共 245 款产品
BCR562 E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:300000PCS
描述 PNP硅数字晶体管 特性 • 内置偏置电阻 (R1= 4.7 kΩ, R2= 4.7 kΩ)
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
• 符合 AEC Q101 要求
BGB741L7ESDE6327
整包数量7500只/盘
26+现货批次
描述
BGB741L7ESD 是一款基于英飞凌硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术的高性能宽带低噪声放大器 (LNA) MMIC。
特性
• 最小噪声系数 NFmin = 1.05 dB（2.4 GHz、3 V、10 mA）
• 电源电压范围 VCC = 1.8 至 4.0 V（TA = 25 °C）
• 高 RF 输入功率稳定性：20 dBm
• 集成 ESD 保护：所有引脚均为 2 kV HBM
应用
• 用于 ADAS 和自动驾驶的域控制器
BFP196WH6327(BFP196WH6327XTSA1)Infineon/英飞凌
25+批次 包装3000pcs/盘
现货数量：30000
描述
NPN硅射频晶体管
特性
• 适用于天线和电信系统中低噪声、低失真宽带放大器，频率高达 1.5 GHz，集电极电流为 20 mA 至 80 mA
• 适用于 DECT 和 PCN 系统的功率放大器
• fT = 7.5 GHz，F = 1.3 dB @ 900 MHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
型号：BFP420H6327XTSA1
批次：26+
盘装：3000pcs
描述
用于高增益低噪声放大器的 NPN 硅射频晶体管
特性
• 适用于高增益低噪声放大器
• 适用于高达 10 GHz 的振荡器
• 噪声系数 F = 1.1 dB (1.8 GHz 时)，Gms = 21 dB (1.8 GHz 时) 非常出色
• 过渡频率 fT = 25 GHz
• 镀金处理，可靠性高
• SIEGET ® 25 GHz fT - Line
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
品牌：Infineon/英飞凌
批次DC:21+
整包数量:3000
描述
高线性度低噪声 SiGe:C NPN 射频晶体管
特性
• 适用于所有高达 4.5 GHz 的射频前端的高线性低噪声驱动放大器
• 输出压缩点 OP1dB = 17 dBm（70 mA、3V、2.4 GHz、50Ω 系统）
• 输出三阶互调点 OIP3 = 30 dBm（70 mA、3 V、2.4 GHz、50 Ω 系统）
• 最大可用增益 Gma = 17.5 dB（70 mA、3V、2.4 GHz）
• 最小噪声系数 NFmin = 1 dB（30 mA、3V、2.4 GHz）
• 基于英飞凌可靠、大批量 SiGe:C 晶圆技术
• 易于使用的无铅（符合 RoHS 标准）标准封装，引脚可见
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联系方式：19068080998 张R
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