围为 1.5 V 至 3.3 V。 特性 • 高增益：20 dB • 低噪声系数：0.7 dB • 低电流消耗：3.3 mA • 电源电压：1.5 V 至 3.3 V • 高输入压缩点：-15.5 dBm（1.8 V 电源电压） • 高输入第三截取点：-7 dBm（1.8 V 电源电压） • B7HFM 硅锗技术 • RF 输出内部匹配至 50 Ω • 外部元件数量少 • 2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚） • TSNP-7-1/TSNP-7-2 无铅封装 • 湿度敏感度等级：MSL 1 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

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BGA622H6820(BGA622H6820XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA622 H6820 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:30000 属性 参数值 商品目录 射频低噪声放大器 工作电压 2.75V 工作电流 5.8mA 增益 15dB P1dB -16.5dBm 噪声系数 1.05dB 属性 参数值 工作温度 -65℃~+150℃ 频率 500MHz~6GHz 输入回波损耗 7dB 输出回波损耗 12dB IP3 3dBm 功能特性 输入匹配集成；ESD保护；快速使能控制；输出匹配集成

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BGA616H6327(BGA616H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA616 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:10500 描述 BGA616 是达林顿配置的宽带匹配通用 MMIC 放大器。它针对 60 mA 的典型电源电流进行了优化。BGA616 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。 特性 • 可级联 50 Ω 增益模块 • 3 dB 带宽：DC 至 2.7 GHz，1.0 GHz 时典型增益为 19.0 dB • 压缩点 P-1dB = 18 dBm（2.0 GHz 时） • 噪声系数 F50Ω = 2.60 dB（2.0 GHz 时） • 绝对稳定 • 70GHz fT - 硅锗技术 • 1 kV HBM ESD 保护（引脚对引脚） • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

3.9含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BGA614H6327(BGA614H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA614 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:49000 描述 BGA614 是达林顿配置的宽带匹配通用 MMIC 放大器。它针对 40 mA 的典型电源电流进行了优化。BGA614 基于英飞凌科技的 B7HF 硅锗技术。 特性 • 可级联 50 Ω 增益模块 • 3 dB 带宽：DC 至 2.4 GHz，1.0 GHz 时典型增益为 19 dB • 压缩点 P-1dB = 12 dBm（2.0 GHz 时） • 噪声系数 F50Ω = 2.1 dB（2.0 GHz 时） • 绝对稳定 • 70GHz fT - 硅锗技术 • 1 kV HBM ESD 保护（引脚对引脚） • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

2.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BGA525N6E6327(BGA525N6E6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA525N6 E6327 25+批次包装12000pcs/盘 现货数量:33400 描述 BGA525N6 旨在增强 L1/L2/L5 频段的 GNSS 信号灵敏度，尤其是在可穿戴设备和移动蜂窝物联网应用中。由于该LNA具有高增益和超低噪声系数，因此系统灵敏度与传统LNA相比有显著提高。除了标准模式外，BGA525N6 还提供低功耗模式和高增益模式。在低功耗模式下运行时，LNA 消耗的功率不到 2 mW，从而节省宝贵的电池电量，非常适合小型电池供电的 GNSS 设备。在高增益模式下运行，LNA 可提供高达 21 dB 的增益并确保最佳性能和最快的首次修复时间。GPIO 控制接口可直接控制 4 种不同的操作模式。宽带设计确保 1164 至 1615 MHz 范围内的所有 GNSS 信号以相同的匹配方式发挥作用。BGA525N6 可实现具有一个 RF 路径的简化双频 GNSS 系统设计。 特性 • 工作频率：1164 至 1615 MHz • 多种工作模式，适用于不同应用 • 电流消耗低至 1.5 mA • 宽电源电压范围：1.1 V 至 3.3 V • 插入功率增益高达 21 dB • 噪声系数低至 0.7 dB • 2 kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚） • 宽带设计允许 L1、L2、L5 同时操作

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BGA524N6E6329(BGA524N6E6329XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA524N6 E6329 25+批次包装12000pcs/盘 现货数量:180000 描述 用于全球导航卫星系统（GNSS）的硅锗低噪声放大器 特性 • 高插入功率增益：19.6 dB • 带外输入三阶截取点：-4dBm • 输入 1 dB 压缩点：-12 dBm • 低噪声系数：0.55 dB • 极低电流消耗：2.5 mA • 工作频率：1550 - 1615 MHz • 电源电压：1.5 V 至 3.3 V • 数字开/关开关（1V 逻辑高电平） • 超小型 TSNP-6-2 无引脚封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2） • B7HF 硅锗技术 • RF 输出内部匹配至 50 Ω • 仅需 1 个外部 SMD 元件 • 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚） • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BGA427H6327(BGA427H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BGA427 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:2500 描述 翻译 SIEGET ® 25-Technologie 中的 Si-MMIC 放大器 特性 •  可级联 50 Ω 增益模块 •  无条件稳定 •  增益 |S21|2 = 18.5 dB，频率为 1.8 GHz (应用 1)增益 |S21|2 = 22 dB，频率为 1.8 GHz (应用 2)IP3out = +7 dBm @ 1.8 GHz（VD=3V，ID=9.4mA） • 噪声系数 NF = 2.2 dB @ 1.8 GHz •  典型器件电压 VD = 2 V 至 5 V •  反向隔离 > 35 dB（应用 2） • 无铅（符合 RoHS 标准的）封装

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BFR92PE6327(BFR92PE6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR92P E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:5000 描述 NPN 硅射频晶体管，适用于高达 2 GHz 的宽带放大器和集电极电流为 0.5 mA 至 20 mA 的快速非饱和开关 特性 • 适用于高达 2 GHz 的宽带放大器和集电极电流为 0.5 mA 至 20 mA 的快速非饱和开关 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 消费类电子产品

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFR380FH6327(BFR380FH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR380F H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:87000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 高线性度低噪声驱动放大器 • 输出压缩点 19.5 dBm @ 1.8 GHz • 适用于高达 3.5 GHz 的振荡器 • 低噪声系数 1.1 dB @ 1.8 GHz • 集电极设计支持 5V 电源电压 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFR360FH6327(BFR360FH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR360F H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:15000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低电流应用的低噪声放大器 • 集电极设计支持 5V 电源电压 • 适用于高达 3.5 GHz 的振荡器 • 1.8 GHz 时低噪声系数 1.0 dB • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.65含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFR340FH6327(BFR340FH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR340F H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:3000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 通用低噪声放大器 • 非常适合低电流操作 • 高击穿电压使其能够在汽车应用中运行 • 最小噪声系数 1.0 dB @ 1mA,1.5V,1.9GHz • 小型封装尺寸为 1.2 x 1.2 mm2，带可见引线 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFR193WH6327(BFR193WH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR193W H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:24000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于低噪声、高增益放大器，频率高达 2 GHz • 适用于线性宽带放大器 • fT = 8 GHz，NFmin = 1 dB（频率 900 MHz） • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFR182WH6327(BFR182WH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFR182W H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:20000 描述 NPN 硅射频晶体管，用于集电极电流为 1 mA 至 20 mA 的低噪声、高增益宽带放大器 特性 • 适用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流从 1 mA 到 20 mA • fT = 8 GHz，F = 0.9 dB @ 900 MHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP842ESDH6327(BFP840ESDH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP842ESD H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:89000 描述 BFP842ESD 是一款高性能 RF 异质结双极晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能，适用于 2.3 - 3.5 GHz LNA 应用。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 16 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度 • 高转换频率 fT = 57 GHz 可在高频下实现最佳的噪声性能：NFmin = 0.65 dB @ 3.5 GHz，2.5 V，5 mA • 高增益 Gma = 17.5 dB @ 3.5 GHz，2.5 V，15 mA • OIP3 = 25.5 dBm @ 3.5 GHz，2.5 V，15 mA • 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻

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BFP840ESDH6327(BFP840ESDH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP840ESD H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:7400 描述 BFP840ESD 是专为高性能 5 GHz 频段设计的分立异质结双极晶体管 (HBT)。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度 • 高转换频率 fT = 80 GHz，可在高频下实现低噪声系数：例如Nfmin = 0.85 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 6 mA • 高增益 Gms = 22.5 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA • OIP3 = 22 dBm @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA • 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）

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BFP780H6327(BFP780H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP780H6327 19+批次现货数量:500 描述 翻译 The BFP780 is a single stage driver amplifier with high linearity and high power gain. Its output 1dB compression point is 23 dBm. The chip is housed in a halogen-free industry standard package SOT343. The proper die attach with good thermal contact is 100% tested and verified. Same as BFQ790, the device is based on Infineon's reliable and cost effective NPN SiGe technology running in high volume. The collector design allows safe operation with 5 V supply voltage. 特性 翻译 ·High 3rd order intercept point OIP3 of 34 dBm @ 5 V, 90 mA ·High compression point OP1dB of 23 dBm @ 5 V, 90 mA corresponding to 45 % collector efficiency ·Low minimum noise figure of 1.2 dB @ 900 MHz, 5 V, 30 mA ·Single stage, intended for external matching ·High maximum RF input power PRFinmax of 20 dBm ·Safe operation with single 5 V supply ·100% test of proper die attach for reproducible thermal contact ·100% DC and RF tested ·Easy to use large signal compact (VBIC) model in development ·Cost effective NPN SiGe technology running in very high volume ·Easy to use Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free industry standard package SOT343, low RTHJS of 95 K/W 应用 翻译 ·High linearity driver or pre-driver in the transmit chain ·2nd or 3rd stage LNA in the receive chain ·IF or LO buffer amplifier ·Commercial / industrial wireless infrastructure / basestations ·Repeaters ·Automated test equipment ·Cellular, PCS, DCS, UMTS, LTE, CDMA, WCDMA, GSM, GPRS ·WLAN, WiMAX, WLL and MMDS ·ISM, AMR ·UHF television, CATV, DBS

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BFP760H6327(BFP760H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP760 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:42000 描述 BFP760 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 特性 翻译 • 低噪声系数 NFmin = 0.95 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 10 mA • 高增益 Gms = 16.5 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA • OIP3 = 27 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA

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BFP740ESDH6327(BFP740ESDH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP740ESD H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:141000 描述 BFP740ESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：21 dBm 最大 RF 输入功率，集成保护电路带来 2 kV ESD 稳健性 (HBM) • NFmin = 0.65 dB (2.4 GHz 时) 和 0.9 dB (5.5 GHz 时)、3V、6 mA • 高增益 Gms = 25.5 dB (2.4 GHz 时) 和 Gma = 18.5 dB (5.5 GHz 时)、3V、25 mA • OIP3 = 24 dBm (5.5 GHz 时)、3V、25 mA

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BFP740H6327(BFP740H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP740 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:156000 描述 BFP740 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 特性 翻译 • 低噪声系数 NFmin = 0.85 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 6 mA • 高增益 Gms = 19.5 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA • OIP3 = 24.5 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 15 mA

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BFP640H6327(BFP640H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP640 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:30000 描述 翻译 The BFP640 is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part of Infineon’s established sixth generation transistor family. Its transition frequency fT of 42 GHz and high linearity characteristics at low currents make this device particularly suitable for energy efficiency designs at frequency as high as 8 GHz. It remains cost competitive without compromising on ease of use. 特性 • 高增益低噪声射频晶体管 • 为各种无线应用提供出色的性能 • 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用 •  1.8 GHz 时出色的噪声系数 F = 0.65 dB，6 GHz 时出色的噪声系数 F = 1.2 dB • 高最大稳定增益：1.8 GHz 时 Gms = 24 dB • 镀金处理，可靠性更高 • 70 GHz fT-硅锗技术 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

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BFP620H7764(BFP620H7764XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP620 H7764 24+批次包装3000pcs/盘 现货数量:2000 描述 翻译 The BFP620 is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part of Infineon’s established sixth generation transistor family. Its high linearity characteristics and collector design make the device suitable for a wide range of wireless applications. It remains cost competitive without compromising on ease of use. 特性 • 高线性低噪声射频晶体管 • 为各种无线应用提供出色的性能 • 基于英飞凌可靠的高容量 SiGe:C 技术 • 非常适合 CDMA 和 WLAN 应用 • 集电极设计为低压应用提供了 14.5 dBm OP1dB 的高线性度 • 最大稳定增益：1.8 GHz 时 Gms = 21.5 dB，6 GHz 时 Gma = 11 dB • 出色的噪声系数 NFmin = 0.7 dB（1.8 GHz） • 出色的噪声系数 NFmin = 1.3 dB（6 GHz） • 精确的 SPICE GP 模型可实现高效的设计流程 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP540ESDH6327(BFP540ESDH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP540ESD H6327 24+批次包装3000pcs/盘 现货数量:12000 描述 用于 ESD 保护高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 出色的 ESD 性能（典型值 1000 V (HBM)） • 出色的 Gms = 21.5 dB • 噪声系数 F = 0.9 dB • 镀金处理，可靠性高 • SIEGET ® 45 - Line • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP520H6327(BFP520H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP520 H6327 2133+批次包装3000pcs/盘 现货数量:48000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 低噪声放大器专为低电压应用而设计，适用于 1.2 V 或 1.8 V 电源电压。支持 2.9 V Vcc，具有足够的外部集电极电阻。 • 高由于传输频率高，fT = 45 GHz，高频下增益高，噪声低 • 可用于无绳电话和卫星接收器等 • 无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，带可见引线

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP183E7764(BFP183E7764HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP183 E7764 2427+批次包装3000pcs/盘 现货数量:57000 —— 技术参数 —— fT 8 GHz Gmax 22 dB @900 MHz ICmax 65 mA NFmin 0.90 dB @900 MHz OIP3 26.5 dBm Ptot 250 mW VCEOmax 12 V

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BF776H6327(BF776H6327XTSA1）品牌Infineon(英飞凌)

BF776 H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:120000 描述 高性能 NPN 双极射频晶体管 特性 • 高性能低噪声放大器 • 典型值最低噪声系数低。0.8 dB @ 1.8 GHz • 适用于各种非汽车应用，例如 WLAN、WiMax、UWB、蓝牙、GPS、SDAR、DAB、LNB、UMTS/LTE 和 ISM 频段 • 易于使用的标准封装，带有可见引线 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.55含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BDP953H6327(BDP953H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BDP953 H6327 25+批次包装1000pcs/盘 现货数量:13000 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 3A 电压 - 集射极击穿（最大值） 100V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） 500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） 100 @ 500mA，1V

2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BCR583E6327(BCR583E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BCR583 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:96000 描述 PNP硅数字晶体管 特性 • 内置偏置电阻 (R1= 10 kΩ, R2= 10 kΩ) • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 • 符合 AEC Q101 标准

0.7含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BC846PNH6327(BC846PNH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BC846PN H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:33000 描述 NPN/PNP硅AF晶体管阵列 特性 • 高电流增益 • 低集电极-发射极饱和电压 • 单个封装中集成两个（电流）内部隔离的 NPN/PNP 晶体管 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 • 符合 AEC Q101 要求

0.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BBY66-02VH6327(BBY6602VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BBY66-02V H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:150000 描述 硅调谐二极管 特性 • 高电容比 • 高品质因数 (Q) 超突变调谐二极管 • 低串联电阻 • 专为移动通信设备中 VCO 的低调谐电压操作而设计 • 极低的电容扩散 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAV70E6327(BAV70E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAV70 E6327 1933+批次包装3000pcs/盘 现货数0.35订货型号 量:9000 —— 芯片百科 —— 描述 高速开关二极管。 特性 • 适用于高速开关应用 • 共阴极配置 • BAV70S / U：有关卷轴方向，请参见 • 下面的封装信息 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装1) • 符合 AEC Q101 要求

0.35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAT15-099RE6327(BAT15099RE6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT15-099R E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:18000 描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是硅低势垒 N 型器件，片上带有集成保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-099R 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 2 nH(typical) • Low capacitance C = 0.29 pF(typical) • Industry standard SOT143(2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm) • Pb-free, RoHS compliant and halogen free

3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAT15-04RE6152(BAT1504RE6152HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT15-04R E6152 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:291000 描述 翻译 These Infineon RF Schottky diodes are silicon low barrier N-type devices with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Their low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-04R a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz. 特性 翻译 • Low inductance LS = 1.5 nH(typical) • Low capacitance C = 0.27 pF(typical)at 1 MHz • Industry standard SOT23-3 package(2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm) • Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 翻译 • For mixers and detectors in:

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAT15-02ELE6327(BAT1502ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAT15-02EL E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:150000 描述 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02EL 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。 特性 翻译 • Low inductance LS = 0.4 nH(typical) • Low capacitance C = 0.2 pF(typical)at voltage VR = 0 V and frequency f = 1 MHz • TSLP-2-19 package(1 mm x 0.6 mm x 0.31 mm)with a 0402 foot print • Pb-free, RoHS compliant and halogen-free 应用 翻译 • Identity and access management

0.55含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAS70E6327(BAS70E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAS70 E6327 2126+批次包装3000pcs/盘 0.35订货型号 描述 翻译 General-purpose Schottky diodes in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. 特性 翻译 • High switching speed • Low leakage current • High breakdown voltage • Low capacitance 应用 翻译 • Ultra high-speed switching • Voltage clamping

0.35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAS52-02VH6327(BAS5202VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAS52-02V H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:96000 描述 硅肖特基二极管。 特性 • 中等电流整流肖特基二极管 • 200mA 时正向电压低 • 反向电压高 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V

0.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAS40-07E6327(BAS4007E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAS40-07 E6327 2307+批次包装3000pcs/盘 订货型号 描述 硅肖特基二极管 特性 • 用于高速开关的通用二极管 • 电路保护 • 电压钳位 • 高电平检测和混合 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAR88-02VH6327(BAR8802VH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR88-02V H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:15000 描述 硅PIN二极管 特性 • 针对手持应用中的低电流天线开关进行了优化 • 非常低的正向电阻（典型值）。1.5 Ω @ /F = 1 mA) • 频率高于 1 GHz 时，零伏反向偏置下的低电容（典型值）0.28 pF) • 极低的信号失真 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.65含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAR64-05WH6327(BAR6405WH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR64-05W H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:60000 描述 这款英飞凌 RF PIN 二极管具有高电压处理能力，损耗低，失真度低。其低正向电阻、低电容和低电感简化了设计，并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 • 电压 VR = 0 V 和频率 f ≥ 1 GHz 时电容 C = 0.25 pF（典型值）极低 • 正向电流 IF = 10 mA 和频率 f = 2.5 GHz 时正向电阻 RF = 2.6 Ω（典型值） • 低信号失真 • 行业标准 SOT323-3 封装（2.1 mm x 2 mm x 0.9 mm） • 无铅、符合 RoHS 规定且无卤素 应用 • 消费类电子产品

0.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAR64-04E6327(BAR6404E6327HTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR64-04 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:78000 描述 这款英飞凌 RF PIN 二极管具有高电压处理能力，损耗低，失真度低。其低正向电阻、低电容和低电感简化了设计，并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 • 电压 VR = 0 V 和频率 f ≥ 1 Ghz 时电容 C = 0.22 pF（典型值）极低 • 正向电流 IF = 10 mA 和频率 f = 1 GHz 时正向电阻 RF = 2.5 Ω（典型值） • 低信号失真 • 行业标准 SOT23-3 封装（2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm） • 无铅、符合 RoHS 规定且无卤素

0.3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAR64-02ELE6327(BAR6402ELE6327XTMA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR64-02EL E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:45000 描述 这款英飞凌 RF PIN 二极管具有高电压处理能力，损耗低，失真度低。其低正向电阻、低电容和低电感简化了设计，并支持设计人员创建多功能的最终解决方案。 特性 翻译 • Low signal distortion, charge carrier lifetime trr = 1.55 µs(typical) • Ultra low capacitance C = 0.14 pF(typical)at voltage VR = 0 and frequencies f ≥ 1 GHz • Low forward resistance RF = 2 Ω(typical)at forward current IF = 10 mA and frequency f = 100 MHz • Low inductance Ls = 0.4 nH(typical) • TSLP-2-19 package(1 mm x 0.6 mm x 0.31 mm)with a 0402 foot print • Pb-free, RoHS compliant and halogen-free

0.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAR63-06WH6327(BAR6306WH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAR63-06W H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:20000 描述 硅PIN二极管 特性 • 用于高速切换射频信号的 PIN 二极管 • 极低的正向电阻（低插入损耗） • 极低的电容（高隔离度） • 频率高达 3GHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAR63-05WH6327(BAR6305WH6327XTSA1)品牌；A1Infineon(英飞凌)

BAR63-05WH6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:27000 描述 硅PIN二极管 特性 • 用于射频信号高速切换的 PIN 二极管 • 极低的正向电阻（低插入损耗） • 极低的电容（高隔离度） • 频率高达 3GHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.4含税参考-现货型号-实单请带接受价
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BCR562E6327(BCR562E6327HTSA1)品牌 Infineon(英飞凌)

BCR562 E6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:300000PCS 描述 PNP硅数字晶体管 特性 • 内置偏置电阻 (R1= 4.7 kΩ, R2= 4.7 kΩ) • 无铅（符合 RoHS 标准）封装 • 符合 AEC Q101 要求

0.5含税参考--现货型号-实单请带接受价
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Infineon

BGB741L7ESDE6327(BGB741L7ESDE6327XTSA1) 品牌 : Infineon(英飞凌)

BGB741L7ESDE6327 整包数量7500只/盘 26+现货批次 描述 BGB741L7ESD 是一款基于英飞凌硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术的高性能宽带低噪声放大器 (LNA) MMIC。 特性 • 最小噪声系数 NFmin = 1.05 dB（2.4 GHz、3 V、10 mA） • 电源电压范围 VCC = 1.8 至 4.0 V（TA = 25 °C） • 高 RF 输入功率稳定性：20 dBm • 集成 ESD 保护：所有引脚均为 2 kV HBM 应用 • 用于 ADAS 和自动驾驶的域控制器

2.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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Infineon

BFP196WH6327(BFP196WH6327XTSA1)Infineon/英飞凌

BFP196WH6327(BFP196WH6327XTSA1)Infineon/英飞凌 25+批次 包装3000pcs/盘 现货数量：30000 描述 NPN硅射频晶体管 特性 • 适用于天线和电信系统中低噪声、低失真宽带放大器，频率高达 1.5 GHz，集电极电流为 20 mA 至 80 mA • 适用于 DECT 和 PCN 系统的功率放大器 • fT = 7.5 GHz，F = 1.3 dB @ 900 MHz • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

参考价0.6含税 -现货型号-实单请带接受价
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英飞凌

BFP420H6327XTSA1

型号：BFP420H6327XTSA1 批次：26+ 盘装：3000pcs 描述 用于高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 适用于高增益低噪声放大器 • 适用于高达 10 GHz 的振荡器 • 噪声系数 F = 1.1 dB (1.8 GHz 时)，Gms = 21 dB (1.8 GHz 时) 非常出色 • 过渡频率 fT = 25 GHz • 镀金处理，可靠性高 • SIEGET ® 25 GHz fT - Line • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

0.35含税参考-现货型号-实单请带接受价
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infineon

BFP650H6327(BFP650H6327XTSA1)

品牌：Infineon/英飞凌 批次DC:21+ 整包数量:3000 描述 高线性度低噪声 SiGe:C NPN 射频晶体管 特性 • 适用于所有高达 4.5 GHz 的射频前端的高线性低噪声驱动放大器 • 输出压缩点 OP1dB = 17 dBm（70 mA、3V、2.4 GHz、50Ω 系统） • 输出三阶互调点 OIP3 = 30 dBm（70 mA、3 V、2.4 GHz、50 Ω 系统） • 最大可用增益 Gma = 17.5 dB（70 mA、3V、2.4 GHz） • 最小噪声系数 NFmin = 1 dB（30 mA、3V、2.4 GHz） • 基于英飞凌可靠、大批量 SiGe:C 晶圆技术 • 易于使用的无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，引脚可见

0.8元含税参考-现货型号-实单请带接受价
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Infineon 英飞凌/分销商

全球半导体解决方案的领导者，基于硅、碳化硅和氮化镓的功率、驱动器、微处理器和软件解决方案

Infineon 英飞凌(RF.TVS.ESD)全系列产品线

可提供原厂 COC 出货文件证明，FAE 技术支持，售后无忧保障,欢迎各大原厂渠道-代理商-贸易-终端-对接合作，互利共赢!。

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BDP949H6327(BDP949H6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BDP949 H6327 26+批次包装1000pcs/盘 现货数量:20000 —— 技术参数 —— fT 100 MHz hFE 100 to 475 IBMmax 500 mA ICBOmax 100 nA ICmax 3000 mA IC 3000 mA ICMmax 5000 mA Ptotmax 5000 mW VCBOmax 60 V VCE(sat)max 0.5 V VCEOmax 60 V VCE 1 V VEBOmax 5 V Mounting SMT Package P-SOT223-4-10 Polarity NPN (Single)

2.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BAV99SH6327(BAV99SH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BAV99S H6327 2310+批次包装3000pcs/盘 现货数量:9000 描述 高速开关二极管。 特性 • 适用于高速开关应用 • 串联对配置 • BAV99S / U：有关卷轴方向，请参见 • 下面的封装信息 • 无铅（符合 RoHS 标准）封装1) • 符合 AEC Q101 要求

1含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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BFP843FH6327(BFP843FH6327XTSA1)品牌Infineon(英飞凌)

BFP843F H6327 25+批次包装3000pcs/盘 现货数量:6000 描述 BFP843F 是一款坚固的低噪声宽带预匹配异质结双极晶体管 (HBT)。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度 • 高转换频率 fT = 60 GHz，可实现最佳的噪声系数：NFmin = 1.1 dB（5.5 GHz、1.8 V、8 mA） • 高增益 Gms = 18 dB（5.5 GHz、1.8 V、15 mA） • OIP3 = 19.5 dBm（5.5 GHz、1.8 V、15 mA） • 非常适合低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻） • 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）

2含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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纳微

G3R350MT12D品牌(Navitas(纳微))

G3R350MT12D 23+批次包装30pcs/管 现货数量:10 —— 技术参数 —— VDS(V) 1200 On Resistance 350 ID [25C](A) 10 Package TO-247-3

35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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纳微

G3R20MT12N品牌(Navitas(纳微))

G3R20MT12N 23+批次包装10pcs/袋 现货数量:8 —— 技术参数 —— VDS(V) 1200 On Resistance 20 ID [25C](A) 90 Package SOT-227

300含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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纳微

G3R160MT17JTR品牌(Navitas(纳微))

G3R160MT17J-TR 23+批次包装800pcs/盘 现货数量:900 —— 技术参数 —— VDS(V) 1700 On Resistance 160 ID [25C](A) 18 Package TO-263-7

80含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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纳微

G2R1000MT17J品牌(Navitas(纳微))

G2R1000MT17J 23+批次包装50pcs/袋 现货数量:100 —— 技术参数 —— VDS(V) 1700 On Resistance 1000 ID [25C](A) 5 Package TO-263-7

35含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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芯科

EFR32BG22C224F512IM40CR品牌(SKYWORKS/SILICON LABS(芯科))

EFR32BG22C224F512IM40-CR 24+批次包装2500pcs/盘 现货数量:8550 商品概述 EFR32BG22 Wireless Gecko系列片上系统（SoC）是Wireless Gecko产品组合的一部分。EFR32BG22 Wireless Gecko SoC非常适合为物联网设备实现节能型蓝牙5.2网络。 这种单芯片解决方案将76.8 MHz的Cortex - M33处理器与高性能2.4 GHz无线电相结合，为物联网连接应用提供了业界领先的节能型无线SoC。 商品特性 • 32位ARM Cortex - M33内核，最高工作频率76.8 MHz • 高达512 kB的闪存和32 kB的RAM • 节能型无线电内核，具有低工作电流和睡眠电流 • 蓝牙5.2测向功能 • 集成功率放大器（PA），发射功率高达6 dBm（2.4 GHz） • 具备信任根和安全加载器（RTSL）的安全启动功能 • 低功耗无线片上系统 • 高性能32位76.8 MHz ARM Cortex - M33，带有DSP指令和浮点单元，用于高效信号处理 • 2.4 GHz无线电操作 • 2 (G)FSK，具备完全可配置的整形功能 • OQPSK DSSS • (G)MSK • 低功耗蓝牙（蓝牙5.2） • 使用到达角（AoA）和出发角（AoD）进行测向 • 专有协议 • 模数转换器（ADC），12位@ 1 Msps，16位@ 76.9 ksps • 多达26个通用I/O引脚，具备输出状态保持和异步中断功能 • 8通道DMA控制器 • 12通道外设反射系统（PRS） • 4个16位定时器/计数器，每个带有3个比较/捕获/PWM通道 • 1个32位定时器/计数器，带有3个比较/捕获/PWM通道 • 32位实时计数器 • 24位低功耗定时器，用于波形生成 • 1个看门狗定时器 • 2个通用同步/异步收发器（UART/SPI/智能卡（ISO 7816）/IrDA/I2S） • 1个增强型通用异步收发器（EUART） • 2个支持SMBus的I2C接口 • 数字麦克风接口（PDM） • 精密低频RC振荡器，可替代32 kHz睡眠晶体 • 具备选择性OOK模式的RFSENSE • 裸片温度传感器，单点校准后精度为±1.5 ℃ • 1.71至3.8 V单电源供电 • 工作温度范围：-40 ℃至125 ℃ • 硬件加密加速，支持AES128/256、SHA - 1、SHA - 2（最高256位）、ECC（最高256位）、ECDSA和ECDH • 真随机数发生器（TRNG），符合NIST SP800 - 90和AIS - 31标准 • ARM TrustZone • 具备锁定/解锁功能的安全调试 应用领域 • 资产标签和信标 • 消费电子遥控器 • 便携式医疗设备 • 蓝牙Mesh低功耗节点 • 运动、健身和健康设备 • 智能家居 • 楼宇自动化与安防

10含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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芯科

EFR32BG22C224F512IM32CR品牌(SKYWORKS/SILICON LABS(芯科))

EFR32BG22C224F512IM32-CR 25+批次包装2500pcs/盘 现货数量:2200 商品概述 EFR32BG22 Wireless Gecko片上系统（SoC）系列是Wireless Gecko产品组合的一部分。EFR32BG22 Wireless Gecko SoC非常适合为物联网设备实现节能型蓝牙5.2网络。 这款单芯片解决方案将76.8 MHz的Cortex - M33处理器与高性能2.4 GHz无线电相结合，为物联网连接应用提供了业界领先的节能型无线SoC。 商品特性 • 32位ARM Cortex - M33内核，最高工作频率76.8 MHz • 高达512 kB的闪存和32 kB的RAM • 节能型无线电内核，有源和睡眠电流低 • 蓝牙5.2测向功能 • 集成功率放大器（PA），发射功率高达6 dBm（2.4 GHz） • 具备信任根和安全加载器（RTSL）的安全启动功能 • 高性能32位76.8 MHz ARM Cortex - M33，带有DSP指令和浮点单元，可实现高效信号处理 • 2.4 GHz无线电操作 • 125 kbps GFSK调制下灵敏度为 - 106.7 dBm • 1 Mbit/s GFSK调制下灵敏度为 - 98.9 dBm • 2 Mbit/s GFSK调制下灵敏度为 - 96.2 dBm • 发射功率高达6 dBm • 无线电接收电流2.5 mA • 输出功率为0 dBm时，无线电发射电流3.4 mA • 输出功率为6 dBm时，无线电发射电流7.5 mA • 接收电流（1 Mbps GFSK）3.6 mA • 输出功率为0 dBm时，发射电流4.1 mA • 输出功率为6 dBm时，发射电流8.2 mA • 76.8 MHz有源模式（EM0）下每MHz电流为27 μA • EM2深度睡眠电流1.40 μA（32 kB RAM保留且实时时钟（RTC）由低频晶振（LFXO）供电运行） • EM2深度睡眠电流1.75 μA（32 kB RAM保留且RTC由精密低频RC振荡器（Precision LFRCO）供电运行） • EM4电流0.17 μA • 2 (G)FSK，具备完全可配置的整形功能 • OQPSK直接序列扩频（DSSS） • (G)MSK • 低功耗蓝牙（蓝牙5.2） • 使用到达角（AoA）和出发角（AoD）进行测向 • 专有协议 • 模数转换器（ADC）：1 Msps采样率下12位，76.9 ksps采样率下16位 • 多达26个通用输入/输出（GPIO）引脚，具备输出状态保留和异步中断功能 • 8通道直接内存访问（DMA）控制器 • 12通道外设反射系统（PRS） • 4个16位定时器/计数器，每个带有3个比较/捕获/PWM通道 • 1个32位定时器/计数器，带有3个比较/捕获/PWM通道 • 32位实时计数器 • 24位低功耗定时器，用于波形生成 • 1个看门狗定时器 • 2个通用同步/异步收发器（UART/SPI/智能卡（ISO 7816）/红外数据协会（IrDA）/集成电路间音频总线（I2S）） • 1个增强型通用异步收发器（EUART） • 2个支持系统管理总线（SMBus）的I2C接口 • 数字麦克风接口（PDM） • 精密低频RC振荡器，可替代32 kHz睡眠晶体 • 具备选择性开关键控（OOK）模式的射频感测（RFSENSE） • 裸片温度传感器，单点校准后精度为±1.5 ℃ • 1.71 V至3.8 V单电源供电 • 工作温度范围 - 40 ℃至125 ℃ • 硬件加密加速，支持AES128/256、SHA - 1、SHA - 2（最高256位）、椭圆曲线密码学（ECC，最高256位）、椭圆曲线数字签名算法（ECDSA）和椭圆曲线Diffie - Hellman密钥交换（ECDH） • 真随机数发生器（TRNG），符合美国国家标准与技术研究院（NIST）SP800 - 90和德国联邦信息安全办公室（BSI）AIS - 31标准 • ARM TrustZone技术 • 具备锁定/解锁功能的安全调试 应用领域 • 资产标签和信标 • 消费电子遥控器 • 便携式医疗设备 • 蓝牙Mesh低功耗节点 • 运动、健身和健康设备 • 智能家居 • 楼宇自动化与安全系统

10含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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芯科

EFM32ZG210F32QFN32品牌(SILICON/芯科)

EFM32ZG210F32-QFN32 19+批次包装1000pcs/盘 现货数量:706

6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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恩智浦

BGU8051(BGU8051X)品牌NXP，恩智浦

BGU8051 25+批次包装2000pcs/盘 现货数量:9800 描述 翻译 The BGU8051 is, also known as the BTS1001L, a lownoise high linearity amplifier for wireless infrastructure applications, equipped withfast shutdown to support TDD systems. The LNA has a high input and output return lossand is designed to operate between 0.3 GHz and 1.5 GHz. It is housed in a 2 mm x 2 mm x0.75 mm 8-terminal plastic thin small outline package. The LNA is ESD protected on allterminals. 特性 翻译 Low noise performance: NF = 0.43 dB High linearity performance: IP3O = 39 dBm High input return loss > 15 dB High output return loss > 20 dB Unconditionally stable Programmable bias current (via resistor) Small 8-terminal leadless package 2 mm x 2 mm x 0.75 mm ESD protection on all terminals Moisture sensitivity level 1 Fast shut down to support TDD systems 3 V to 5 V single supply 应用 无线基础设施 低噪声和高线性度应用 LTE、W-CDMA、CDMA、GSM 通用无线应用 TDD或FDD系统 适合小型蜂窝

40含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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恩智浦

BGA2802,115品牌(NXP(恩智浦))

BGA2802,115 2101+批次包装3000pcs/盘 现货数量:63000 描述 翻译 Silicon Monolitic Microwave Integrated Circuit (MMIC) wideband amplifier with internalmatching circuit in a 6-pin SOT363 plastic SMD package. 特性 翻译 Internally matched to 50 Ω A gain of 26 dB at 950 MHz Output power at 1 dB gain compression = 1 dBm Supply current = 12.5 mA at a supply voltage of 3.3 V Reverse isolation > 36 dB up to 2 GHz Good linearity with low second order and third order products Noise figure = 4.1 dB at 950 MHz Unconditionally stable (K > 1) No output inductor required 应用 LNB中频放大器 适用于频率范围在直流和2.2 GHz之间的通用低噪声宽带放大器

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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恩智浦

BFU520XR,215品牌(NXP(恩智浦))

BFU520XR,215 1831+批次包装3000pcs/盘 现货数量:73000 描述 翻译 NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pindual-emitter SOT143R package. The BFU520XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal tomedium power applications up to 2 GHz. 特性 翻译 Low noise, high breakdown RF transistor AEC-Q101 qualified Minimum noise figure (NFmin) = 0.65 dB at 900 MHz Maximum stable gain 20 dB at 900 MHz 11 GHz fT silicon technology 应用 要求高电源电压和高击穿电压的应用 高达2 GHz的宽带放大器 针对ISM应用的低噪声放大器 ISM频段振荡器

0.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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TDK

B82450A7204A000品牌(TDK)

B82450A7204A000 25+批次包装2500pcs/盘 现货数量:10000 —— 技术参数 —— 电感 7.2mH ±3% at 125kHz 工作频率 125kHz Q (Min.) 40 at 125kHz 灵敏度 (Typ.) 52mV/μT at 125kHz 共振频率 (Min.) 1MHz 共振频率 (Min.) 直流电阻 (Max.)

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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亚信

AX88180LF品牌(ASIX(亚信))

AX88180LF 21+批次包装900pcs/盘 现货数量:1600 描述 翻译 The AX88180 is a high-performance and cost-effective non-PCI Gigabit Ethernet controller for various embedded systems including consumer electronics and home network markets that require a higher bandwidth of network connectivity. The AX88180 supports 16/32-bit SRAM-like interface and Gigabit Ethernet MAC, which is IEEE802.3 10Base-T, IEEE802.3u 100Base-T and IEEE802.3ab 1000Base-T compatible. The AX88180 supports full-duplex or half-duplex operation at 10/100/1000Mbps speed with auto-negotiation or manual setting. The AX88180 integrates embedded SRAM for packet buffering to accommodate high bandwidth applications and supports IP/TCP/UDP checksum in hardware to offload processing loading from microprocessor/microcontroller in an embedded system. 特性 翻译 • High-performance non-PCI local bus • Supports 16/32-bit SRAM-like interface(US Patent Approval) • Supports big/little endian data bus type • Supports interrupt with high or low active trigger mode • Highly-integrated Gigabit Ethernet controller Embeds SRAM for packet buffers Supports IP/TCP/UDP checksum offload • Compatible with IEEE802.3, 802.3u, and 802.3ab standards • Supports 10/100/1000Mbps data rate • Supports full duplex operations with 1000Mbps data rate • Supports full and half duplex operations with 10/100Mbps data rate • Supports 10/100/1000Mbps N-way Auto- negotiation operation • Supports 10/100/1000Mbps data rate with RGMII 应用 翻译 • The AX88180, designed with a high-performance RISC CPU, provides a very low cost yet very high-performance embedded networking solution to enable easy and simple LAN or Internet access capability to high-bandwidth multimedia application needs in the Internet era.

55含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

ANT5320LL24R2455A(品牌普思pulse)

ANT5320LL24R2455A 26+批次包装2000pcs/袋 现货数量:6000 商品参数 属性 参数值 天线类型 贴片天线 带宽 900MHz 阻抗 50Ω 功率 1W 属性 参数值 工作温度 -40℃~+105℃ 长度 5.3mm 宽度 2mm 高度 1.15mm

2.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

W3008品牌普思pulse

W3008 26+批次包装3000pcs/盘 现货数量:2000 商品概述 2.4-2.4835GHz 陶瓷SMT天线，4X4.25毫米的禁布区 应用领域 • 蓝牙 • BLE • Zigbee • WiFi 2.4GHz ISM 频段无线电

1.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

JXD0-2015NL品牌普思pulse

JXD0-2015NL 25+批次包装50pcs/一托盘 现货数量:210 —— 技术参数 —— CONTACT MATING AREA PLATING GOLD 30 U'' LATCH DOWN LED OPTION GREEN & YELLOW NUMBER OF PORTS 1X2 PACKAGE THT PACKAGE HEIGHT MM 13.630 PACKAGE LENGTH MM 21.350 PACKAGE WIDTH MM 31.240 PCB MOUNT ANGLE SIDE ENTRY POE RATING NON-POE ROHS COMPLIANT YES-RoHS-5 W/H LEAD IN SDR XMP SPEED 1000BASE-T TEMPERATURE -40 TO +85

19含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

P0351NLT品牌普思pulse

P0351NLT 2518+批次包装200pcs/盘 现货数量:200 —— 技术参数 —— Inductance (uH) 1470 Footprint Area (LxW) (mm2) 333 Mounting SMT DCR (mOhms) 80 1Footprint Area (LxW) (mm2) 1000 Inductance (uH)5 Functional Inductance (uH)Construction 0 Footprint Area (LxW) (mm2)Inductance (uH) Length (mm) 19.56 Height (mm) 9.91 Width (mm) 17.02 Automotive (Y/N) No Rated Current (Adc) 2.8 1ConstructionDCR (mOhms) Power Inductance (uH)10

3.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

P0354NLT品牌普思pulse

P0354NLT 25+批次包装500pcs/盘 现货数量:500 —— 技术参数 —— Inductance (uH) 1170 Footprint Area (LxW) (mm2) 161 Mounting SMT DCR (mOhms) 200 1Footprint Area (LxW) (mm2) 1000 Inductance (uH)5 Functional Inductance (uH)Construction 0 Footprint Area (LxW) (mm2)Inductance (uH) Length (mm) 12.7 Height (mm) 5.46 Width (mm) 12.7 Automotive (Y/N) No Rated Current (Adc) 1.22 1ConstructionDCR (mOhms) Power Inductance (uH)10

2.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

PA3927NLT品牌普思pulse

PA3927NLT 25+批次包装300pcs/盘 现货数量:14 —— 技术参数 —— Inductance (uH) 800 Inductance (uH) 800 Footprint Area (LxW) (mm2) 169 Footprint Area (LxW) (mm2) 169 Mounting SMT Mounting SMT DCR (mOhms) 55 DCR (mOhms) 55 1Footprint Area (LxW) (mm2) 1500 1Footprint Area (LxW) (mm2) 1500 Inductance (uH)5 Functional Inductance (uH)5 Functional Inductance (uH)Construction 0 Inductance (uH)Construction 0 Footprint Area (LxW) (mm2)Inductance (uH) Footprint Area (LxW) (mm2)Inductance (uH) Length (mm) 13 Length (mm) 13 Height (mm) 8.6 Height (mm) 8.6 Width (mm) 13 Width (mm) 13 Automotive (Y/N) No Automotive (Y/N) No Rated Current (Adc) 3 Rated Current (Adc) 3 1ConstructionDCR (mOhms) Power 1ConstructionDCR (mOhms) Power Inductance (uH)10 Inductance (uH)10

4含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

W3010品牌普思pulse

W3010 25+批次包装1000pcs/盘 现货数量:83690 —— 技术参数 —— ConstructionConstruction GNSS (GPS\/BeiDou\/GLONASS) 100 Single Feed\/ Port 101 Ceramic Chip 10Inductance (uH) SMD 104 1560-1610 105 -12 10Footprint Area (LxW) (mm2) 3 10Mounting 75 Length (mm) 10 Height (mm) 2

2.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

W3113品牌普思pulse

W3113 25+批次包装1500pcs/盘 现货数量:4000

4.8含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

W3544B品牌普思pulse

W3544B 25+批次包装140pcs/盘 现货数量:10000 —— 技术参数 —— ConstructionConstruction 3G\/ 2G 100 Single Feed\/ Port 101 Composite PCB 10Inductance (uH) SMD 104 824-960; 1710-2170 105 -4; -4 10Footprint Area (LxW) (mm2) 0.5; 2 10Mounting 55; 57 Length (mm) 26 Height (mm) 3

3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

W3796品牌普思pulse

W3796 25+批次包装1000pcs/盘 现货数量:90000 —— 技术参数 —— ConstructionConstruction 4G LTE\/ Cat M1\/ NB-IOT 100 Single Feed\/ Port 101 Composite PCB 10Inductance (uH) SMD 104 698-960; 1427.9-1660.5; 1695-2200; 2300-2700 105 -6; -6; -6; -6 10Footprint Area (LxW) (mm2) 2; 4; 6.9; 6.5 10Mounting 65; 55; 75; 70 Length (mm) 40 Height (mm) 3 Width (mm)

2.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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W3907B0100品牌普思pulse

W3907B0100 25+批次包装10pcs/袋 现货数量:9000 —— 技术参数 —— ConstructionConstruction 4G LTE\/ Cat M1\/ NB-IOT 100 Single Feed\/ Port 101 FPC + Cable 104 698-3600 Mounting Adhesive 105 -7.5 Footprint Area (LxW) (mm2)Construction U.FL\/MHF-I 10Footprint Area (LxW) (mm2) 4.2 ConstructionConstruction 4G LTE\/ Cat M1\/ NB-IOT 10Mounting 70 100 Single Feed\/ Port Length (mm) 111.7 101 FPC + Cable 1Inductance (uH)0 Male\/ Plug 104 698-3600 1Inductance (uH)1 Yes 105 -7.5 1Inductance (uH)4 100 10Footprint Area (LxW) (mm2) 4.2 1Inductance (uH)5 1.13 10Mounting 70 1Inductance (uH)Footprint Area (LxW) (mm2) Perpendicular Length (mm) 111.7 Width (mm) 20.4 1Inductance (uH)0 Male\/ Plug 1Inductance (uH)1 Yes 1Inductance (uH)4 100 1Inductance (uH)5 1.13 1Inductance (uH)Footprint Area (LxW) (mm2) Perpendicular Width (mm) 20.4

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普思

W3544A品牌普思pulse

W3544A 24+批次包装240pcs/盘 现货数量:20000 ConstructionConstruction 3G\/ 2G 100 Single Feed\/ Port 101 Composite PCB 10Inductance (uH) SMD 104 824-960; 1710-2170 105 -6; -6 10Footprint Area (LxW) (mm2) 0.5; 2 10Mounting 55; 57 Length (mm) 26 Height (mm) 3

2.6含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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ANT1204F002R0433A品牌普思pulse

ANT1204F002R0433A 26+批次包装1000pcs/盘 现货数量:1000 —— 技术参数 —— ConstructionConstruction ISM (915\/ 868\/ 433) 100 Single Feed\/ Port 101 Ceramic Chip 10Inductance (uH) SMD 104 419-447 105 -6.5 10Footprint Area (LxW) (mm2) 0.79 10Mounting 27 Length (mm) 12.3 Height (mm) 1.6

3含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

SPWH10420品牌普思pulse

SPWH10420 25+批次包装现货数量:18

295含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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普思

HX6098NLT品牌普思pulse

HX6098NLT 25+批次包装250pcs/盘 现货数量:192 —— 技术参数 —— APPLICATION-LAN ETHERNET TRANSFORMER/CHOKE CONSTRUCTION OPEN FRAME NUMBER OF PORTS SINGLE PACKAGE SMT PACKAGE HEIGHT MM 6.600 PACKAGE LENGTH MM 18.160 PACKAGE WIDTH MM 16.002 POE RATING 4PAIR POE 120W ROHS COMPLIANT YES-RoHS-6 SPEED 1000BASE-T TEMPERATURE -40 TO +85

6.5含税参考价-现货型号-实单请带接受价
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深圳市圆江科技有限公司 (Infineon 英飞凌/分销商)

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2026.03.19

英飞凌推出首款集成微控制器和功率级的MOTIX™电机控制SiP，助力客户实现比邮票更小的设计

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英飞凌推出基于PSOC™ Control C3微控制器的ModusToolbox™电源套件，助力电源转换解决方案的加速开发

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英飞凌新推出三款DRIVECORE软件套件，助力客户加速迈向基于RISC-V架构的下一代汽车微控制器

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