共 245 款产品
IPP055N08NF2S
25+批次包装1000pcs/盘
现货数量:5000
描述
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 80 V 具有 5.5 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比，IPP055N08NF2S 的 RDS(on) 降低了 40%，Qg 提高了 40%。
特性
• 可从分销合作伙伴处获取
• 卓越的性价比
• 适用于高和低开关频率
• 行业标准尺寸封装
• 高额定电流
• 可进行波峰焊
应用
• 汽车车载主机
ESD231-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
25+批次包装3000pcs/盘
商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流 - 电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±30 kV（空气放电）/ ±30 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±4 kV / ±80 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±12 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：VWM = ±5.5 V • 线路电容：在f = 1 MHz时，CL = 3.5 pF • 钳位电压：在ITLP = 16 A且Rdyn = 0.3 Ω时，Vcl = 12 V • 极低的漏电流：IL = 1 nA • 小尺寸贴片封装0201，低外形（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合RoHS标准 应用领域 • 低速USB线（D+/D-、CC/SBU）、移动产业处理器接口（MIPI）、SD卡、SIM卡 • 键盘、触摸板、按钮、便捷按键、液晶显示器、摄像头、音频线
ESD217-B1-02EL E6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:15000
商品特性 • 静电放电（ESD）/瞬态保护符合以下标准： • IEC61000-4-2（ESD）：±30 kV（空气放电），±25 kV（接触放电） • IEC61000-4-4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±3 kV / ±60 A（5/50 ns） • IEC61000-4-5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 非对称、双向工作电压最高可达 VRWM = +14 V / -8 V • 低电容：CL = 9 pF（典型值） • 低钳位电压：在 ITLP = 16 A 时，VCL = 26 V（典型值） • 极低反向电流：IR < 1 nA（典型值） • 超低动态电阻：RDYN = 0.2 Ω（典型值） • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • USB 2.0、10/100 以太网、火线（Firewire）、数字视频接口（DVI） • 移动通信 • 消费类产品（标准电话（STD）、MP3、DVD、数码相机（DSC）等） • 液晶显示器（LCD）、相机 • 笔记本电脑和台式电脑及其外设
ESD132-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:15000
商品概述 这款英飞凌瞬态电压抑制器（TVS）器件具有双向对称的 I / V 特性，便于优化设计和组装。 商品特性 • 符合以下标准的 ESD / 瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±30 kV（空气放电）/ ±30 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（EFT）：±4 kV / ±80 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±9 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：VWM = ±5.5 V • 线路电容：f = 1 MHz 时，CL = 0.45 pF • 钳位电压：ITLP = 16 A 且 Rdyn = 0.2 Ω 时，Vcl = 7 V • 极低漏电流：IL = 100 nA（最大值） • 小尺寸 SMD 0201 封装，薄型设计（0.58x0.28x0.15 mm³） 应用领域 • USB 3.0 / 3.1 / 3.2 Gen 1 • DVI、HDMI、Display Port
ESD128-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:30000
商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的电流 - 电压（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 静电放电/瞬态保护符合以下标准： • IEC61000 - 4 - 2（静电放电）：±15 kV（空气放电）/ ±15 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±2 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：V_WM = ±18 V（交流），±13 V（直流） • 线路电容：在 f = 1 MHz 时，C_L = 0.3 pF • 钳位电压：在 I_TLP = 16 A 且 R_dyn = 0.85 Ω 时，V_cl = 32 V • 极低的漏电流：I_L = 1 nA • 小外形尺寸贴片封装 0201，低轮廓（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合 RoHS 标准 应用领域 • 近场通信（NFC）应用中射频信号线的静电放电保护
IM72D128V01
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:15000
商品概述 IM72D128V01 是一款专为需要极高信噪比（低自噪声）和低失真（高AOP）的应用而设计的超高性能数字PDM MEMS麦克风，并且具有IP57级别的防尘防水功能。一流的72dB(A)信噪比使其能够拾取远场和低音量音频。平坦的频率响应（20Hz低频滚降）和严格的制造公差提升了多麦克风（阵列）应用的性能。数字麦克风ASIC包含一个极低噪声的前置放大器和一个高性能的sigma-delta ADC。可以根据特定的时钟频率和电流消耗需求选择不同的电源模式。每个IM72D128V01麦克风都使用先进的英飞凌校准算法进行校准，从而实现了低灵敏度公差（±1dB）。 应用领域 • 主动降噪（ANC）耳机和耳塞 • 带有语音用户界面（VUI）的设备 • 智能音箱 • 家庭自动化物联网设备 • 高质量音频采集 • 笔记本电脑和平板电脑 • 会议系统 • 相机和摄像机 • 工业或家庭监控，带音频模式检测
ESD108-B1-CSP0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:30000
商品特性
依据以下标准对高速数据线进行ESD/瞬态保护：
IEC61000-4-2（ESD）：±25 kV（空气/接触放电）
IEC61000-4-4（EFT）：±2.5 kV / ±50 A（5/50 ns）
IEC61000-4-5（浪涌）：±2.5 A（8/20 μs）
双向工作电压高达：VRWM = ±5.5 V
线路电容：在f = 1 MHz时，CL = 0.28 pF（典型值）
钳位电压：在ITLP = 16 A且RDYN = 0.78 Ω（典型值）时，VCL = 20 V（典型值）
极低的反向电流：IR < 1 nA（典型值）
由于极低的寄生电感，钳位过冲最小化
小尺寸SMD 0201封装且厚度低（0.58 mm x 0.28 mm x 0.15 mm）
双向对称的I/V特性，便于优化设计和组装
无铅（符合RoHS标准）且无卤封装
应用领域
USB 3.0、Firewire、DVI、HDMI、S-ATA、DisplayPort、Thunderbolt
移动HDMI链路、MDDI、MIPI、SWP / NFC
BGSX44MU18 E6327
25+批次包装4500pcs/盘
现货数量:4500
商品概述 BGSX44MU18射频CMOS开关专为LTE和5G FR1四天线应用而设计。这款4P4T交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。 该开关通过MIPI RFFE控制接口进行控制。片上控制器支持1.65至1.95V的电源电压。该开关具备直接连接电池的功能和无直流偏置的射频端口。与砷化镓技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部隔直电容。该器件尺寸极小，仅为2.0 mm×2.4 mm，厚度为0.63 mm。 商品特性 • 高达37 dBm峰值功率的高线性度 • 适用于5G SRS应用的快速切换时间（最大2 μs） • 高达7.125 GHz的低插入损耗和高端口间隔离度 • 低功耗，可使用MIPI RFFE电源 • MIPI RFFE 2.1控制接口 • 软件和硬件可编程的USID • 超薄无引脚塑料封装（MSL - 3，按照IPC/JEDEC J - STD - 20标准，260 ℃） • 符合RoHS和WEEE标准的封装 • 无卤 • 无铅 应用领域 • 蜂窝移动设备的4P4T天线路由/切换 • 5G SRS应用的4P4T天线路由/切换 • GSM、WCDMA、LTE和5G FR1应用 • 4x4 MIMO应用 • 降低比吸收率（SAR）
BGS16MA12 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:4500
描述 适用于 LTE 分集、Tx 和 LAA 应用的 MIPI 2.0 SP6T 开关此 SP6T RF 开关是基于 LTE 和 WCDMA 的多模手机的完美解决方案。它基于英飞凌的专有技术，具有出色的射频性能。超低插入损耗帮助客户实现高系统灵敏度，LTE Tx 功率和 6 GHz 的覆盖范围可实现非常广泛的应用。它具有无直流射频端口，仅当外部施加直流电压时才需要在射频端口处使用外部直流阻断电容器。其片上MIPI RFFE 2.0控制器完全兼容行业标准。 特性 • 0.1 至 6 GHz 覆盖范围，适用于 LTE 和 LAA 应用
• LTE TX 功率处理能力
• 超低插入损耗：频段 42 时为 0.65dB
• 小尺寸 1.1mm x 1.9mm
• 完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 标准
• 无需去耦电容（除非在 RF 线路上施加直流电）
• 低谐波产生
• 高端口间隔离
• 片上控制逻辑，包括 ESD 保护
• 无需电源阻断
• 高 EMI 稳健性
• 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装 应用 • 消费类电子产品
BFP410 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:60000
描述 适用于低电流应用的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 适用于手持设备的低电流设备
• 适用于高频振荡器，例如用于 LNB 的 DRO
• 适用于 ISM 频段应用，例如自动抄表、传感器等。
• 传输频率 fT = 25 GHz
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
ESD111-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:180000
描述 双向、5.5 V、0.12 pF、0201、符合 RoHS 和无卤素标准 特性 • ESD/瞬态保护符合以下标准：
• IEC61000-4-2 (ESD): ±14/±11 kV（空气/接触放电）
• IEC61000-4-4 (EFT): ±1 kV / ±20 A (5/50 ns)
• IEC61000-4-5 (Surge): ±2 A (8/20 μs)
• 双向工作电压高达：VWM = ±5.5 V
• 线路电容：CL = 0.12 pF（典型值），f = 2.5 GHz
• 钳位电压：VCL = 30 V（典型值），ITLP = 16 A，RDYN = 1.29 Ω（典型值）
• 极低反向电流：IR < 1 nA（典型值）
• 小尺寸 SMD 尺寸 0201 且厚度薄（0.58 毫米 x 0.28 毫米 x 0.15 毫米）
• 双向和对称 I/V 特性，可优化设计/组装 应用 • 智能恒温器
BFP840FESD H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:75000
描述 BFP840FESD 是一款分立式射频异质结双极晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能，适用于 5 GHz 频段应用。 特性 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：最大 RF 输入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度
• 高转换频率 fT = 85 GHz，可在高频下实现最佳的噪声系数：NFmin = 0.75 dB（5.5 GHz、1.8 V、5 mA）
• 高增益 Gms = 23 dB（5.5 GHz、1.8 V、10 mA）
• OIP3 = 22 dBm（5.5 GHz、1.8 V、10 mA）
• 适用于低压应用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻）
• 薄型、小尺寸无引线封装
BFP405 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:18000
BGA420 H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:18000
商品特性 • 可级联的50 Ω增益模块 • 无条件稳定 • 在1.8 GHz时，增益|S₂₁|² = 13 dB • 在1.8 GHz时，输出三阶交调截点IP₃ₒᵤₜ = +13 dBm（Vᴅ = 3 V，Iᴅ典型值为6.7 mA） • 在1.8 GHz时，噪声系数NF = 2.2 dB • 在1.8 GHz时，反向隔离度 > 28 dB，输入/输出回波损耗 > 12 dB • 无铅（符合RoHS标准）封装
ESD200-B1-CSP0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:60000
商品概述 这款静电放电（ESD）保护器件具有双向对称的伏安（I/V）特性和出色的钳位性能。 商品特性 • 符合以下标准的ESD/瞬态保护： • IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±19 kV（空气放电）/ ±17 kV（接触放电） • IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2 kV / ±40 A（5/50 ns） • IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3 A（8/20 μs） • 双向最大工作电压：VWM = ± 5.5 V • 线路电容：在f = 1 MHz时，CL = 6.5 pF • 钳位电压：在ITLP = 16 A且Rdyn = 0.2 Ω时，Vcl = 13 V • 极低的泄漏电流：IL = 1 nA • 小尺寸贴片封装0201，薄型（0.58x0.28x0.15 mm³） • 符合RoHS标准 应用领域 • 键盘、触摸板、按键、便捷按键、液晶显示器、摄像头、音频线路 • 移动通信、笔记本电脑、平板电脑、台式计算机、模块（WIFI、指纹、闪存）
BGT60TR13C E6327
25+批次包装4500pcs/盘
现货数量:1041
商品概述
BGT60TR13C 是一款带有封装天线的 60 GHz 雷达传感器，能够在小封装内实现超宽带 FMCW 操作。通过数字接口可以进行传感器配置和数据采集，集成的状态机实现了独立的数据采集，并优化了功耗模式以达到最低功耗。
应用领域
雷达前端用于手势感应
高分辨率FMCW雷达
短距离感应操作
隐藏在天线罩后的感应应用
ESD131-B1-W0201 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:285000
商品特性 • 静电放电（ESD）/瞬态保护符合以下标准：IEC61000 - 4 - 2（ESD）：±20 kV（空气/接触放电）；IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：±2.5 kV / ±60 A（5/50 ns）；IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：±3.5 A（8/20 μs） • 双向工作电压高达：VRWM = ±5.5 V • 线路电容：在 f = 1 MHz 时，CL = 0.23 pF（典型值） • 钳位电压：当 |TLP = 16 A 且 RDYN = 0.66 Ω（典型值）时，VCL = 13 V（典型值） • 极低反向电流：IR < 100 nA（最大值） • 小尺寸贴片封装 0201，薄型设计（0.58 mm x 0.28 mm x 0.15 mm） • 双向对称的 1/ν 特性，便于优化设计和组装 • 无铅（符合 RoHS 标准）且无卤封装 应用领域 • USB 3.0 • 火线（Firewire） • 数字视频接口（DVI） • 高清多媒体接口（HDMI） • 串行高级技术附件（S - ATA） • 显示端口（DisplayPort） • 雷电接口（Thunderbolt） • 移动 HDMI 链路 • 移动显示数字接口（MDDI） • 移动行业处理器接口（MIPI） • 单线协议（SWP）/近场通信（NFC）
ESD5V3U2U-03F H6327
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:74200
描述 超低电容 ESD 二极管阵列 特性 • 高速数据线的 ESD/瞬态保护超过：IEC61000-4-2（ESD）：20 kV（空气/接触），IEC61000-4-4（EFT）：40 A（5/50 ns），IEC61000-4-5（浪涌）：3 A（8/20 μs）
• 最大。工作电压：5.3 V
• 极低电容：低至 0.2 pF
• 极低钳位电压：12 V 典型值
• 极低正向钳位电压：4 V 典型值
• 极低反向电流：< 1 nA 典型值
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 车载网关
BSS139I
25+批次包装3000pcs/盘
现货数量:29790
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
N沟道
耗尽型
具备dv/dt额定值
符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
引脚无铅电镀;符合RoHS标准
应用领域
高效开关模式电源-基于半桥拓扑的有源功率因数校正
BFR460L3 E6327
25+批次包装15000pcs/盘
现货数量:9000
描述 适用于低电压/低电流应用的 NPN 硅射频晶体管 特性 • 非常适合 VCO 模块和低噪声放大器
• 低噪声系数：1.8 GHz 时为 1.1 dB
• SMD 无铅封装
• 出色的 ESD 性能（典型值 1500V (HBM)）
• 22 GHz 的高 fT
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装 应用 • 移动设备和智能手机解决方案
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